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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Access type: Metadata onlyAuthor: search.filters.author.侯拓宏

Search Results

Now showing 1 - 10 of 18
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    二維過渡金屬二硫化物異質結構: 從材料合成、自旋-能谷物理到元件應用
    (2016)
    張文豪
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    侯拓宏
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    國立交通大學電子物理學系（所） 
     
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    低功耗電子神經突觸元件開發與仿生運算硬體加速應用( I )
    (2016)
    侯拓宏
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    蔡嘉明
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所 
     
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    二維層狀過渡金屬硫化物於綠能及可撓式電子之應用
    (2016)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    二維層狀過渡金屬硫化物於綠能及可撓式電子之應用
    (2015)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    今日幾乎所有電子元件皆利用三維(3D)半導體為材料，但自從石墨烯(Graphene)於2004年被發現後，電子元件的設計上有了另一種全新的材料選擇：二維(2D)層狀材料，緊接著石墨烯之後，各式二維層狀材料如氮化硼(BN)，二硫化鉬 (MoS2)、二硫化鎢(WS2)、二硒化鉬(MoSe2)、二硒化鎢 (WSe2)，二硒化鈮(NbSe2)亦被發展出來，這些材料因為本身的低維度特性，產生了許多前所未見的載子傳輸、光學、光電、電子自旋、機械結構等性質，為目前物理及材料界積極研究的重要領域，其中過渡金屬硫化物(Transition Metal Dichalcogenides; TMD)因具備適當能隙，特別適合應用於固態電子元件中。但二維層狀TMD是否能取代或互補現有的三維晶體材料，提供電子元件與電路持續微縮的新動能，目前仍未有定論。本計畫希望在「國科會吳大猷先生紀念獎研究計畫」的鼓勵支持下，建立我們團隊在新穎二維層狀TMD於低功耗綠能及可撓式電子元件應用的研究動能，將基礎科學領域發展出的新材料與物理特性，導入固態電子工程領域應用，改善元件特性與功能性。 本計畫規畫以三年的時間投入包含高性能超薄體電晶體、垂直型穿隧式電晶體(TFET)、與可撓式光感應電晶體等重要固態電子元件開發。過去我們的研究團隊在氧化物薄膜電晶體與可撓式電子元件開發上有豐富的經驗，對我們快速進入此全新領域有很大的助益。我們已與中央研究院原子與分子科學研究所李連忠博士所領導的材料合成團隊建立良好的合作夥伴關係，目前成功地在大面積二硫化鉬與二硒化鎢上製作出具良好特性之n型與p型TMD超薄體電晶體，具有高於六個數量級的電流開關比，在此基礎上，我們將系統性地研究如何提升可應用於未來綠能電子中的TMD超薄體電晶體特性。我們也將研究利用TMD異質接面結構的垂直型穿隧式電晶體，期待能較傳統場效電晶體在功耗與性能上皆有所提升。我們也將利用二維層狀TMD適合移轉至任意基板的優點，開發其在可撓式電子，例如光感應式非接觸互動螢幕等應用。
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    應用於高密度資料儲存記憶體與電子突觸之BiCS 三維電阻式記憶體開發
    (2015)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    電阻式記憶體因為高密度、高效能與製程整合上的優越性，近來倍受矚目。除取代傳統記憶體外，其新興的應用領域包含了資料儲存記憶體與電子突觸技術。資料儲存記憶體同時具備高效能與高密度的特性，預期將能取代現有低效能的硬碟與低密度的現有記憶體架構，在未來的高速資訊系統扮演關鍵的角色。電阻式記憶體做為高密度資料儲存記憶體的終極解決方案，首要證明極富競爭力的單位位元成本，因此，成功開發一類似BiCS SONOS的低成本三維垂直記憶體架構非常關鍵。此外，目前以矽電子元件與von Neumann計算架構為基礎的資訊系統，面臨元件尺度微縮不易與低能源效率問題，因此有許多人認為實現如人腦般的仿生資訊系統，才是未來高性能與高效能資訊系統開發上正確的方向，其中最關鍵的技術為利用電阻式記憶體(憶阻器)的特性實現一低功率的電子突觸元件。 過去數年間，我們在交通大學的電阻式記憶體研究團隊迅速地建立了在國內相關研究領域的重要地位，在國際間亦是技術領先的傑出團隊。我們在2011年與2012年共有三篇電阻式記憶體的論文入選IEDM，研究成果深獲肯定。因此我們希望在國科會優秀年輕學者研究計畫的支持下，進行新一階段的前瞻電阻式記憶體研究，此三年計畫主要目標在開發超高密度BiCS 三維電阻式記憶體所需之關鍵製程與元件技術，包含三維電阻式記憶體陣列結構，側壁式奈米等級與具自我選擇特性之非線性電阻式記憶體元件，高密度記憶體陣列電路模擬，元件操作變異性之電性評估、量化物理模型、改善方法，最終驗證其在高密度資料儲存記憶體應用上之潛力。另一方面，整合三維陣列架構與超低能耗(~fJ)電阻式記憶體，突破現有電子突觸與仿神經計算應用上低密度與高能耗的限制。此計畫結合本研究團隊過去在電阻式記憶體開發上，包含製程整合、元件開發、電路模擬、量化物理模型、電性量測等各個面向上的豐富經驗與領先技術，深入探討三維電阻式記憶體在高密度資料儲存記憶體與電子突觸等傳統記憶體元件無法實現之新興應用，無論從科學探索或工程研究的角度皆深具意義。
