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公開日期標題作者
1996GaAs/AlAs/GaAs量子結構的導納頻譜分析徐念慶; Hsu, Nian-Ching; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2004InAs/GaAs自聚式量子點掺入銻與氮之特性研究黃任鋒; Ren-Fong Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2007InAsSb量子點表面活化及相分離現象以及熱退火影響InAsSb量子點光性電性黃英子; Ying-tzu Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2006InAs量子點應力鬆弛所引發缺陷對量子躍遷之影響汪炎宗; Yan -Zung Wang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
1998InGaAs/GaAs 量子井結構中晶格應變造成之缺陷能階電性分析蔡秋韻; Chiu-Yun Tsai; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
1999InGaAs/GaAs量子點與GaAsN/GaAs量子井的電性與光性研究王錦雄; Jiin-Shung Wang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2005InGaAsN/GaAs量子井之成份波動效應謝佩珍; Pei-Chen Hsieh; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
1996MBE成長低溫InGaAs/GaAs超晶格p-i-n結構之電性與缺陷量測分析翁宏鎮; Wong, Honng-Zheng; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2006MOCVD成長GaAsN/GaAs量子井的深層缺陷能階與能帶研究柯忠廷; Chung-Ting Ke; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
1995SnTe摻雜GaSb與低溫成長InGaAs/GaAs超晶格之電性研究與缺陷分析劉鴻興; Liu, Hung-Sing; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2005分子束磊晶成長InAs/InGaAs量子點之銻表面活化效應江振豪; Chen-Hao Chiang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2005分子束磊晶法於砷化鎵基板製作1.3微米半導體雷射蕭茹雄; Ru-Shang Hsiao; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2007應力鬆弛引發之缺陷效應下的InAs/InGaAs量子躍遷機制徐榕鎂; Rong-Mei Hsu; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2002掺雜不同氮含量的InAs/InGaAs量子點與不同長晶速率的InGaAsN單一量子井之電性研究陳育志; Y. J. Chen; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2006有機半導體材料電子結構分析與倒置式下發光有機電激發光元件之研究朱達雅; Ta-Ya Chu; 陳金鑫; 陳振芳; Chin Hsin Chen; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2002氮含量與砷化銦厚度對砷化銦/砷化鎵量子點光性影響陳宜屏; Yi-Ping Chen; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2000氮砷化鎵塊材與氮砷化鎵/砷化鎵單一量子井電性與光性的研究莊銘宏; Ming-Hung Chuang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
1998氮離子佈值於砷化鎵之特性研究黃郁媄; May-May Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2007氮離子佈植InAs量子點特性研究黃正皓; jheng-hao Huang; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
2002濕氧化砷化鎵鋁之金氧半電容器其電性傳導與介面能態分析洪文凱; Wen-Kai Hung; 陳振芳; Jenn-Fang Chen; 電子物理系所
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