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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Access type: Open accessAuthor: search.filters.author.張翼

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Now showing 1 - 10 of 88
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    Item type:Item,
    半導體裝置及其製造方法
    (2018-07-01)
    張翼
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    劉世謙
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    黃崇愷
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    吳佳勳
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    韓秉承
    一種半導體裝置，包含：基材、通道層、阻障層、凹槽、電荷陷阱層、鐵電材料、閘極、源極和汲極。通道層配置於基材上；阻障層配置於通道層上，阻障層具有凹槽，且凹槽下方之阻障層具有一厚度；汲極和源極配置於阻障層上；電荷陷阱層覆蓋凹槽的底面；鐵電材料配置於電荷陷阱層上；以及閘極配置於鐵電材料上。
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    高電子遷移率電晶體及其製造方法
    (2016-05-16)
    張翼
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    林岳欽
    ;
    謝廷恩
    本發明提供一種高電子遷移率電晶體，以閘極掘入結構搭配高介電常數氧化層以及氮化物介面鈍化層，具有高臨界電壓、高轉導、高穩定之汲極輸出電流以及高可靠度等特性及優點。
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    Item type:Item,
    閘極堆疊結構及包含其之金屬氧化物半導體元件及閘極堆疊結構之製造方法
    (2015-10-21)
    林岳欽
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    張翼
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    莊庭維
    一種電晶體之閘極堆疊結構，包含：一基板；一半導體層，設置於該基板上；一閘極介電層，設置於該半導體層上，其中該閘極介電層係包含由氧化鑭(La2O3)、氧化鉿(HfO2)及包含氧化鑭/氧化鉿之該半導體層之一上表面層所組成之複合氧化物層；以及一閘極電極層，設置於該閘極介電層上。
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    Item type:Item,
    流量控制器以及流量控制方法
    (2015-09-11)
    成維華
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    張翼
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    鄭時龍
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    王嘉傳
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    施境瑋
    一種具有調整栓塞與開口相對位置以調整流量之流量控制器，其包含：一本體，其相對兩端分別為一第一端和一第二端，該本體具有一第一流道和一第二流道，該第一流道具有一第一管徑，該第二流道具有一第二管徑，該第二管徑係大於該第一管徑，該第一流道貫穿該第一端以形成一第一開口，該第二流道貫穿該第二端以形成一第二開口，該第一流道係藉由一第三開口與該第二流道連通；一栓塞，係設置於該第二流道內；一層流片，係設置於該第二流道內，並固定於該第二流道內壁；以及一伸縮裝置，係設置於該本體內，且分別連接於該層流片以及該栓塞，該伸縮裝置係可伸縮長度；其中，該第二流道係大於該第一流道，該伸縮裝置係藉由伸縮該伸縮裝置，控制該栓塞相對活動該本體內，以調整該栓塞與該第三開口之相對位置，而控制該第三開口之一開口面積，該伸縮裝置係藉由伸縮長度，控制該栓塞相對活動該本體內，以調整該栓塞與該第三開口之相對位置，而控制該第三開口之一開口面積，藉此達到控制該本體內流體流過該開口面積之一流量。
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    Item type:Item,
    增強型氮化鎵電晶體及其形成方法
    (2015-08-21)
    張翼
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    林岳欽
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    王煥中
    一種增強型氮化鎵電晶體，包括：一基板；一異質結構，該異質結構在該基板上，其中該異質結構係由Inx Al1-x n/AlN以及AlGaN/GaN群組中所選出；一p型元素磊晶成長層，p型元素磊晶成長層在該異質結構上；一汲極歐姆接觸及一源極歐姆接觸，該汲極歐姆接觸及該源極歐姆接觸在該異質結構且分別設置在該p型元素磊晶成長層之兩側邊；一閘極結構，該閘極結構在該p型元素磊晶成長層上且與該汲極歐姆接觸及該源極歐姆接觸彼此分離；以及一表面鈍化層，該表面鈍化層包覆該汲極歐姆接觸、該源極歐姆接觸、該p型元素磊晶成長層及覆蓋部份該閘極結構。
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    Item type:Item,
    含氮化鎵之半導體結構
    (2015-04-16)
    張翼
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    黃延儀
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    謝祈峰
    一種含氮化鎵之半導體結構的形成方法，包括提供基板、將成核層(nucleation layer)形成在基板上、將擴散阻擋層(diffusion blocking layer)形成在成核層上、將應力釋放層(strain relief layer)形成在擴散阻擋層上以及將半導體層形成在應力釋放層上，其中擴散阻擋層係形成在成核層上而可以防止雜質向基板擴散的向外擴散效應發生。 A method for forming a GaN-containing semiconductor structure is provided. The method includes a substrate is provided, a nucleation layer is formed above the substrate, a diffusion blocking layer is formed above the nucleation layer, a strain relief layer is formed above the diffusion blocking layer, and a semiconductor layer is formed above the stain relief layer, in which the diffusion blocking layer is deposited on the nucleation layer such that the diffusion blocking layer can prevent the impurities out-diffusion from the substrate.
