瀏覽 的方式: 作者 Dai ,Gu-Ming
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公開日期 | 標題 | 作者 |
---|---|---|
2013 | 利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體 | 戴谷銘; Dai ,Gu-Ming; 張翼; 張俊彥; Chang, Yi; Chang, Chun-Yen; 電子工程學系 電子研究所 |
公開日期 | 標題 | 作者 |
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2013 | 利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體 | 戴谷銘; Dai ,Gu-Ming; 張翼; 張俊彥; Chang, Yi; Chang, Chun-Yen; 電子工程學系 電子研究所 |