瀏覽 的方式： 作者 黃信雄
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| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 16-十月-2010 | 一種成長ＩＩＩ－Ｖ族氮化物薄膜之方法及其結構 | 李威儀; 黃信雄; 陳奎銘; 葉彥顯 |
| 1-十一月-2008 | 一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法 | 李威儀; 黃信雄; 曾虹諭 |
| 1-三月-2012 | 一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法 | 李威儀; 黃信雄; 曾虹諭 |
| 2008 | 以氫化物氣相磊晶法開發氮化鎵基板研究 | 黃信雄; Hsin-Hsiung Huang; 李威儀; 電子物理系所 |
| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 16-十月-2010 | 一種成長ＩＩＩ－Ｖ族氮化物薄膜之方法及其結構 | 李威儀; 黃信雄; 陳奎銘; 葉彥顯 |
| 1-十一月-2008 | 一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法 | 李威儀; 黃信雄; 曾虹諭 |
| 1-三月-2012 | 一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法 | 李威儀; 黃信雄; 曾虹諭 |
| 2008 | 以氫化物氣相磊晶法開發氮化鎵基板研究 | 黃信雄; Hsin-Hsiung Huang; 李威儀; 電子物理系所 |