瀏覽 的方式： 作者 Tien Sheng Chao
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| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 2007 | 利用多層閘極之增強型應力記憶技術製作在n型金氧半場效電晶體之研究 | 王智盟; Jr Meng Wang; 趙天生; Tien Sheng Chao; 電子物理系所 |
| 1999 | 氫氟酸氣態清洗及氮摻雜於閘極氧化層與複晶矽氧化層之應用 | 陳建亨; Jiann Heng Chen; 雷添福; 趙天生; Tan Fu Lei; Tien Sheng Chao; 電子研究所 |
| 公開日期 | 標題 | 作者 |
|---|---|---|
| 2007 | 利用多層閘極之增強型應力記憶技術製作在n型金氧半場效電晶體之研究 | 王智盟; Jr Meng Wang; 趙天生; Tien Sheng Chao; 電子物理系所 |
| 1999 | 氫氟酸氣態清洗及氮摻雜於閘極氧化層與複晶矽氧化層之應用 | 陳建亨; Jiann Heng Chen; 雷添福; 趙天生; Tan Fu Lei; Tien Sheng Chao; 電子研究所 |