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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

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Search Results

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    單晶微波積體電路技術之研發
    (1993)
    王暉
    ;
    汪大暉 
    ;
    交通大學電子研究所 
    單晶微波積體電路(MMIC)為一仍在發展中的技術 ,並將在未來的商業及軍事的系統中扮演一重要 的角色.此種電路集合主動及被動元件在同一晶 片上來達成各種的電路功能:如訊號放大,開關交 替,濾波等等.因此,與傳統的混成微波電路相較, MMIC有下列之好處:高可靠度,體小,質輕,可大量生 產,及低價格.MMIC技術之發展,已顯示出此種電路 應用在下一代的通訊,航空,監測,雷達,及智慧型 武器等系統中之高度潛力.本研究計畫包括三部份:主動元件之特性化,被動 元件之分析,以及MMIC晶片之設計.如眾所週知,MMIC 設計的基礎在於正確之元件模式.在主動元件模 式化方面,我們將重點放在三端元件上,如金半場 效電晶體(MESFET),高電子遷移率電晶體(HEMT)及非均 勻介面之雙極電晶體(HBT).在一般性的應用上,這 些元件已有某些標準模式,如線性的小訊號等效 電路及MESFET或HEMT的非線性模式.這些模式在設計 放大器時,通常可以準確地預測訊號增益及輸出 功率.但在某些較特殊之電路要求下(如高次訊號 的交互調變),這些模式即有所不足.我們將發展一 些新模式來克服此類型的問題.在被動元件分析方面,現有之應用在微波設計程 式上的模式,大部分是由近似靜電場分析所得或 是經驗方程式.這些模式在高頻時(如毫米波範圍 或更高)需要重新探討.此外應用微波電路理論時, 也應注意到高頻的元件間藕合效應並未被考慮. 克服此問題的方法為:以數值方法分析任意形狀 之被動元件的電磁場分布.目前針對此問題的解 法有很多,包括用不同的假設物理條件,及不同的 數值方法,解積分方程式或偏微分方程式.各種方 法都有其優缺點.我們將評估現有的種種方法後, 再針對各種情況加以改進. 
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    A 65-77 GHz low power, meander-type transmission line CMOS low-noise amplifier
    (2015-07-10)
    Huang, Zhe-Yang
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    Chen, Chun-Chieh
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    Hung, Chung-Chih
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    電機資訊學士班
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    Undergraduate Honors Program of Electrical Engineering and Computer Science
    A 65-77 GHz low power, meander-type transmission line CMOS low-noise amplifier for E-band millimetre-wave communication using 90 nm MS/RF CMOS process is demonstrated. The low-noise amplifier consists of multi-stage cascaded common-source amplifiers with optimized noise figure, power gain, and power consumption. The LNA achieves 11.7 dB power gain, 5.5 dB noise figure, and 17.7 mW power consumption. The meander-type transmission line circuit design is adopted to reduce chip area; the total transmission line area in LNA is only 0.024 mm(2).
