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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.謝漢萍Has files: Yes

Search Results

Now showing 1 - 10 of 40
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    Item type:Item,
    軟性液晶透鏡陣列
    (2018-08-01)
    任台翔
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    黃乙白
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    楊柏儒
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    邱景燊
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    劉貴師
    一種軟性液晶透鏡陣列，可應用於近眼顯示器，其包括有兩軟性基板、第一軟性透明電極層、軟性液晶層、以及第二軟性透明電極層，軟性液晶層設置於兩軟性透明電極層之間，且具有軟性間隙物層來容置液晶，而兩軟性透明電極層係藉由軟性奈米金屬線構成電極，來提供更好的電極撓曲性並確保撓曲時的導電性，因此，可將習知的剛性液晶透鏡陣列轉變成軟性陣列，增大視場和提高沉浸感、減少光學修正。
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    Item type:Item,
    雙色場之色序影像系統及其方法
    (2015-12-01)
    黃乙白
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    張綺文
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    林芳正
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    謝漢萍
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    高盟超
    一種雙色場之色序影像方法，包含：對一輸入彩色影像中複數種色彩所佔比重進行分析排序，其中比重最重的色彩為一第一色彩，比重居中的色彩為一第二色彩，比重最輕的色彩則為一第三色彩；以該第一色彩以及該第三色彩為依據，形成一第一色場影像；以及以該第二色彩以及該第三色彩為依據，形成一第二色場影像。
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    Item type:Item,
    具紫外光吸收層之薄膜電晶體
    (2015-09-11)
    謝漢萍
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    劉柏村
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    蔡韻竹
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    蔡旻諺
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    鄧立峯
    一種薄膜電晶體，包括：一透明基板：一閘極，該閘極設置於該透明基板上，其中該閘極之材料係由銦錫氧化物(ITO,Indium tin oxide)、銦鋅氧化物(IZO,indium zinc oxide)，摻雜鋁之氧化鋅(AZO,Al-doped ZnO)，銅(Cu)，銀(Ag)，鋁(Al)以及鉬(Mo)所組成之族群中所選出；一閘絕緣層，該閘絕緣層設置在該閘極上及該透明基板上，其中該閘絕緣層之材料係由氧化鉬鋅(Mo-Zn-O)以及氧化鋯鋅(ZrZnO)所組成之族群中所選出；一半導體主動層，該半導體主動層設置在該閘絕緣層上，其中該半導體主動層之材料係由氧化鋅(ZnO)，氧化銦(In2 O3 )，ZTO，IGO，IZTO，AZTO以及HIZO所組成之族群中所選出；一電極層，該電極層設置在該半導體主動層上且曝露出部份該半導體主動層，其中該電極層之材料係由銦錫氧化物(ITO,Indium tin oxide)，銦鋅氧化物(IZO,indium zinc oxide)，摻雜鋁之氧化鋅(AZO,Al-doped ZnO)，銅(Cu)，銀(Ag)，鋁(Al)以及鉬(Mo)所組成之族群中選出；以及一紫外光吸收層，設置在該半導體主動層上，其中該紫外光吸收層係由氧化鉬鋅(Mo-Zn-O)以及氧化鋯鋅(ZrZnO)所組成之族群中所選出。
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    Item type:Item,
    色序型液晶顯示器的色彩顯示方法
    (2015-01-01)
    林芳正
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    黃乙白
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    張綺文
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    謝漢萍
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    蔡繼中
    本發明揭示一種色序型液晶顯示器的色彩顯示方法，其藉由提升綠色背光開啟的頻率，來改善色分離的問題，並且在過驅動方式上，根據目標顏色的顏色屬性，來選擇參考紅色像素或參考藍色像素，藉而決定對應綠色色場的過驅動值，作為實際要輸出到顯示器螢幕的綠色訊號值，藉此能夠改善色偏移的問題。
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    Item type:Item,
    具紫外光吸收層之薄膜電晶體
