1. 目前位置：

瀏覽 的方式： 作者 Tsung-Han Li

跳到： 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是輸入前幾個字：  
顯示 1 到 1 筆資料，總共 1 筆
公開日期標題作者
2004次世代快閃記憶體之氨氣氮化底多晶矽上多晶矽層間高介電常數介電質特性李宗翰; Tsung-Han Li; 羅正忠; Jen-Chung Lou; 電子研究所
顯示 1 到 1 筆資料，總共 1 筆