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    寬頻微波接取技術---總計畫
    (2008)
    孟慶宗
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    MENG CHINCHUN
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    國立交通大學電信工程學系(所)
    為研發寬頻微波接取技術，因應時代潮流無線寬頻通訊的發展，將技術轉入實際 應用，讓寬頻無線通訊系統得以運行在既存無線通訊系統中。包含研發適用於次世代 無線通訊系統之寬頻印刷式天線、多層印刷電路板立體式寬頻微波濾波器與耦合器之 開發與製作、關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路、建立ADI-FDTD 模擬平台探討後設 物質於行動裝置應用、微波電路中之電磁干擾抑制研究。本總計畫之內容目標符合國 科會電信工程學門寬頻無線系統重點規劃主題的(A)射頻微波及毫米波電路與系統(子 計劃一、二、三) (B) 電磁散射、干擾、相容及軟體發展及模擬技術(子計劃四、五)。 本總計畫集合國立交通大學在微波領域頂尖人才，發展寬頻、高性能、尺寸縮小、低 成本之零組件，並以全體整合，來展現設計完成之寬頻為波接取機之性能。研究重點 在於寬頻微波接取技術，發展寬頻、高頻、高傳輸效能之電路，不侷限於一般商用規 格，但為了展示全體整合之效能，將以超寬頻UWB 系統為平台，來整合各子計畫之 元件成寬頻無線前端微波系統。
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    寬頻微波接取技術---子計畫三：關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路
    (2008)
    孟慶宗
    ;
    MENG CHINCHUN
    ;
    國立交通大學電信工程學系(所)
    隨著通訊技術的日新月異，及人們對於通訊資料量的要求，無線通訊系統的資料頻 寬也隨之越來越寬。目前，為了滿足高資料量的需求，寬頻技術通信運用也應運而生， 其涵蓋頻段必須足夠大。由於SiGe HBT 的高電流截止頻率(fT)，相當適合製作寬頻的射 頻電路。我們首先著手進行SiGe BiCMOS 寬頻射頻傳收器中關鍵零組件的研究，最後實 作出寬頻的傳收機。 我們在第一年將針對SiGe 寬頻低雜訊放大器(LNA)、振盪器(Oscillator)及集總積 體電路巴侖(balun)做研究。低雜訊放大器部分將首先由SiGe 元件分析著手，如此一來 可以進一步最佳化雜訊指數，振盪器部份則以正交相位振盪器為主。第二年將研究寬頻 操作的混頻器(Mixer)，我們將綜合使用微小化積體電路Marchand balun 來使得混頻器 的LO 輸入級達到寬頻的目的。在升頻混頻器的部分，我們可以使用多組LC current combiner 在RF 輸出端使其頻寬拉大，達到寬頻的要求。在第三年中，將整合設計寬頻 操作的射頻積體電路收發機。為了涵蓋多頻率範圍，多頻段頻率產生器將結合利用除頻 器及乘法器來實現。整個傳收機將基於前兩年所建立的子電路來組合出射頻收發機。 計畫工作內容如下： 第一年：寬頻SiGe 低雜訊放大器、震盪器和微小化集總積體電路巴侖之研究 第二年：SiGe 升頻降頻混頻器及結合寬頻Marchand balun 積體電路之研究 第三年：頻率最佳化及規劃、涵蓋多頻率範圍的多頻段頻率產生器、寬頻SiGe 射頻接 收機和傳送機積體電路。
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    砷化鎵單晶微波積體電路之研製
    (1993)
    張翼
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    交通大學材料科學工程研究所
    砷化鎵單晶微波積體電路(GaAs MMIC)為未來衛星 通訊之主流,本計畫之總目標,即在國內發展GaAs MMIC科技,做為國內自己發展通訊衛星之基礎.發展 GaAs MMIC科技其成功的主要條件,一為準確的微波 積體電路設計,一為成熟的元件設計與製造技術,本子計畫之主要目標,即係發展GaAs MMIC所需之元 件與製程,此子計畫將分之方向進行.一,各類三五族高頻電晶體之設計與製造.二,微波元件之磊晶層成長之研究.三,MMIC製程(含主動及被動元件及後端製程Backside Process)之研發.其中三五族高頻電晶體之設計與製造,第一年發 展以MESFET為主之低噪音放大器,和高功率放大器 為主,其適用範圍將在2.sim. 10GHz,目的在做為 Satelite Receiver(衛星接受器)和SateliteTransmitter(衛 星傳送器)之元件,第二年後再將此MESFET之技術用至MMIC的線路上.第二年起,並將開始著手Low Noise HEMT(HighElectron Mobility Transistor)和High Power, HBT( Hetrojunction BipolarTransistor)之研究,以為下一代更 高品質之衛星通訊系統舖路,在此類主動元件製 程中,其中牽涉到的技術將包含元件隔離技術( Isolation),電接觸和蕭基接觸的技術(Ohmic Contact, SchottkyContact),閘侵蝕的技術(Gate Recess),次微米閘 製作技術(SubmicroGate),元件鈍化技術(Passivation)及 選擇性侵蝕技術(Selective Etch,主要用在Emitter-Base Etch).在磊晶材料成長方面,由於微波電晶體對磊晶層 要求極為嚴格,否則輸出功率及波型都會受到影 響,因此一般微波元件所用之磊晶,其要求遠較數 位(Digital)元件要求為高,磊晶之要求也依元件結 構不同而有不同的要求.MESFET中,高功率元件其buffer layer(緩衝層)要求極為嚴格,且需較少雜質和 元件缺陷,以達成高功率的效果.因此此類電晶體, 大多以MBE(分子束磊晶成長方法)成長.HEMT方面,則 對Interface Abruptness(介面之凸顯程度)要求較高,因 此大多也以MBE方式成長,在HBT方面,則因介面摻雜 原子之輕緩分佈(Slow Dopant Gradient in the Interface), 有助於元件之特性,因此可以MOCVD和MBE之方法長之 .在材料方面,本計畫將對MBE和在各元件之使用可 能性作一研究,希望能改進材料成長方式.以改進 磊晶之品質,並使成分之分佈變化更多樣性,且易 於控制.
