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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.侯拓宏

Search Results

Now showing 1 - 10 of 26
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    神經網路處理系統
    (2019-01-01)
    侯拓宏
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    張志丞
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    劉仁傑
    本發明提供一種神經網路處理系統，包括至少一突觸，突觸係接收一輸入信號，突觸具有一外部權重值及一內部權重值，內部權重值會經由外部刺激而產生變化，當內部權重值之變化累積至一臨界值時，會同時改變外部權重值，使得輸入信號乘上突觸的外部權重值會產生一權重訊號，一神經元電路係連接突觸，以接收突觸所傳輸的權重訊號，並可計算這些權重訊號以輸出。本發明可以同時加速深度學習中的預測及學習功能，並可實現高精確度且具即時學習能力的硬體神經網路。
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    二維材料的製作方法
    (2018-10-16)
    侯拓宏
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    黃俊宏
    本發明二維材料的製作方法包含以下步驟：於基板上形成具有至少一二維材料元素之薄膜；於薄膜上形成至少一包覆層；於包覆層形成後將薄膜進行退火，以形成二維材料膜。
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    半導體裝置的製造方法
    (2018-07-01)
    侯拓宏
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    潘正聖
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    劉邦軒
    一種包含場效電晶體裝置的半導體裝置，包含基板與在基板上的二維材料所製成的通道結構。多個源極與汲極接觸部分地形成於二維材料上。第一介電層至少部分地形成在通道結構上且至少部分地形成在源極與汲極接觸上。第一介電層用以捕獲多個電荷載子。第二介電層形成於第一介電層上，且閘極電極形成於第二介電層上。
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    三維反或型快閃記憶體及其製造方法
    (2016-07-01)
    侯拓宏
    一種三維反或型快閃記憶體包含多個導電層、多個介電層、多個通道層、多個穿隧隔離層、多個電荷捕捉層、多個電荷阻擋層以及多個閘極電極。多個導電層以及多個介電層交錯配置，以使多個導電層彼此電性隔離。通道層、穿隧隔離層、電荷捕捉層、電荷阻擋層以及閘極電極依序設置於多個導電層以及多個介電層之一側表面，其中，二個相鄰導電層分別作為一電晶體之一源極以及一汲極，並與對應之閘極電極定義一記憶體單元。依據此結構，多個記憶體單元能夠以三維架構配置以提升單位晶片面積之位元密度，且每一記憶體單元能夠定址且存取。
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    二維過渡金屬二硫化物異質結構: 從材料合成、自旋-能谷物理到元件應用
    (2016)
    張文豪
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    侯拓宏
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    國立交通大學電子物理學系（所） 
     
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    低功耗電子神經突觸元件開發與仿生運算硬體加速應用( I )
    (2016)
    侯拓宏
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    蔡嘉明
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所 
     