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    Item type:Item,
    流量控制器以及流量控制方法
    (2015-05-01)
    成維華
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    張翼
    ;
    鄭時龍
    ;
    王嘉傳
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    施境瑋
    本發明係有關於一種流量控制器及流量控制方法，其包含本體，其相對兩端分別為第一端和第二端，本體具有第一流道和第二流道，第一流道具有第一管徑，第二流道具有一第二管徑，第二管徑係大於第一管徑，第一流道貫穿第一端以形成第一開口，第二流道貫穿第二端以形成一第二開口，第一流道係藉由一第三開口與第二流道連通；栓塞與層流片，係設置於第二流道內，伸縮裝置係設置於本體內，分別連接於層流片以及栓塞，伸縮裝置係可伸縮長度，其中，藉由伸縮該伸縮裝置，控制栓塞相對活動該本體內，以調整栓塞與第三開口之相對位置，而控制第三開口之一開口面積，藉此達到控制本體內流體流過開口面積之一流量，藉此機構以達針對不同流量，調整內部流道之效果。
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    Item type:Item,
    電動車輛間的通訊系統及其通訊方法
    (2015-05-01)
    張翼
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    成維華
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    鄭時龍
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    鄭泗東
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    許甫任
    一種電動車輛間的通訊系統及其通訊方法。通訊系統包括多台電動車輛，每一台電動車輛更包括監控模組與可攜式電子裝置，其中可攜式電子裝置還包括儲存單元與WiFi模組。監控模組用以監控電動車輛，以產生多個監控資訊。當可攜式電子裝置放置於電動車輛時，儲存單元儲存該些監控資訊。該些電動車輛的WiFi模組形成一臨時網路時，使得該些電動車輛透過臨時網路彼此傳輸該些監控資訊並儲存之。
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    Item type:Item,
    上橋式驅動電路
    (2015-01-11)
    陳宗麟
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    張翼
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    成維華
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    鄭泗東
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    鄭時龍
    本發明係提供一上橋式驅動電路適用於上橋功率電晶體驅動，其包含一自舉式電路及一電位位準轉換器。在電位位準轉換器的設計中，利用二極體來限制其中的電晶體的汲極-源極電壓差，再利用電容來承受高電壓差。因此，驅動電路中不需要具高崩潰電壓的電晶體例如LDMOS。本發明可由一般的IC製程製作具高崩潰電壓的電容，因此所設計的驅動電路可整合於積體電路中。
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    Item type:Item,
    追日裝置
    (2015-01-21)
    謝侑龍
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    張翼
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    鄭時龍
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    成維華
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    呂秉翰
    一種追日裝置，包括基座、設於該基座上之第一傳動器、第二傳動器與支柱、樞接於該支柱以承載太陽能發電模組之承載座、樞接該第一傳動器與該承載座之第一支撐桿以及樞接該第二傳動器與該承載座之第二支撐桿。本發明具有高結構剛性及高承載能力，除可抗強風外，尚具有高追蹤精度及較大的旋轉角度，使太陽能板能準確且長時間地對準太陽，因此可大幅提升太陽能發電模組之效能。