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    以微波積體電路製造技術之理念為基礎而設計之無線電
    (1994)
    莊晴光
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    TZUANG CHING-KUANG C
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    國立交通大學電信工程研究所
    無線區域網路(LAN)無線電調變解調器之設計 在傳統射頻工程技術中在許多方面需特別注意 ,本案指出一些阻礙無線電調變解調器量產進 行的瓶頸困難,這些困難應由國內微波通訊工 業界及學術研究單位來共同解決.攸關WLAN無線 電收發器研發成敗之關鍵被動元件技術是本子 案的重點,本子案亦和其它子案有密切的關聯, 例如應用在微波積體電路上的高介電常數□低 損耗陶瓷材料研究(子案3).本案研究重點在於 應用在射頻(RF)□中頻(IF)信號處理中的重要被 動元件予以MMIC化的製程,這種微波積體電路技 術可使無線電調變解調器的量產成為可能.我 們將探討的元件技術包括:(1)微波積體電路射 頻濾波器;(2)微波積體電路射頻電子可調式濾 波器;(3)微波積體電路中頻通道選擇濾波器;(4) 微波積體電路延遲(慢波)線;(5)GMSK解調器的積 體電路或電路(使用微波積體電路延遲線或共 振器),在製造這些元件時的製程已無微調的空間,所以需要的微調必須降至最低,這使得本子 案在元件甚至整個無線電調變解調器的量產方 面很具說服力.這些被動元件可和(M)MIC主動元 件併在一起或製作一起,也就是被動元件可和 主動元件經由表面接合技術(SMT)結合或經由薄 膜□厚膜微波積體電路技術製作在一塊,這可 使無線電調變解調器高度積體化.
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    矽基單晶微波積體電路振盪器之研製
    (1995)
    蘇翔
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    國立交通大學材料科學工程研究所
    本計畫係82年度申請已核准執行之計畫(案 號NSC83-0404-E009-007),"矽基單晶微波積體電路( SiMMIC)電晶體及被動元件之研製"個人計畫(三年 )改請整合型計畫之第四子計畫.本計畫之目的 在利用已發展成功之矽基微波雙極性電晶體( Bipolar transistor)及被動元件如電阻、電容、電 感、傳輸線或波導等.配合無線通信之需求,在 製程上予以整合.先設計改良雙極性電晶體之 特性,改用複晶矽射極(Poly emitter)技術,以提升 其頻率,使適合作射頻振盪之用,其頻率在800MHz 至2.5GHz之間,並研究以複晶矽作電阻,共平面波 導(Coplanar waveguide)作連接線以減低傳輸損失, 使回授相位達360.degree.而振盪.最重要之工作為 電晶體特性之改良,參數擷取以供電路設計之 需,並整合製程使主動元件與波動元件之製作 能在最少裝程步驟,最少光罩需要要求下裝出 單晶積體電路.本計畫先期以改良矽基雙極性 電晶體(SiBJT)並研究SiGe材料及技術.第二年即開 始設計及製作Ring oscillator MMIC,其結果經測試後 供第三年作改良設計之用並開始試製SiGe HBT元 件.第三年以製作適合無線通信之RF振盪器並設 計試製電壓控制振盪器(Voltage controlled oscillator, VCR)以作爾後矽基MMIC製作之基礎.後期 之研究工作與SiBJT及SiGe HBT並進,以決定適合之 頻率領域.