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    以過渡金屬氧化物為基礎的新世代非揮發性電阻式記憶體
    (2008)
    侯拓宏
    ;
    Hou Tuo-Hung
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    傳統的浮動閘極元件於40奈米以下非揮發性記憶體的應用上預期將遇到很大的障礙，而在眾多新世代記憶體技術中，以過渡金屬氧化物 (TMO) 為基礎的電阻式記憶體 (RRAM) ，利用簡單的兩極記憶單元、三維堆疊與多位準架構，是最具潛力實現兆位元級的超高密度非揮發性記憶體技術，然而在實際運用上仍有許多關鍵問題需要被解決，例如對阻質切換機制缺乏全面的瞭解、重置電流的持續降低、重複覆寫過程中的高變異性、及利用於1D1R架構中的高性能氧化物二極體的開發等等，本計畫中將針對上述當前RRAM技術的發展瓶頸做一深入與完整的探討。 我們將以雙層、複合層、雜質摻雜、梯度組成的不同TMO結構來有效控制氧原子缺陷的分佈，以導電性原子力顯微鏡與歐傑電子能譜儀，對局部絲狀傳導路徑的形成與破裂做最直接的觀察，並搭配電子自旋共振能譜儀對電性活化缺陷的分析，預期將可以對TMO 與金屬電極間的介面層在RRAM切換機制上所扮演的關鍵角色有更深一層的瞭解。同時我們也將調變異質的氧化物介面以及金屬與氧化物間的蕭基能障，開發出一能與單極切換特性RRAM搭配的高順向電流、高開關比的氧化物二極體。另一方面，我們將以電遷移及氧化層崩潰理論為基礎，瞭解在高電場、高電流、高溫的情況之下，在異質的金屬/TMO介面上，離子和電子間複雜的交互作用與移動，並以此建立一量化的RRAM物理模型，做為日後持續改建元件特性的藍圖。
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    以過渡金屬氧化物為基礎的新世代非揮發性電阻式記憶體
    (2009)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    傳統的浮動閘極元件於40奈米以下非揮發性記憶體的應用上預期將遇到很大的障礙，而在眾多新世代記憶體技術中，以過渡金屬氧化物 (TMO) 為基礎的電阻式記憶體 (RRAM) ，利用簡單的兩極記憶單元、三維堆疊與多位準架構，是最具潛力實現兆位元級的超高密度非揮發性記憶體技術，然而在實際運用上仍有許多關鍵問題需要被解決，例如對阻質切換機制缺乏全面的瞭解、重置電流的持續降低、重複覆寫過程中的高變異性、及利用於1D1R架構中的高性能氧化物二極體的開發等等，本計畫中將針對上述當前RRAM技術的發展瓶頸做一深入與完整的探討。 我們將以雙層、複合層、雜質摻雜、梯度組成的不同TMO結構來有效控制氧原子缺陷的分佈，以導電性原子力顯微鏡與歐傑電子能譜儀，對局部絲狀傳導路徑的形成與破裂做最直接的觀察，並搭配電子自旋共振能譜儀對電性活化缺陷的分析，預期將可以對TMO 與金屬電極間的介面層在RRAM切換機制上所扮演的關鍵角色有更深一層的瞭解。同時我們也將調變異質的氧化物介面以及金屬與氧化物間的蕭基能障，開發出一能與單極切換特性RRAM搭配的高順向電流、高開關比的氧化物二極體。另一方面，我們將以電遷移及氧化層崩潰理論為基礎，瞭解在高電場、高電流、高溫的情況之下，在異質的金屬/TMO介面上，離子和電子間複雜的交互作用與移動，並以此建立一量化的RRAM物理模型，做為日後持續改建元件特性的藍圖。
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    以過渡金屬氧化物為基礎的新世代非揮發性電阻式記憶體
    (2010)
    侯拓宏
    ;
    Hou Tuo-Hung
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    傳統的浮動閘極元件於40奈米以下非揮發性記憶體的應用上預期將遇到很大的障礙，而在眾多新世代記憶體技術中，以過渡金屬氧化物 (TMO) 為基礎的電阻式記憶體 (RRAM) ，利用簡單的兩極記憶單元、三維堆疊與多位準架構，是最具潛力實現兆位元級的超高密度非揮發性記憶體技術，然而在實際運用上仍有許多關鍵問題需要被解決，例如對阻質切換機制缺乏全面的瞭解、重置電流的持續降低、重複覆寫過程中的高變異性、及利用於1D1R架構中的高性能氧化物二極體的開發等等，本計畫中將針對上述當前RRAM技術的發展瓶頸做一深入與完整的探討。 我們將以雙層、複合層、雜質摻雜、梯度組成的不同TMO結構來有效控制氧原子缺陷的分佈，以導電性原子力顯微鏡與歐傑電子能譜儀，對局部絲狀傳導路徑的形成與破裂做最直接的觀察，並搭配電子自旋共振能譜儀對電性活化缺陷的分析，預期將可以對TMO 與金屬電極間的介面層在RRAM切換機制上所扮演的關鍵角色有更深一層的瞭解。同時我們也將調變異質的氧化物介面以及金屬與氧化物間的蕭基能障，開發出一能與單極切換特性RRAM搭配的高順向電流、高開關比的氧化物二極體。另一方面，我們將以電遷移及氧化層崩潰理論為基礎，瞭解在高電場、高電流、高溫的情況之下，在異質的金屬/TMO介面上，離子和電子間複雜的交互作用與移動，並以此建立一量化的RRAM物理模型，做為日後持續改建元件特性的藍圖。