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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.張翼

Search Results

Now showing 1 - 10 of 136
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    Item type:Item,
    半導體裝置及其製造方法
    (2018-07-01)
    張翼
    ;
    劉世謙
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    黃崇愷
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    吳佳勳
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    韓秉承
    一種半導體裝置，包含：基材、通道層、阻障層、凹槽、電荷陷阱層、鐵電材料、閘極、源極和汲極。通道層配置於基材上；阻障層配置於通道層上，阻障層具有凹槽，且凹槽下方之阻障層具有一厚度；汲極和源極配置於阻障層上；電荷陷阱層覆蓋凹槽的底面；鐵電材料配置於電荷陷阱層上；以及閘極配置於鐵電材料上。
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    Item type:Item,
    高電子遷移率電晶體及其製造方法
    (2016-05-16)
    張翼
    ;
    林岳欽
    ;
    謝廷恩
    本發明提供一種高電子遷移率電晶體，以閘極掘入結構搭配高介電常數氧化層以及氮化物介面鈍化層，具有高臨界電壓、高轉導、高穩定之汲極輸出電流以及高可靠度等特性及優點。
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    Item type:Item,
    跨國頂尖研究中心-國際頂尖異質整合綠色電子研究中心( IV )
    (2016)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    Item type:Item,
    高頻功率氮化銦鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究
    (2016)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    Item type:Item,
    高頻功率氮化銦鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究
    (2015)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
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    Item type:Item,
    閘極堆疊結構及包含其之金屬氧化物半導體元件及閘極堆疊結構之製造方法
    (2015-10-21)
    林岳欽
    ;
    張翼
    ;
    莊庭維
    一種電晶體之閘極堆疊結構，包含：一基板；一半導體層，設置於該基板上；一閘極介電層，設置於該半導體層上，其中該閘極介電層係包含由氧化鑭(La2O3)、氧化鉿(HfO2)及包含氧化鑭/氧化鉿之該半導體層之一上表面層所組成之複合氧化物層；以及一閘極電極層，設置於該閘極介電層上。
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    Item type:Item,
    流量控制器以及流量控制方法
    (2015-09-11)
    成維華
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    張翼
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    鄭時龍
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    王嘉傳
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    施境瑋
    一種具有調整栓塞與開口相對位置以調整流量之流量控制器，其包含：一本體，其相對兩端分別為一第一端和一第二端，該本體具有一第一流道和一第二流道，該第一流道具有一第一管徑，該第二流道具有一第二管徑，該第二管徑係大於該第一管徑，該第一流道貫穿該第一端以形成一第一開口，該第二流道貫穿該第二端以形成一第二開口，該第一流道係藉由一第三開口與該第二流道連通；一栓塞，係設置於該第二流道內；一層流片，係設置於該第二流道內，並固定於該第二流道內壁；以及一伸縮裝置，係設置於該本體內，且分別連接於該層流片以及該栓塞，該伸縮裝置係可伸縮長度；其中，該第二流道係大於該第一流道，該伸縮裝置係藉由伸縮該伸縮裝置，控制該栓塞相對活動該本體內，以調整該栓塞與該第三開口之相對位置，而控制該第三開口之一開口面積，該伸縮裝置係藉由伸縮長度，控制該栓塞相對活動該本體內，以調整該栓塞與該第三開口之相對位置，而控制該第三開口之一開口面積，藉此達到控制該本體內流體流過該開口面積之一流量。
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    Item type:Item,
    增強型氮化鎵電晶體及其形成方法
    (2015-08-21)
    張翼
    ;
    林岳欽
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    王煥中
    一種增強型氮化鎵電晶體，包括：一基板；一異質結構，該異質結構在該基板上，其中該異質結構係由Inx Al1-x n/AlN以及AlGaN/GaN群組中所選出；一p型元素磊晶成長層，p型元素磊晶成長層在該異質結構上；一汲極歐姆接觸及一源極歐姆接觸，該汲極歐姆接觸及該源極歐姆接觸在該異質結構且分別設置在該p型元素磊晶成長層之兩側邊；一閘極結構，該閘極結構在該p型元素磊晶成長層上且與該汲極歐姆接觸及該源極歐姆接觸彼此分離；以及一表面鈍化層，該表面鈍化層包覆該汲極歐姆接觸、該源極歐姆接觸、該p型元素磊晶成長層及覆蓋部份該閘極結構。
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    Item type:Item,
    含氮化鎵之半導體結構
    (2015-04-16)
    張翼
    ;
    黃延儀
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    謝祈峰
    一種含氮化鎵之半導體結構的形成方法，包括提供基板、將成核層(nucleation layer)形成在基板上、將擴散阻擋層(diffusion blocking layer)形成在成核層上、將應力釋放層(strain relief layer)形成在擴散阻擋層上以及將半導體層形成在應力釋放層上，其中擴散阻擋層係形成在成核層上而可以防止雜質向基板擴散的向外擴散效應發生。 A method for forming a GaN-containing semiconductor structure is provided. The method includes a substrate is provided, a nucleation layer is formed above the substrate, a diffusion blocking layer is formed above the nucleation layer, a strain relief layer is formed above the diffusion blocking layer, and a semiconductor layer is formed above the stain relief layer, in which the diffusion blocking layer is deposited on the nucleation layer such that the diffusion blocking layer can prevent the impurities out-diffusion from the substrate.