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    無線個人通訊系統之研發---子計畫五：無線通訊積體電路設計
    (1995)
    吳介琮
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    WU JIEH-TSORNG
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    國立交通大學電信工程研究所
    本研究計畫主要在於定義、設計並實現積 體電路晶片組,以用於2.44GHz低跳頻式( Slow-frequency-hopping)GMSK調變的無線電調變解調器 .此晶片組包含:(1)RF前級的單晶微波積體電路; (2)RF的頻率合成積體電路(Frequency synthesizer IC); (3)IF GMSK的解調變積體電路;(4)GMSK的調變積體電 路.在此需要的積體電路技術計有:(1)GaAs MESFET 技術;(2)GaAs HBT技術;(3)Si BJT、BiCMOS以及CMOS技術 等.RF前級的單晶微波積體電路包括:(1)兩個向 量式調變器;(2)一個功率放大器;(3)一個低雜訊 放大器;(4)以及一個傳送/接收的RF切換器.而RF 的頻率合成器則用來產生一種80頻道、1MHz頻 寬低雜訊、且位於2.4 GHz到2.48 GHz的載波,其切 換時間將少於100 uS.至於IF GMSK的解調器則包含: (1)一個IF的帶通濾波器;(2)一個IF的放大器;(3)以 及一個混合模式的GMSK解調器.最後關於GMSK調變 器的部分則用來產生所需的I和Q信號,以作為直接的向量式調變.所有積體電路的設計將特別 強調:(1)成本低;(2)低功率消耗;(3)容易製造;(4) 容易構裝等.為了滿足上述目標,在電路上必須 有所創新.這些電路將經過仔細的研究、模擬 、佈局檢正、製造、測試,並予以特性規格化. 製程方面主要將與國科會晶片設計實現中心合 作,如有必要的話可再尋求廠商協助.除了積體 電路設計以外,構裝技術、混成式電路(Hybrid circuits)、RF構裝以及RF電路測試技術,皆必須因 應發展.此晶片組將可用於其他RF PCS/PCN系統,諸 如無線區域網路(LAN),DECT、CT-2以及GSM等.
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    950至2050MHz砷化鎵單晶微波積體電路降頻器之設計、模擬與量測
    (1996)
    汪大暉
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    WANG TAHUI
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    國立交通大學電子工程學系
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    Item type:Item,
    寬頻微波接取技術---子計畫三：關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路
    (2006)
    孟慶宗
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    MENG CHINCHUN
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    交通大學電信工程系
    隨著通訊技術的日新月異，及人們對於通訊資料量的要求，無線通訊系統的資料頻 寬也隨之越來越寬。目前，為了滿足高資料量的需求，寬頻技術通信運用也應運而生， 其涵蓋頻段必須足夠大。由於SiGe HBT 的高電流截止頻率(fT)，相當適合製作寬頻的射 頻電路。我們首先著手進行SiGe BiCMOS 寬頻射頻傳收器中關鍵零組件的研究，最後實 作出寬頻的傳收機。 我們在第一年將針對SiGe 寬頻低雜訊放大器(LNA)、振盪器(Oscillator)及集總積 體電路巴侖(balun)做研究。低雜訊放大器部分將首先由SiGe 元件分析著手，如此一來 可以進一步最佳化雜訊指數，振盪器部份則以正交相位振盪器為主。第二年將研究寬頻 操作的混頻器(Mixer)，我們將綜合使用微小化積體電路Marchand balun 來使得混頻器 的LO 輸入級達到寬頻的目的。在升頻混頻器的部分，我們可以使用多組LC current combiner 在RF 輸出端使其頻寬拉大，達到寬頻的要求。在第三年中，將整合設計寬頻 操作的射頻積體電路收發機。為了涵蓋多頻率範圍，多頻段頻率產生器將結合利用除頻 器及乘法器來實現。整個傳收機將基於前兩年所建立的子電路來組合出射頻收發機。 計畫工作內容如下： 第一年：寬頻SiGe 低雜訊放大器、震盪器和微小化集總積體電路巴侖之研究 第二年：SiGe 升頻降頻混頻器及結合寬頻Marchand balun 積體電路之研究 第三年：頻率最佳化及規劃、涵蓋多頻率範圍的多頻段頻率產生器、寬頻SiGe 射頻接 收機和傳送機積體電路。