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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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2012 - 20154

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.侯拓宏Subject: search.filters.subject.flexible electronics

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    二維層狀過渡金屬硫化物於綠能及可撓式電子之應用
    (2015)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    今日幾乎所有電子元件皆利用三維(3D)半導體為材料，但自從石墨烯(Graphene)於2004年被發現後，電子元件的設計上有了另一種全新的材料選擇：二維(2D)層狀材料，緊接著石墨烯之後，各式二維層狀材料如氮化硼(BN)，二硫化鉬 (MoS2)、二硫化鎢(WS2)、二硒化鉬(MoSe2)、二硒化鎢 (WSe2)，二硒化鈮(NbSe2)亦被發展出來，這些材料因為本身的低維度特性，產生了許多前所未見的載子傳輸、光學、光電、電子自旋、機械結構等性質，為目前物理及材料界積極研究的重要領域，其中過渡金屬硫化物(Transition Metal Dichalcogenides; TMD)因具備適當能隙，特別適合應用於固態電子元件中。但二維層狀TMD是否能取代或互補現有的三維晶體材料，提供電子元件與電路持續微縮的新動能，目前仍未有定論。本計畫希望在「國科會吳大猷先生紀念獎研究計畫」的鼓勵支持下，建立我們團隊在新穎二維層狀TMD於低功耗綠能及可撓式電子元件應用的研究動能，將基礎科學領域發展出的新材料與物理特性，導入固態電子工程領域應用，改善元件特性與功能性。 本計畫規畫以三年的時間投入包含高性能超薄體電晶體、垂直型穿隧式電晶體(TFET)、與可撓式光感應電晶體等重要固態電子元件開發。過去我們的研究團隊在氧化物薄膜電晶體與可撓式電子元件開發上有豐富的經驗，對我們快速進入此全新領域有很大的助益。我們已與中央研究院原子與分子科學研究所李連忠博士所領導的材料合成團隊建立良好的合作夥伴關係，目前成功地在大面積二硫化鉬與二硒化鎢上製作出具良好特性之n型與p型TMD超薄體電晶體，具有高於六個數量級的電流開關比，在此基礎上，我們將系統性地研究如何提升可應用於未來綠能電子中的TMD超薄體電晶體特性。我們也將研究利用TMD異質接面結構的垂直型穿隧式電晶體，期待能較傳統場效電晶體在功耗與性能上皆有所提升。我們也將利用二維層狀TMD適合移轉至任意基板的優點，開發其在可撓式電子，例如光感應式非接觸互動螢幕等應用。
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    全氧化物積體電路開發：低成本可撓式射頻辨識標籤晶片
    (2012)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    以氧化物為基礎的電阻式記憶體，薄膜二極體以及薄膜場效電晶體，因為其簡單的結構、不受限於單晶基板的低溫製程、透明、優異的電特性等優點，近來來備受學術界與產業界關注，幾乎目前積體電路上可見的矽電子元件皆可由相對應的氧化物元件來取代，實現所謂的全氧化物積體電路。目前全氧化物積體電路的發展與應用尚在萌芽的階段，深具研究價值與產業佈局的戰略意義，預期將在未來超高密度記憶體、高整合密度的三維堆疊架構、新世代顯示器、可撓式電子、低成本拋棄式晶片的發展上扮演著非常重要的角色。過去三年中，我們研究團隊在國科會的支持下，積極投入此新穎且重要的研究工作，目前在電阻式記憶體，薄膜二極體，薄膜場效電晶體及三維堆疊可撓式電路上皆取得相當成果，為國內極少數具有全氧化物晶片製程整合能力的團隊，放眼國際亦享有領先地位。 本計畫最主要的目的在利用我們過去在氧化物電子元件上的經驗，一方面持續開發適用於軟性基板上的低溫甚至室溫成長的各式氧化物元件，並與美國SEMATECH進行合作交流，SEMATECH為目前先進半導體研究的重要基地與分享平台，這是將我們的研究方向與國際接軌，研究成果推向國際的難得契機。另一方面整合個別元件驗證一低成本可撓式的全氧化物積體電路技術。在諸多可能的電路應用中，本計畫預計以射頻辨識(RFID)標籤晶片為驗證的平台，射頻辨識為目前半導體產業中發展最迅速的領域，近年來利用射頻辨識技術進行大規模之單品追蹤應用，無論在研究或產業應用上都引起了廣泛的興趣，而亟待突破的技術瓶頸為昂貴的標籤晶片，本計畫針對此提出一成長於軟性基板上低成本全氧化物積體電路的解決方案，計畫完成射頻辨識標籤中雙半波整流器、環型振盪器、電阻式記憶體等關鍵電路模組開發，最後整合一包含了天線、電源、邏輯、記憶體等所有功能區塊的測試結構，驗證射頻辨識標籤以低成本可撓式全氧化物電路實現的可行性。
