瀏覽 的方式: 作者 JENH-YIHJUANG

跳到: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字:  
顯示 1 到 10 筆資料,總共 10 筆
公開日期標題作者
1993以直流濺鍍法製備鉈系-1223相高超導薄膜及其特性研究莊振益; JENH-YIHJUANG; 交通大學電子物理學系
2000氧化物同質磊晶與選擇性磊晶成長之機制及其在電子元件之應用研究莊振益; JENH-YIHJUANG; 國立交通大學電子物理學系
2000超導薄膜物理與應用---子計畫IV:二維約瑟芬接面三角陣列與熱電子輻射偵測混波元件之製備與特性研究莊振益; JENH-YIHJUANG; 交通大學電子物理系
1999超導薄膜物理與應用---子計畫IV:二維約瑟芬接面三角陣列與熱電子輻射偵測混波元件之製備與特性研究莊振益; JENH-YIHJUANG; 交通大學電子物理系
1998超導薄膜物理與應用---子計畫四:二維約瑟芬接面三角陣列與熱電子輻射偵測混波元件之製備與特性研究(I)莊振益; JENH-YIHJUANG; 交通大學電子物理系
2003過渡金屬氧化物薄膜物理與元件研究---超導與磁性鈣鈦礦氧化物薄膜之界面特性與混成結構研究(I)莊振益; JENH-YIHJUANG; 國立交通大學電子物理學系
2004過渡金屬氧化物薄膜物理與元件研究-子計畫四:超導與磁性鈣鈦礦氧化物薄膜之界面特性與混成結構研究(II)莊振益; JENH-YIHJUANG; 交通大學電子物理系
2005過渡金屬氧化物薄膜物理與元件研究-超導與磁性鈣鈦礦氧化物薄膜之界面特性與混成結構研究(III)莊振益; JENH-YIHJUANG; 交通大學電子物理系
2001鈣鈦礦結構金屬氧化物薄膜物理與元件---子計畫II:氧化物同質磊晶與選擇性磊晶成長之機制及其在電子元件之應用研究(II)莊振益; JENH-YIHJUANG; 交通大學電子物理系
2002鈣鈦礦結構金屬氧化物薄膜物理與元件---子計畫II:氧化物同質磊晶與選擇性磊晶成長之機制及其在電子元件之應用研究(III)莊振益; JENH-YIHJUANG; 交通大學電子物理系