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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Hsu, SL
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顯示 1 到 12 筆資料,總共 12 筆
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標題
作者
2005
Deep sub-micron strained Si0.85Ge0.15 channel p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (pMOSFETs) with ultra-thin N2O-annealed SiN gate dielectric
Chen, CW
;
Chien, CH
;
Chen, YC
;
Hsu, SL
;
Chang, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2006
Effects of postdeposition annealing on the characteristics of HfOxNy dielectrics on germanium and silicon substrates
Cheng, CC
;
Chien, CH
;
Chen, CW
;
Hsu, SL
;
Yang, CH
;
Chang, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十一月-2005
Enhanced luminance and thermal properties of poly(phenylenevinylene) copolymer presenting side-chain-tethered silsesquioxane units
Chou, CH
;
Hsu, SL
;
Yeh, SW
;
Wang, HS
;
Wei, KH
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
1-六月-2005
Impact of post-deposition-annealing on the electrical characteristics of HfOxNy gate dielectric on Ge substrate
Cheng, CC
;
Chien, CH
;
Chen, CW
;
Hsu, SL
;
Yang, MY
;
Huang, CC
;
Yang, FL
;
Chang, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
13-十月-2001
An integrated inventory model for a single vendor and multiple buyers with ordering cost reduction
Woo, YY
;
Hsu, SL
;
Wu, SS
;
管理科學系
;
Department of Management Science
2005
Low-temperature growth of polycrystalline ge films on SiO2 substrate by HDPCVD
Yang, MJ
;
Shieh, J
;
Hsu, SL
;
Huang, IJ
;
Leu, CC
;
Shen, SW
;
Huang, TY
;
Lehnen, P
;
Chien, CH
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-六月-2005
Reliability of strained SiGe channel p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultra-thin (EOT=3.1nm) N(2)O-annealed SiN gate dielectric
Chen, CW
;
Chien, CH
;
Chen, YC
;
Hsu, SL
;
Chang, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-六月-2005
Reliability of strained SiGe channel p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultra-thin (EOT=3.1nm) N2O-annealed SiN gate dielectric
Chen, CW
;
Chien, CH
;
Chen, YC
;
Hsu, SL
;
Chang, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
20-六月-2005
Study of thermal stability of nickel monogermanide on single- and polycrystalline germanium substrates
Hsu, SL
;
Chien, CH
;
Yang, MJ
;
Huang, RH
;
Leu, CC
;
Shen, SW
;
Yang, TH
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
24-十一月-2005
Suppressing phosphorus diffusion in germanium by carbon incorporation
Luo, G
;
Cheng, CC
;
Huang, CY
;
Hsu, SL
;
Chien, CH
;
Ni, WX
;
Chang, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十月-2004
Synthesis and characterization of fluorescent poly [fluorene-co-phenylene-1-(di-2-pyridylamine)] copolymer and its Ru(II) complex
Dinakaran, K
;
Chou, CH
;
Hsu, SL
;
Wei, KH
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering
8-二月-2005
Synthesis and characterization of luminescent polyfluorenes incorporating side-chain-tethered polyhedral oligomeric silsesquioxane units
Chou, CH
;
Hsu, SL
;
Dinakaran, K
;
Chiu, MY
;
Wei, KH
;
材料科學與工程學系
;
Department of Materials Science and Engineering