瀏覽 的方式： 作者 陳怡誠
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| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 2003 | 具有超薄N2O退火氮化物閘極介電層與矽鍺通道之金氧半場效電晶體可靠度及通道厚度效應研究 | 陳怡誠; Yi-Cheng Chen; 張俊彥; Chun-Yen Chang; 電子研究所 |
| 16-二月-2009 | 於矽基板上形成三族氮化物半導體磊晶層的方法 | 張俊彥; 楊宗; 張哲榮; 辜瑞泰; 沈詩國; 陳怡誠 |
| 11-十二月-2012 | 於矽基板上形成三族氮化物半導體磊晶層的方法 | 張俊彥; 楊宗熺; 張哲榮; 辜瑞泰; 沈詩國; 陳怡誠 |