學術出版;;Publications
Permanent URI for this communityhdl:11536/1
收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作,涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.
Browse
13 results
Search Results
Item type:Item, 具內嵌式光觸控功能之高效能低功耗顯示關鍵技術(2016) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 具內嵌式光觸控功能之高效能低功耗顯示關鍵技術(2015) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 高效率銅鋅錫硫薄膜太陽能電池微結構與光電特性之研究(2014) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 具系統面板整合性之前瞻顯示電晶體元件製作與研究(2008) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)本計畫將利用三年的時間來完成『高效能-具記憶體特性之多重奈米線薄膜電晶體』之製作與物理 機制研究。近年來,主動式顯示面板技術蓬勃發展,為了提高面板的應用價值並降低製作成本,因此 產業界期待發展出同時具有記憶體元件與驅動電路的系統整合型面板(system on panel; SOP)。由於複 晶矽薄膜電晶體具有高的驅動電流,因此可取代外接式驅動電路整合於顯示面板中,以做為面板週邊 的驅動元件。在本研究計畫中,將發展一種可應用於系統面板整合性的前瞻顯示元件技術,製作出能 集畫素開關、驅動與記憶體特性於一身的高效能奈米線顯示電晶體,如此將可大大簡化系統面板技術 中元件(即:驅動開關元件與記憶體元件)製程整合的複雜性,可使顯示面板同時具有驅動、讀取及儲存 等功能,有效達到系統整合型面板之目的。在研究中,我們也將應用高介電常數薄膜於電晶體元件中, 藉此提高顯示元件的記憶體功效與電晶體驅動特性;除此之外,我們將發展一種創新的薄膜缺陷鈍化 技術,即:利用超臨界流體(supercritical fluid)技術,在低溫下對多晶矽薄膜電晶體元件內的缺陷進行 鈍化(passivation)處理,可有效取代傳統高溫退火(annealing)及電漿(plasma)的製程,進一步提升顯示元 件特性以及縮短製程時間與製造成本。最後,在計劃中也將對此高效能-具記憶體特性之顯示電晶體進 行操作上的可靠性研究與物理機制探討,以瞭解實際應用於系統面板中可能遭遇到的問題。Item type:Item, 具系統面板整合性之前瞻顯示電晶體元件製作與研究(2009) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)本計畫將利用三年的時間來完成『高效能-具記憶體特性之多重奈米線薄膜電晶體』之製作與物理 機制研究。近年來,主動式顯示面板技術蓬勃發展,為了提高面板的應用價值並降低製作成本,因此 產業界期待發展出同時具有記憶體元件與驅動電路的系統整合型面板(system on panel; SOP)。由於複 晶矽薄膜電晶體具有高的驅動電流,因此可取代外接式驅動電路整合於顯示面板中,以做為面板週邊 的驅動元件。在本研究計畫中,將發展一種可應用於系統面板整合性的前瞻顯示元件技術,製作出能 集畫素開關、驅動與記憶體特性於一身的高效能奈米線顯示電晶體,如此將可大大簡化系統面板技術 中元件(即:驅動開關元件與記憶體元件)製程整合的複雜性,可使顯示面板同時具有驅動、讀取及儲存 等功能,有效達到系統整合型面板之目的。在研究中,我們也將應用高介電常數薄膜於電晶體元件中, 藉此提高顯示元件的記憶體功效與電晶體驅動特性;除此之外,我們將發展一種創新的薄膜缺陷鈍化 技術,即:利用超臨界流體(supercritical fluid)技術,在低溫下對多晶矽薄膜電晶體元件內的缺陷進行 鈍化(passivation)處理,可有效取代傳統高溫退火(annealing)及電漿(plasma)的製程,進一步提升顯示元 件特性以及縮短製程時間與製造成本。