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學術出版;;Publications

Permanent URI for this communityhdl:11536/1

收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作,涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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    光電及微波元件技術發展---子計畫二:雷射二極體及量子井結構(I)
    (1994)
    荊鳳德
    ;
    國立交通大學電子工程研究所
    近年來,晶格匹配於GaAs基板的InGaP等三五族 化合物,因具有較大的直接能隙,激發波長約從 550nm至670nm,為可見光區發光元件理想材料,極具 商業開發價值的潛力.相較於AlGaAs/GaAs及 InGaAsP/InP雷射二極體系列,InGaAlP/GaAs仍屬發展較 晚的領域,許多雷射的相關特性,仍需更進一步 加以研究及改進(如:高功率條件下之熱阻與室 溫連續操作的關係,鏡面鍍膜對雷射退化機制 的改善...等).由於當元件縮小至小尺寸時,量子 現象便顯現出來,因此研究量子效應對半導體 雷射的影響,實在是往後設計元件上的一大考 慮.