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瀏覽 的方式： 作者 李瑞博

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2017利用低損傷中性粒子束蝕刻的方式製作出高起始電壓低磁滯的掘入式閘極增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率高功率電晶體李瑞博; 張翼; 馬哲申; Lee, Ruey-Bor; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen; 光電系統研究所
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