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| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 2011 | 以二階段氫化物氣相磊晶法製作非極性氮化鎵基板之研究 | 陳常臨; Chen, chan-lin; 李威儀; Lee Wei-I; 電子物理系所 |
| 2006 | 以凱文結構與三維模擬研究電遷移造成覆晶銲錫接點中孔洞的形成 | 張元蔚; 陳智; 材料科學與工程學系 |
| 2006 | 淺溝槽絕緣層製程於快閃記憶體產品填洞能力之改善 | 蔡明光; 陳家富; 工學院半導體材料與製程設備學程 |
| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 2011 | 以二階段氫化物氣相磊晶法製作非極性氮化鎵基板之研究 | 陳常臨; Chen, chan-lin; 李威儀; Lee Wei-I; 電子物理系所 |
| 2006 | 以凱文結構與三維模擬研究電遷移造成覆晶銲錫接點中孔洞的形成 | 張元蔚; 陳智; 材料科學與工程學系 |
| 2006 | 淺溝槽絕緣層製程於快閃記憶體產品填洞能力之改善 | 蔡明光; 陳家富; 工學院半導體材料與製程設備學程 |