<link rel="stylesheet" href="styles.cf390c6bfbe7555f.css">

學術出版;;Publications

Permanent URI for this communityhdl:11536/1

收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

Browse

Filters

2007 - 200972010 - 201825

Settings

🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.CHANG EDWARD YIHas files: No

Search Results

Now showing 1 - 10 of 32
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
    (2018-06-21)
    CHANG EDWARD YI
    ;
    LIU SHIH-CHIEN
    ;
    HUANG CHUNG-KAI
    ;
    WU CHIA-HSUN
    ;
    HAN PING-CHENG
    A semiconductor device includes a substrate, a channel layer, a barrier layer, a recess, a charge trapping layer, a ferroelectric material layer, a gate, a source and a drain. The channel layer is disposed on the substrate. The barrier layer is disposed on the channel layer. The barrier layer has a recess, and a portion of the barrier layer under the recess has a thickness. The source and the drain are disposed on the barrier layer. The charge trapping layer covers the bottom of the recess. The ferroelectric material is disposed on the charge trapping layer. The gate is disposed on the ferroelectric material.
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    跨國頂尖研究中心-國際頂尖異質整合綠色電子研究中心( IV )
    (2016)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    高頻功率氮化銦鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究
    (2016)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    高頻功率氮化銦鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體技術開發與研究
    (2015)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系（所）
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    電流截止頻率大於500GHz之砷化銦通道高電子遷移率電晶體其製作與高速邏輯應用之評估
    (2008)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    過去四十年元件線寬的微縮一直是Si 半導體提升元件特性最直接也最有效的方 法，但是最近幾年碰到了幾個難以克服的問題。而這些問題難以解決的原因在於矽半導 體本身材料特性的限制。因此導入新的高載子遷移率材料，如砷化鎵等三五族半導體， 被視為下一個世代提升元件特性最有效的方法之一。矽電晶體之物理閘極線寬目前為90 奈米，下一階段約為50 奈米世代，預計於2011 年，電晶體的尺度約為10 奈米，已經 接近半導體製程上的物理極限。在此線寬下使用具有較高電子遷移率特性的三五族材料 被視為延伸莫爾定律的解決方案之一。 本計畫的主要目的是製作電流截止頻率(fT)高於500GHz 的電晶體，將使用閘極線 寬為40 奈米與超高電子遷移率的砷化銦(InAs)為通道材料。評估其操作在超高頻率時， 應用於超低消耗功率、高速邏輯電晶體之可行性。砷化銦材料的優點在於電子在此材料 內移動時有極高的電子遷移率，而且在較低電壓時就可以獲得相當大的驅動電流。因此 只要使用砷化銦為通道層材料，就可以有效提高電子遷移率以及電子浮移速度，使得元 件操作更快速更高頻而且具有更好的特性。此外還可以使元件在較低電壓下操作，將可 以大幅降低電晶體的消耗功率，達到超低電壓、超低功率的操作需求。此外，將配合本 實驗室砷化鎵完整的製程線，可製作出操作在超高頻率、超低電壓之數位邏輯積體電路。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    超高效率III-V太陽能晶片之研究