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    全氧化物積體電路開發：低成本可撓式射頻辨識標籤晶片
    (2013)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    以氧化物為基礎的電阻式記憶體，薄膜二極體以及薄膜場效電晶體，因為其簡單的結構、不受限於單晶基板的低溫製程、透明、優異的電特性等優點，近來來備受學術界與產業界關注，幾乎目前積體電路上可見的矽電子元件皆可由相對應的氧化物元件來取代，實現所謂的全氧化物積體電路。目前全氧化物積體電路的發展與應用尚在萌芽的階段，深具研究價值與產業佈局的戰略意義，預期將在未來超高密度記憶體、高整合密度的三維堆疊架構、新世代顯示器、可撓式電子、低成本拋棄式晶片的發展上扮演著非常重要的角色。過去三年中，我們研究團隊在國科會的支持下，積極投入此新穎且重要的研究工作，目前在電阻式記憶體，薄膜二極體，薄膜場效電晶體及三維堆疊可撓式電路上皆取得相當成果，為國內極少數具有全氧化物晶片製程整合能力的團隊，放眼國際亦享有領先地位。 本計畫最主要的目的在利用我們過去在氧化物電子元件上的經驗，一方面持續開發適用於軟性基板上的低溫甚至室溫成長的各式氧化物元件，並與美國SEMATECH進行合作交流，SEMATECH為目前先進半導體研究的重要基地與分享平台，這是將我們的研究方向與國際接軌，研究成果推向國際的難得契機。另一方面整合個別元件驗證一低成本可撓式的全氧化物積體電路技術。在諸多可能的電路應用中，本計畫預計以射頻辨識(RFID)標籤晶片為驗證的平台，射頻辨識為目前半導體產業中發展最迅速的領域，近年來利用射頻辨識技術進行大規模之單品追蹤應用，無論在研究或產業應用上都引起了廣泛的興趣，而亟待突破的技術瓶頸為昂貴的標籤晶片，本計畫針對此提出一成長於軟性基板上低成本全氧化物積體電路的解決方案，計畫完成射頻辨識標籤中雙半波整流器、環型振盪器、電阻式記憶體等關鍵電路模組開發，最後整合一包含了天線、電源、邏輯、記憶體等所有功能區塊的測試結構，驗證射頻辨識標籤以低成本可撓式全氧化物電路實現的可行性。
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    Item type:Item,
    全氧化物積體電路開發：低成本可撓式射頻辨識標籤晶片
    (2014)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    以氧化物為基礎的電阻式記憶體，薄膜二極體以及薄膜場效電晶體，因為其簡單的結構、不受限於單晶基板的低溫製程、透明、優異的電特性等優點，近來來備受學術界與產業界關注，幾乎目前積體電路上可見的矽電子元件皆可由相對應的氧化物元件來取代，實現所謂的全氧化物積體電路。目前全氧化物積體電路的發展與應用尚在萌芽的階段，深具研究價值與產業佈局的戰略意義，預期將在未來超高密度記憶體、高整合密度的三維堆疊架構、新世代顯示器、可撓式電子、低成本拋棄式晶片的發展上扮演著非常重要的角色。過去三年中，我們研究團隊在國科會的支持下，積極投入此新穎且重要的研究工作，目前在電阻式記憶體，薄膜二極體，薄膜場效電晶體及三維堆疊可撓式電路上皆取得相當成果，為國內極少數具有全氧化物晶片製程整合能力的團隊，放眼國際亦享有領先地位。 本計畫最主要的目的在利用我們過去在氧化物電子元件上的經驗，一方面持續開發適用於軟性基板上的低溫甚至室溫成長的各式氧化物元件，並與美國SEMATECH進行合作交流，SEMATECH為目前先進半導體研究的重要基地與分享平台，這是將我們的研究方向與國際接軌，研究成果推向國際的難得契機。另一方面整合個別元件驗證一低成本可撓式的全氧化物積體電路技術。在諸多可能的電路應用中，本計畫預計以射頻辨識(RFID)標籤晶片為驗證的平台，射頻辨識為目前半導體產業中發展最迅速的領域，近年來利用射頻辨識技術進行大規模之單品追蹤應用，無論在研究或產業應用上都引起了廣泛的興趣，而亟待突破的技術瓶頸為昂貴的標籤晶片，本計畫針對此提出一成長於軟性基板上低成本全氧化物積體電路的解決方案，計畫完成射頻辨識標籤中雙半波整流器、環型振盪器、電阻式記憶體等關鍵電路模組開發，最後整合一包含了天線、電源、邏輯、記憶體等所有功能區塊的測試結構，驗證射頻辨識標籤以低成本可撓式全氧化物電路實現的可行性。