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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

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    Item type:Item,
    跨國頂尖研究中心-國際頂尖異質整合綠色電子研究中心( IV )
    (2016)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    Item type:Item,
    高頻功率氮化銦鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究
    (2016)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    Item type:Item,
    高頻功率氮化銦鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究
    (2015)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    Item type:Item,
    太陽エネルギ電池のＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成する方法。
    (2010-06-03)
    張翼
    ;
    唐士軒
    ;
    林岳欽
    【課題】ＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成した太陽エネルギ電池を提供する。【解決手段】Ｓｉ基板上での高品質Ｇｅ成長を促進するため、変成ＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層１０３とＳｉ基板１０１との間の接合部における歪緩和を強化するため、Ｓｉ＋をＳｉ基板上へ注入する。更に数個のＧｅｘＳｉ１‐ｘ緩衝層（Ｓｉ／Ｇｅ０．８Ｓｉ０．２／Ｇｅ０．９Ｓｉ０．１／Ｇｅ）１０３～１０５がＵＨＶＣＶＤによりＳｉ基板上部に成長する。低転移密度の純Ｇｅ層がＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層上に成長する。最後に、高効率III－Ｖ太陽電池２０１～２０６がＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層上に成長する。【選択図】図２
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    Item type:Item,
    酸化プラセオジムを備えた誘電体、酸化プラセオジムを備えたトランジスタ及びその製造方法
    (2012-04-19)
    張翼
    ;
    林岳欽
    【課題】酸化プラセオジムの誘電体、酸化プラセオジムを備えたトランジスタ及びその製造方法を提供し、以って半導体素子のリーク電流及び等価酸化物膜厚の過大の問題を解決すること。【解決手段】本発明では、酸化プラセオジムを備えたトランジスタは、少なくとも一つのIII－Ｖ族基板と、一つのゲート誘電層と、一つのゲート電極とを含む。また、III－Ｖ族基板にゲート誘電層が設けられ、ゲート誘電層にゲート電極が設けられ、誘電層は酸化プラセオジム（ＰｒxＯy）である。本発明は、誘電層材料として高誘電率及び高エネルギーギャップを備えた酸化プラセオジム（Ｐｒ6Ｏ11）を用いることにより、リーク電流を有効に抑制する外、更にIII－Ｖ族材料を基板とした素子の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）を薄くさせることもできる。【選択図】図４
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    利用熱回流光阻技術製造奈米級閘極於半導體裝置中之方法
    (2004-11-16)
    張翼
    ;
    李晃銘
    本發明有關一種利用熱回流光阻技術製造奈米級閘極於半導體裝置中之方法，包含下列步驟(i)利用一光阻塗佈機依序旋塗兩層光阻於一基板之上，其中該兩層光阻之一底層光阻係對電子束比較不敏感但解析度較高之一高分子光阻，及該兩層光阻之一頂層光阻係對電子束比較敏感但解析度較低之另一高分子光阻；(ii)藉一熱盤來加熱該兩層光阻，使該兩層光阻硬化；(iii)藉一高加速電壓之電子束微影技術，以直寫方式在該兩層光阻上曝射出形成閘極之光阻圖案；(iv)利用顯影劑及蝕刻劑顯影及蝕刻出該閘極之凹洞；(v)以電子槍蒸鍍技術在該閘極凹洞處鍍上一層金屬層；以及(vi)去除該等光阻以形成閘極，其特徵在於蝕刻出該閘極之凹洞後，以熱盤加熱方式回流該等光阻，透過適當的加熱時間及溫度，使該閘極之凹洞形成所需之奈米級寬度。
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    Item type:Item,
    在矽鍺磊晶片上成長砷化鎵磊晶之方法
    (2005-02-01)
    張翼
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    羅廣禮
    ;
    楊宗
    ;
    張俊彥
    本發明之方法係藉由超高真空化學氣相磊晶法(UHVCVD)於矽晶片上成長矽鍺磊晶，最後再以金屬有機物化學氣相磊晶法(MOCVD)於該鍺薄膜上成長一砷化鎵層。本發明之方法藉由矽鍺磊晶層之缺陷侷限化及利用應變界面阻擋該缺陷之傳遞而降低缺陷密度、總磊晶層之厚度，及表面粗糙度之缺點等。首先，利用標準清洗步驟以潔淨矽晶片，再以HF溶液浸濕及高溫預烘以去除表面之俱生氧化層，隨後以超高真空化學氣相磊晶法(UHVCVD)，於一特定之操作條件下，在矽晶片上成長一層高鍺含量之矽鍺磊晶層(如0.8微米之Si0.1Ge0.9)，利用本層容納大量因晶格失配所產生的線差排於該層底部及界面處。接著，進一步地成長第二或視需要第三層之矽鍺磊晶層(如0.8微米之Si0.05Ge0.95、Si0.05Ge0.98)，以利用所形成的應變界面更能有效地阻擋未湮滅掉而傳遞上去之線差排。然後於該磊晶表面上再成長一純鍺之薄膜。最後，再以金屬有機物化學氣相磊晶法(MOCVD)於該鍺薄膜上成長一砷化鎵磊晶層。
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    Item type:Item,
    砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法
    (2005-01-16)
    李承士
    ;
    張翼
    本發明砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法，係將砷化鎵元件背面金屬化金屬由金改為銅，由於銅的阻值較低，且散熱與機械強度亦較金優異。因此，以銅作為金屬化金屬之元件，可改善元件的散熱、機械強度、導電度，更可增進元件的特性及可靠度。並藉由鎢(W)、氮化鎢(WN)、氮化鈦鎢(TiWN)等薄膜作為擴散阻障層，有效阻擋銅易擴散入砷化鎵基材而改變元件特性之問題。