學術出版;;Publications
Permanent URI for this communityhdl:11536/1
收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作,涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.
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Item type:Item, BIDIRECTIONAL SCANNING DRIVING CIRCUIT(2014-03-06) ;LIU PO-TSUN ;CHU LI-WEI ;ZHENG GUANG-TING ;CHEN CHUN-YENKUO YI-CHUNThe invention provides a bidirectional scanning driving circuit, which comprises N stages of driving modules. Driving module comprises an output unit, a forward input unit, and a reverse input unit. For the n-th stage driving module, the forward input unit receives a first input voltage and a front forward scan signal of any of the driving modules lower than or equal to (n−2)th stage for charging or discharging a control node of the output unit. The reverse input unit receives a second input voltage and a back reverse scan signal of any of the driving modules higher than or equal to (n+2)th stage for charging or discharging the control node of the output unit. When the forward input unit is charging the output unit, the output unit outputs a forward scan signal; when the reverse input unit is charging the output unit, the output unit outputs a reverse scan signal.Item type:Item, 新穎多功能型之金屬氧化物半導體薄膜電晶體於軟性顯示技術的應用(2010) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN國立交通大學光電工程學系(所)本計畫將利用三年時間,從功能元件、週邊驅動電路、進而延伸至軟性顯示等三大研究階段來完成「新穎多功能型之金屬氧化物半導體薄膜電晶體於軟性顯示技術的應用」的開發。金屬氧化物半導體具有高載子移動率、高透光率、製程簡單、以及低溫成膜等特性,使其在軟性顯示技術應用上具有極大的潛力與技術前瞻性。為了實現系統面板的目標,整合畫素薄膜電晶體元件與週邊功能電路(包含:驅動單元、記憶體元件與感測單元)的技術發展就顯得格外地重要。但由於各功能元件的製程與結構皆不盡相同,大幅增加整合製作的難度。因此本計畫預計開發金屬氧化物薄膜電晶體式的各類顯示週邊功能元件,可顯著降低製程與電路設計的複雜性,大幅提高低耗能系統面板整合技術實現的可行性。第一年我們將發展金屬氧化物薄膜電晶體式的光感測元件,開發出可偵測環境光亮度的光感測器元件,並將訊息回饋給顯示系統以控制顯示面板背光源的強度,進而達到節能之綠色顯示技術的目標。第二年的研究將著重於發展薄膜電晶體式的非揮發性記憶體元件並應用於畫素內建記憶體(Memory in Pixel;MIP)技術,同時也將於面板上開發畫素陣列週邊掃描驅動電路(Gate Driver on Array)。最後將前兩年所發展的各式元件關鍵技術應用於軟性顯示技術中,探討各種撓曲應力與形變對各功能元件的特性影響,並建立理論機制與模型,以期成功發展低耗能之功能整合型可撓式金屬氧化物薄膜電晶體顯示關鍵技術。Item type:Item, 系統面板之低溫非揮發性記憶體技術開發與研究(2004) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN交通大學光電工程研究所由於低溫複晶矽薄膜電晶體(Low Temperature Polycrystalline Thin Film Transistor; LTPTFT)具有較佳的電子遷移率(Mobility),因此應用於光電顯示面板 技術時可以有效增加畫素的開口率,此外,亦可做為顯示面板週邊的驅動電路 (Driving circuit),將周邊電路製作在同一面板上,進而達到系統整合於玻璃 (System on Panel; SOP)上的目標。 在一完整的顯示系統面板中的組成,除了薄膜電晶體的陣列之外,還將包 括:輸入/輸出介面、資訊處理單元以及記憶單元;由於將非揮發性記憶體製作 於面板上,可以做為畫面資料的儲存單元,在靜態顯示時能有效節省電力消耗, 並且非揮發性記憶體在不提供電源時仍可保存資料,可以配合電路設計衍生其他 功能、提升面板價值,目前國內各大顯示面板廠商也正積極地評估相關技術發 展,不過有許多關鍵的技術仍有待開發與解決。因此本計畫主要的目標是發展應 用於系統面板上的低溫非揮發性記憶體技術。我們首先研究低溫(< 600oC)穿遂氧 化層的成長,因為穿遂氧化層的電性良否對非揮發性記憶體有決定性的影響。其 次,由於複晶矽薄膜表面的缺陷和粗糙度(Roughness)亦會嚴重影響其上穿遂氧化 層的電性。因此,我們也會針對此一問題加以改善,以獲得最佳的穿遂氧化層/ 複晶矽薄膜介面。最後我們也將製作N-ROM 的垂直結構,並嘗試將儲存介電層 以含氧碳化矽(SiCO)薄膜做取代,希望非揮發性記憶體能有較大的記憶窗口。在 電性分析方面,我們將探討記憶體元件耐力(Endurance),記憶體元件的資料保持 時間(Retention time)、元件操作寫入/抹除(Write/Erase)速度等特性,並對一般傳 統非揮發性記憶體元件做一比較。Item type:Item, 可撓式非晶矽薄膜電晶體元件製作與電性機制之研究(2005) ;劉柏村 ;LIU PO-TSUN交通大學光電工程研究所本研究計畫將利用二年的時間來完成可撓式顯示電晶體元件的製作與特性分析探討。由於可撓式顯示器相較於目前使用玻璃基板製作的顯示器,擁有輕、薄、耐衝擊及可曲撓的特性,在未來,更可能採用捲狀製造的方式來大量生產可撓式電子產品,有效降低製造成本。因此,在一些新興的顯示市場,如電子書,汽車儀表板以及捲軸式螢幕等的應用上具有極大的發展潛力。然而,由於可撓式基板的耐熱性及導熱性普遍不佳,為了解決這個問題,在本研究計畫中,將利用低溫直接沉積技術以及轉印技術兩種方式來進行可撓式顯示元件的製作與研究。除了發展最佳化的可撓式元件製程技術,我們也將探討在不同方式的電壓操作時(如直流或交流訊號),顯示元件的電特性表現,以搭配不同的顯示介質操作。此外,為了能成功應用於曲撓的顯示環境,在研究中也將探討當進行機械式的撓曲操作時,顯示元件的電性及可靠度表現。這些研究主題的探討是極為重要的,並且將有助於成功發展可撓式顯示技術。