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瀏覽 的方式： 作者 Yu-Lan Liao

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2004以磷化銦基材之量子井結構為半導體飽和吸收體實現1.3μm 被動式Q-開關雷射廖羽嵐; Yu-Lan Liao; 陳永富; Yu-Fung Chen; 電子物理系所
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