    (2008)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    整合三五族超高電子遷移率量子電晶體結構於矽基板之研究
    (2008)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    最近美國Intel公司，積極從事III-V/Si整合的研究，因此三五族材料異質介面成長於矽基板上，再度成為半導體矚目的焦點，因為它整合矽與三五族元件的製程平台，矽電晶體之物理閘極線寬在目前90奈米世代，下階段約為50奈米世代，預計於2011年，電晶體的尺度約為10奈米，為了能夠延伸莫爾定律，整合化合物半導體材料於矽的互補式金氧半場效電晶體元件（CMOS）上是一個解決方式，三五族材料本身具備有很高的電子遷移率特性、寬能隙與直接能隙。然而矽也有許多優點相較於三五族材料，例如大面積的整合、高品質二氧化矽絕緣層與較高的熱導性等。在未來小於35奈米世代元件研究方向，異質磊晶材料整合將是重要趨勢，磊晶結構設計與成長將是未來半導體研究上極為關鍵的一環。 本計劃之主要目的，即在矽基板上，成長高速之三五族磊晶結構，在本研究中將透過矽鍺變質緩衝層，成長三五族材料於矽基板上。本實驗室在此方面研究已經有相當的基礎，利用鍺/矽鍺變質緩衝層結構可以解決矽與砷化鎵的熱膨脹與晶格差異，因此可在此緩衝層上，成長以砷化鎵或磷化銦為主的三五族量子井元件的結構，此類成長於矽基板上之三五族高速元件，將可應用於未來低功率高速邏輯線路上。本計劃將利用超高真空化學氣相沈積法成長矽鍺變質層，而以分子束磊晶法或MOCVD成長三五族高遷移率通道結構。三五族元件結構，將包含InGaAs，InAs為通道的高速元件，新穎的矽基板及緩衝層設計，結合三五族超高速量子井元件結構設計，極適合用於下世代低功率邏輯線路元件技術的應用。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    在矽基板整合40奈米三五族與鍺量子井場效電晶體作為低功率與高速無線之應用(I)
    (2009)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    矽半導體技術，發展至30 奈米已面臨瓶頸，需有高載子遷移率材料加入，以使技 術得以持續發展，三五量子井場效電晶體或稱調變摻雜場效電晶體為現今所知速度最快 之場效電晶體，具有高速、低功率特性，但因為三五族材料之低電洞遷移率使其無法製 作互補的結構，本計畫即利用高電洞遷移率鍺通道與高電子遷移率的三五材料透過矽鍺 緩衝層成長在矽晶片來解決此問題。 在本計畫，三五n 型元件將利用矽鍺與砷化銦鋁假晶緩衝層成長在矽基板，通道 將採用砷化銦鎵，n 型施體層將使用砷化銦鋁。P 型元件將會製作在釋放應力矽鍺緩衝 層，電洞提供層將使用矽、矽鍺或砷化鎵。 本研究將整合材料成長、新穎元件結構、元件製造技術、發展三五族鍺通道量子 井電晶體，作為發展新世代半導體技術，作為高速數位與超高頻寬微波連線應用。此 一元件將可應用在220 GHz 無線的通訊與光纎通信系統。此外本計畫發展之量子井元 件更可整合在22 奈米以下CMOS 技術作為低功率晶片無線互連之應用，將為下世代 晶片信號連結展開新的一頁。 施敏教授，張俊彥教授，美國英代爾半導體Dr. Robert Chau，日本工學大學Prof. Hiroshi Iwai 與瑞典查默爾大學Prof. Herbert Zirath 等世界知名專家將參與本學術卓越 計畫之執行及技術顧問。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    電流截止頻率大於500GHz之砷化銦通道高電子遷移率電晶體其製作與高速邏輯應用之評估
    (2009)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    過去四十年元件線寬的微縮一直是Si 半導體提升元件特性最直接也最有效的方 法，但是最近幾年碰到了幾個難以克服的問題。而這些問題難以解決的原因在於矽半導 體本身材料特性的限制。因此導入新的高載子遷移率材料，如砷化鎵等三五族半導體， 被視為下一個世代提升元件特性最有效的方法之一。矽電晶體之物理閘極線寬目前為90 奈米，下一階段約為50 奈米世代，預計於2011 年，電晶體的尺度約為10 奈米，已經 接近半導體製程上的物理極限。在此線寬下使用具有較高電子遷移率特性的三五族材料 被視為延伸莫爾定律的解決方案之一。 本計畫的主要目的是製作電流截止頻率(fT)高於500GHz 的電晶體，將使用閘極線 寬為40 奈米與超高電子遷移率的砷化銦(InAs)為通道材料。評估其操作在超高頻率時， 應用於超低消耗功率、高速邏輯電晶體之可行性。砷化銦材料的優點在於電子在此材料 內移動時有極高的電子遷移率，而且在較低電壓時就可以獲得相當大的驅動電流。因此 只要使用砷化銦為通道層材料，就可以有效提高電子遷移率以及電子浮移速度，使得元 件操作更快速更高頻而且具有更好的特性。此外還可以使元件在較低電壓下操作，將可 以大幅降低電晶體的消耗功率，達到超低電壓、超低功率的操作需求。此外，將配合本 實驗室砷化鎵完整的製程線，可製作出操作在超高頻率、超低電壓之數位邏輯積體電路。