最後,在計劃中也將對此高效能-具記憶體特性之顯示電晶體進 行操作上的可靠性研究與物理機制探討,以瞭解實際應用於系統面板中可能遭遇到的問題。Item type:Item, 具內嵌式光觸控功能之高效能低功耗顯示關鍵技術(2014) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 可應用於射頻辨識系統之新穎垂直型無銦鎵元素氧化物薄膜元件與其關鍵驅動電路技術開發(2011) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 可應用於射頻辨識系統之新穎垂直型無銦鎵元素氧化物薄膜元件與其關鍵驅動電路技術開發(2012) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)Item type:Item, 先進電漿薄膜改質製程及對可撓式太陽電池智慧節能元件應用技術開發(2012) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)本計畫是以符合環保並兼具經濟效益為前提下,開發高光電轉換效率 的銅-銦-鎵-硒(CIGS)薄膜太陽能電池製程。為了成長高品質的CuInGaSe2 薄膜,硒化製程參數的最佳化和接面能帶匹配是非常重要的。目前針對硒 化製程的參數,如沈積壓力與氛圍的研究成果並不多見。在本計畫中,我 們首先將探討熱處理環境條件對於CIGS 薄膜型態、結構與組成比特性的影 響。並且應用光電元件分析模擬軟體AMPS-1D,針對具有不同接面的元件 進行能寬匹配的模擬分析與模型建立。 此外,從環境保護的觀點出發,我們避免鎘化合物的使用。我們上年 度的研究成果發現到使用化學水浴法成長的硫化鋅(能隙為3.8eV)薄膜, 相較於硫化鎘(能隙為2.4eV)擁有較寬能隙,因此在今年度的規劃中將被 研究做為替代的緩衝層材料。 最後,在銅銦鎵硒太陽能電池的應用上,窗口層的基本特性是在可見 光範圍具有高的穿透性以及良好的電流收集導電性質。為了進一步優化其 效能,我們將詳細探討影響透明導電氧化層的特性、結構以及在工作壓力 與氧氣流量比例下各種不同的沈積條件所成長的透明導電氧化物薄膜,以 開發出高光電轉換效率的CIGS 薄膜太陽能電池技術平台。Item type:Item, 透明半導體之薄膜電晶體關鍵技術開發研究(2006) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN交通大學光電工程研究所目前液晶顯示器產業一直致力於解決傳統非晶矽薄膜電晶體的嚴重光漏電問題與提升電晶體的載子遷移率,然而此舉常需要引入額外的製程以及複雜的元件結構來改善,造成製造成本的增加以及產品良率的降低。由於半導體氧化鋅的能隙(3.3 eV)處於不易吸收可見光的能量範圍,因此使用氧化鋅製作薄膜電晶體將可降低元件對可見光的敏感性,進而抑制光漏電的現象。此外,在一些研究文獻中也發現氧化鋅材料中載子的場效遷移率可優於傳統非晶矽薄膜電晶體的載子移動率,因此若能成功發展透明半導體氧化鋅薄膜電晶體的關鍵技術,將有助於顯示器產業技術的發展與提升。本計劃研究將發展旋塗沈積(spin on deposition)透明氧化鋅半導體薄膜的技術,利用此種方法所製作的透明氧化鋅薄膜電晶體,除了可以降低可見光的敏感性,還具有製程簡易、低製造成本、元件表面高度的平坦性,進而可增加顯示畫素的開口率及提升製程的可靠度。本計劃的執行將先透過材料的霍爾量測行為與成分分析來探討旋轉塗佈半導體氧化鋅薄膜的基本特性,進而發展一最佳化的透明半導體沈積技術與薄膜電晶體特性。其次,我們將藉由電晶體閘極介電薄膜以及金屬接觸介面的改質與電極材料的研究,來增進ZnO薄膜電晶體之性能並透過可靠度分析與光照敏感性的量測,檢測薄膜電晶體的效能及驗證產品應用的可行性。藉由嚴謹理論的分析研究,我們將建立一完整的氧化鋅半導體電晶體傳導機制與可靠度模型。