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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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2008 - 20093

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.CHANG EDWARD YISubject: search.filters.subject.InAs

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    Item type:Item,
    電流截止頻率大於500GHz之砷化銦通道高電子遷移率電晶體其製作與高速邏輯應用之評估
    (2008)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    過去四十年元件線寬的微縮一直是Si 半導體提升元件特性最直接也最有效的方 法，但是最近幾年碰到了幾個難以克服的問題。而這些問題難以解決的原因在於矽半導 體本身材料特性的限制。因此導入新的高載子遷移率材料，如砷化鎵等三五族半導體， 被視為下一個世代提升元件特性最有效的方法之一。矽電晶體之物理閘極線寬目前為90 奈米，下一階段約為50 奈米世代，預計於2011 年，電晶體的尺度約為10 奈米，已經 接近半導體製程上的物理極限。在此線寬下使用具有較高電子遷移率特性的三五族材料 被視為延伸莫爾定律的解決方案之一。 本計畫的主要目的是製作電流截止頻率(fT)高於500GHz 的電晶體，將使用閘極線 寬為40 奈米與超高電子遷移率的砷化銦(InAs)為通道材料。評估其操作在超高頻率時， 應用於超低消耗功率、高速邏輯電晶體之可行性。砷化銦材料的優點在於電子在此材料 內移動時有極高的電子遷移率，而且在較低電壓時就可以獲得相當大的驅動電流。因此 只要使用砷化銦為通道層材料，就可以有效提高電子遷移率以及電子浮移速度，使得元 件操作更快速更高頻而且具有更好的特性。此外還可以使元件在較低電壓下操作，將可 以大幅降低電晶體的消耗功率，達到超低電壓、超低功率的操作需求。此外，將配合本 實驗室砷化鎵完整的製程線，可製作出操作在超高頻率、超低電壓之數位邏輯積體電路。
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    Item type:Item,
    在矽基板整合40奈米三五族與鍺量子井場效電晶體作為低功率與高速無線之應用(I)
    (2009)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
    ;
    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    矽半導體技術，發展至30 奈米已面臨瓶頸，需有高載子遷移率材料加入，以使技 術得以持續發展，三五量子井場效電晶體或稱調變摻雜場效電晶體為現今所知速度最快 之場效電晶體，具有高速、低功率特性，但因為三五族材料之低電洞遷移率使其無法製 作互補的結構，本計畫即利用高電洞遷移率鍺通道與高電子遷移率的三五材料透過矽鍺 緩衝層成長在矽晶片來解決此問題。 在本計畫，三五n 型元件將利用矽鍺與砷化銦鋁假晶緩衝層成長在矽基板，通道 將採用砷化銦鎵，n 型施體層將使用砷化銦鋁。P 型元件將會製作在釋放應力矽鍺緩衝 層，電洞提供層將使用矽、矽鍺或砷化鎵。 本研究將整合材料成長、新穎元件結構、元件製造技術、發展三五族鍺通道量子 井電晶體，作為發展新世代半導體技術，作為高速數位與超高頻寬微波連線應用。此 一元件將可應用在220 GHz 無線的通訊與光纎通信系統。此外本計畫發展之量子井元 件更可整合在22 奈米以下CMOS 技術作為低功率晶片無線互連之應用，將為下世代 晶片信號連結展開新的一頁。 施敏教授，張俊彥教授，美國英代爾半導體Dr. Robert Chau，日本工學大學Prof. Hiroshi Iwai 與瑞典查默爾大學Prof. Herbert Zirath 等世界知名專家將參與本學術卓越 計畫之執行及技術顧問。
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    Item type:Item,
    電流截止頻率大於500GHz之砷化銦通道高電子遷移率電晶體其製作與高速邏輯應用之評估
    (2009)
    張翼
    ;
    CHANG EDWARD YI
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    國立交通大學材料科學與工程學系(所)
    過去四十年元件線寬的微縮一直是Si 半導體提升元件特性最直接也最有效的方 法，但是最近幾年碰到了幾個難以克服的問題。而這些問題難以解決的原因在於矽半導 體本身材料特性的限制。因此導入新的高載子遷移率材料，如砷化鎵等三五族半導體， 被視為下一個世代提升元件特性最有效的方法之一。矽電晶體之物理閘極線寬目前為90 奈米，下一階段約為50 奈米世代，預計於2011 年，電晶體的尺度約為10 奈米，已經 接近半導體製程上的物理極限。在此線寬下使用具有較高電子遷移率特性的三五族材料 被視為延伸莫爾定律的解決方案之一。 本計畫的主要目的是製作電流截止頻率(fT)高於500GHz 的電晶體，將使用閘極線 寬為40 奈米與超高電子遷移率的砷化銦(InAs)為通道材料。評估其操作在超高頻率時， 應用於超低消耗功率、高速邏輯電晶體之可行性。砷化銦材料的優點在於電子在此材料 內移動時有極高的電子遷移率，而且在較低電壓時就可以獲得相當大的驅動電流。因此 只要使用砷化銦為通道層材料，就可以有效提高電子遷移率以及電子浮移速度，使得元 件操作更快速更高頻而且具有更好的特性。此外還可以使元件在較低電壓下操作，將可 以大幅降低電晶體的消耗功率，達到超低電壓、超低功率的操作需求。此外，將配合本 實驗室砷化鎵完整的製程線，可製作出操作在超高頻率、超低電壓之數位邏輯積體電路。