    (2014-12-16)
    謝漢萍
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    劉柏村
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    蔡韻竹
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    蔡旻諺
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    鄧立峯
    一種薄膜電晶體，其包括透明基板、閘極設置於透明基板上、閘極絕緣層設置於閘極及透明基板上、半導體主動層設置於閘絕緣層上、電極層與半導體層藉由電力接觸且曝露出部份的半導體主動層以及紫外光吸收層設置於半導體主動層上，藉由紫外光吸收層在可見光的範圍之光穿透率及其具備保護元件不受外界水氣氧化而影響光電特性之優點，並且藉由薄膜沉積的過程中調整參數來改變其導電度，可降低照光後元件轉移特性曲線變動的光敏感度，並且可穩定啟始電壓使其在一定的範圍內進行操作。
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    Item type:Item,
    磁光式之近場光學光儲存元件
    (2006-08-21)
    徐文祥
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    謝漢萍
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    孫翊庭
    本發明係提供一種磁光式之近場光學光儲存元件，係先利用犧牲層製作空氣軸承結構；再定義一初始小孔，並以電鍍法縮小該孔至奈米等級，再以兩次之厚膜光阻層配合兩次電鍍製程，製作高深寬比之金屬線圈結構與金屬內連線；可有效利用面積與降低電阻，最後利用微影製程中對不同區域的不同曝光量控制，定義單層光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之結構，接著配合回流(reflow)即可利用一連續製程製作出結合超半球固態浸沒式透鏡(solid immersion lens)、奈米微孔、金屬線圈、空氣軸承之磁光(MO)讀取頭，而不需精密昂貴的設備，並可批次大量生產，免去組裝的步驟，並且不用高精密度之儀器即可製作，達到高資料儲存與複寫。
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    Item type:Item,
    發光二極體裝置以及其製造方法
    (2009-06-21)
    鄭裕國
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    陳勇智
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    謝漢萍
    本發明提供一種發光二極體裝置及其製造方法。根據本發明之發光二極體裝置能用以穩固地安裝至少一發光二極體,並且維持該至少一發光二極體之電性導通。此外,該發光二極體裝置包含一基板、一容置結構、一固定結構以及複數個電極。該容置結構形成於該基板上,用以容納該固定結構以及該至少一發光二極體。該固定結構,設置於該容置結構中,用以固定該至少一發光二極體。該複數個電極係用以將該至少一發光二極體電連接至一電源及/或一信號源。更重要地,該容置結構係一插座狀結構或一凹槽狀結構。
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    Item type:Item,
    主動式可調變電流之薄膜電晶體結構
    (2010-01-01)
    林彥仲
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    黃建智
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    楊佳峰
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    王俊雄
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    謝漢萍
    本發明係為一主動式可調變電流之薄膜電晶體電路結構，特別是應用在主動式發光元件與其顯示陣列面板的畫素電路。本發明結構包括電流源、資料線、掃描線、直流電壓訊號線、複數儲存電容、複數開關電晶體與一驅動電晶體。其中複數儲存電容形成串聯結構，其功能為畫素電路由開啟期間轉為關閉期間時，其中一儲存電容因負回授效應而使得該等儲存電容間的節點的電位下降，進而使得流經發光元件之電流下降，以實現電流調變功能。複數開關電晶體功能為開關功能，以作為控制該電流源之電流方向。 An active TFT circuit structure with current scaling function is disclosed, which includes a current source, a data line, a scan line, a direct current voltage source, capacitors and four transistors, wherein the capacitors form a cascade structure. During the ON－state, the two of the transistors are turn－on based on the voltage provided by the scan line, so that the data current provided by the current source flows the data line and the transistor which is one of the opened transistors, thereby arriving an emitting light element and the transistor connected to the emitting light element. When the pixel circuit changes from ON－to OFF－state, the potential of the node between the storage capacitors reduces due to the feed－through effect of one of storage capacitor, thereby reducing the driving current of the emitting light element. Therefore, it can be achieved the current scaling function. 