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瀏覽 的方式： 作者 Chu-Feng Chen

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2002以快速升溫氧化技術成長 1.0 nm 高品質氮氧化矽閘極絕緣層及其特性研究陳巨峰; Chu-Feng Chen; 張國明; 桂正楣; Kow-Ming Chang; Cheng-May Kwei; 電子研究所
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