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瀏覽 的方式： 作者 Mei-Hsuan Lin

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公開日期標題作者
2006利用SF6/O2電漿對氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體閘極掘入區域進行後處理之探討林渼璇; Mei-Hsuan Lin; 張翼; Edward Yi Chang; 材料科學與工程學系
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