【創作特點】 本發明之第一目的係在提供一種可調變電流之薄膜電晶體電路及其應用之顯示裝置，俾能縮短上述習知技藝中發光元件的反應時間延遲。 本發明之第二目的係在提供一種可調變電流之薄膜電晶體電路及其應用之顯示裝置，俾能補償驅動電晶體因時間衰退的特性變化。 本發明之第三目的係在提供一種可調變電流之薄膜電晶體電路及其應用之顯示裝置，俾能維持畫素開口率不變。 如「第3圖a」所示，本發明係為主動式可調變電流之薄膜電晶體電路結構，特別是應用在主動式發光元件與其顯示陣列面板的畫素電路。本發明結構包括畫素電路複數開關電晶體304、307、308；一驅動電晶體306、複數儲存電容303、305以及一發光元件302。 結構連接方式為第一開關電晶體307之閘極與第二開關電晶體304之閘極電性連接，且第一開關電晶體307與第二開關電晶體304之閘極並與一掃描線309電性連接，第一開關電晶體307之第一端與第二開關電晶體304之第一端係與一資料線310電性連接。第三開關電晶體308分別與一直流電壓訊號線312及第四驅動電晶體306之第一端電性連接，其中第四驅動電晶體306之第二端與一發光元件302電性連接。第一儲存電容303之一端係接地，且其另一端與該第四驅動電晶體306之閘極電性連接。第二儲存電容305之一端係與該第一開關電晶體307及第二開關電晶體304之閘極電性連接，且其另一端分別與該第一儲存電容303之一端及該第四驅動電晶體306之閘極電性連接。 依據本發明之特色，係為顯示器之畫素電路於啟動期間，該二個開關電晶體304、307依據掃描線309所提供之電壓而被啟動，以使得資料電流流經第四驅動電晶體306與發光元件302，當畫素電路由啟動期間轉為關閉期間時，第二儲存電容305產生一負回授效應，以使得第一儲存電容303與第二儲存電容305之間的電位下降，進而使得流經發光元件302之電流下降。故可在啟動期間，以大驅動電流充滿儲存電容303、305，以縮短發光元件302的反應時間，在關閉期間以較小的驅動電流來顯示灰階影像，以達成本發明的第一目的。 依據本發明之又一特色，係為係提供一種主動式可調變電流之薄膜電晶體結構。本發明可補償驅動電晶體306因時間衰退的特性變化，其原理為公式(1)並說明如下：經過發光元件302電流I＝(μCox W/2L)(VGS－VTH) 2 (1)公式(1)中，驅動電晶體306之μ為場效遷移率，COX為驅動電晶體306之單位面積電容值，W和L為驅動電晶體306之寬度與長度，VGS為驅動電晶體306之閘極與發光元件302之陽極電位差值，VTH為驅動電晶體306之截止電位。當驅動電晶體306截止電位改變時，資料訊號線310將調變第一儲存電容303和第二儲存電容305的電荷數，使驅動電晶體306之閘極電位提高，保持(VGS－VTH)與經過發光元件302電流不變，則可穩定驅動電流，達成本發明的第二目的。 依據本發明之又一特色，係提供一種主動式可調變電流之薄膜電晶體結構。在開關電晶體304、307、308和驅動電晶體306幾何尺寸不變，且儲存電容值固定，藉由調變第一儲存電容303和第二儲存電容305之電容值大小，可得一適當的電流調變比例，使整體開口率維持不變，以達成本發明的第三目的。
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    Item type:Item,
    液晶立體顯示裝置
    (2012-08-11)
    陳政寰
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    黃乙白
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    謝漢萍
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    莊尚智
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    吳其霖
    一種液晶立體顯示裝置的結構，包括：在上表面具有複數個次畫素的第一基板，每個次畫素包括：開關元件、儲存電容，以及設於次畫素角落之透光區；下表面有相對於次畫素的複數個濾光區的第二基板；夾置於第一基板上表面以及第二基板下表面之間的液晶層；以及斜向遮罩設置於第二基板外側，由斜向遮罩出至少一個次畫素之全部透光區以及鄰接次畫素之全部儲存電容。
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    Item type:Item,
    液晶透鏡及其製造方法
    (2013-10-21)
    廖凌嶢
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    黃乙白
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    林裕閔
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    謝漢萍
    本發明係揭露一種液晶透鏡及其製造方法，其包含一第一基板、一第一電極、一第一配向層、一液晶層、一第二配向層、一電場均化層、至少一第二電極、一第三電極及一第二基板。第一電極設於第一基板上，第一配向層設於第一電極上，液晶層設於第一配向層上，第二配向層設於液晶層上，電場均化層設於第二配向層上，第二電極及第三電極設於電場均化層上，且第三電極設於第二電極之間。第二基板則設於第二電極及第三電極上。其中第三電極係配合第二電極產生電場梯度，並藉由電場均化層均勻影響液晶層，使液晶達到快速聚焦的效果。