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    二維層狀過渡金屬硫化物於綠能及可撓式電子之應用
    (2016)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    二維層狀過渡金屬硫化物於綠能及可撓式電子之應用
    (2015)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    今日幾乎所有電子元件皆利用三維(3D)半導體為材料，但自從石墨烯(Graphene)於2004年被發現後，電子元件的設計上有了另一種全新的材料選擇：二維(2D)層狀材料，緊接著石墨烯之後，各式二維層狀材料如氮化硼(BN)，二硫化鉬 (MoS2)、二硫化鎢(WS2)、二硒化鉬(MoSe2)、二硒化鎢 (WSe2)，二硒化鈮(NbSe2)亦被發展出來，這些材料因為本身的低維度特性，產生了許多前所未見的載子傳輸、光學、光電、電子自旋、機械結構等性質，為目前物理及材料界積極研究的重要領域，其中過渡金屬硫化物(Transition Metal Dichalcogenides; TMD)因具備適當能隙，特別適合應用於固態電子元件中。但二維層狀TMD是否能取代或互補現有的三維晶體材料，提供電子元件與電路持續微縮的新動能，目前仍未有定論。本計畫希望在「國科會吳大猷先生紀念獎研究計畫」的鼓勵支持下，建立我們團隊在新穎二維層狀TMD於低功耗綠能及可撓式電子元件應用的研究動能，將基礎科學領域發展出的新材料與物理特性，導入固態電子工程領域應用，改善元件特性與功能性。 本計畫規畫以三年的時間投入包含高性能超薄體電晶體、垂直型穿隧式電晶體(TFET)、與可撓式光感應電晶體等重要固態電子元件開發。過去我們的研究團隊在氧化物薄膜電晶體與可撓式電子元件開發上有豐富的經驗，對我們快速進入此全新領域有很大的助益。我們已與中央研究院原子與分子科學研究所李連忠博士所領導的材料合成團隊建立良好的合作夥伴關係，目前成功地在大面積二硫化鉬與二硒化鎢上製作出具良好特性之n型與p型TMD超薄體電晶體，具有高於六個數量級的電流開關比，在此基礎上，我們將系統性地研究如何提升可應用於未來綠能電子中的TMD超薄體電晶體特性。我們也將研究利用TMD異質接面結構的垂直型穿隧式電晶體，期待能較傳統場效電晶體在功耗與性能上皆有所提升。我們也將利用二維層狀TMD適合移轉至任意基板的優點，開發其在可撓式電子，例如光感應式非接觸互動螢幕等應用。
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    應用於高密度資料儲存記憶體與電子突觸之BiCS 三維電阻式記憶體開發
    (2015)
    侯拓宏
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    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    電阻式記憶體因為高密度、高效能與製程整合上的優越性，近來倍受矚目。除取代傳統記憶體外，其新興的應用領域包含了資料儲存記憶體與電子突觸技術。資料儲存記憶體同時具備高效能與高密度的特性，預期將能取代現有低效能的硬碟與低密度的現有記憶體架構，在未來的高速資訊系統扮演關鍵的角色。電阻式記憶體做為高密度資料儲存記憶體的終極解決方案，首要證明極富競爭力的單位位元成本，因此，成功開發一類似BiCS SONOS的低成本三維垂直記憶體架構非常關鍵。此外，目前以矽電子元件與von Neumann計算架構為基礎的資訊系統，面臨元件尺度微縮不易與低能源效率問題，因此有許多人認為實現如人腦般的仿生資訊系統，才是未來高性能與高效能資訊系統開發上正確的方向，其中最關鍵的技術為利用電阻式記憶體(憶阻器)的特性實現一低功率的電子突觸元件。 過去數年間，我們在交通大學的電阻式記憶體研究團隊迅速地建立了在國內相關研究領域的重要地位，在國際間亦是技術領先的傑出團隊。我們在2011年與2012年共有三篇電阻式記憶體的論文入選IEDM，研究成果深獲肯定。因此我們希望在國科會優秀年輕學者研究計畫的支持下，進行新一階段的前瞻電阻式記憶體研究，此三年計畫主要目標在開發超高密度BiCS 三維電阻式記憶體所需之關鍵製程與元件技術，包含三維電阻式記憶體陣列結構，側壁式奈米等級與具自我選擇特性之非線性電阻式記憶體元件，高密度記憶體陣列電路模擬，元件操作變異性之電性評估、量化物理模型、改善方法，最終驗證其在高密度資料儲存記憶體應用上之潛力。另一方面，整合三維陣列架構與超低能耗(~fJ)電阻式記憶體，突破現有電子突觸與仿神經計算應用上低密度與高能耗的限制。此計畫結合本研究團隊過去在電阻式記憶體開發上，包含製程整合、元件開發、電路模擬、量化物理模型、電性量測等各個面向上的豐富經驗與領先技術，深入探討三維電阻式記憶體在高密度資料儲存記憶體與電子突觸等傳統記憶體元件無法實現之新興應用，無論從科學探索或工程研究的角度皆深具意義。