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公開日期標題作者
1-八月-2005Characteristics of MOCVD- and MBE-grown InGa(N)As VCSELsYang, HPD; Lu, C; Hsiao, R; Chiou, C; Lee, C; Huang, C; Yu, H; Wang, C; Lin, K; Maleev, NA; Kovsh, AR; Sung, C; Lai, C; Wang, J; Chen, J; Lee, T; Chi, JY; 電子物理學系; Department of Electrophysics
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