瀏覽 的方式: 作者 呂宗宜
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公開日期 | 標題 | 作者 |
---|---|---|
2003 | 利用區域性應力通道提高電子遷移率之n型金氧半場效電晶體 | 呂宗宜; Tsung-Yi Lu; 趙天生; 電子物理系所 |
2012 | 多重應力閘極之新穎應力記憶技術製作在n型金氧半場效電晶體之研究 | 呂宗宜; Lu, Tsung-Yi; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所 |
公開日期 | 標題 | 作者 |
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2003 | 利用區域性應力通道提高電子遷移率之n型金氧半場效電晶體 | 呂宗宜; Tsung-Yi Lu; 趙天生; 電子物理系所 |
2012 | 多重應力閘極之新穎應力記憶技術製作在n型金氧半場效電晶體之研究 | 呂宗宜; Lu, Tsung-Yi; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所 |