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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

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    以過渡金屬氧化物為基礎的新世代非揮發性電阻式記憶體
    (2008)
    侯拓宏
    ;
    Hou Tuo-Hung
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    傳統的浮動閘極元件於40奈米以下非揮發性記憶體的應用上預期將遇到很大的障礙，而在眾多新世代記憶體技術中，以過渡金屬氧化物 (TMO) 為基礎的電阻式記憶體 (RRAM) ，利用簡單的兩極記憶單元、三維堆疊與多位準架構，是最具潛力實現兆位元級的超高密度非揮發性記憶體技術，然而在實際運用上仍有許多關鍵問題需要被解決，例如對阻質切換機制缺乏全面的瞭解、重置電流的持續降低、重複覆寫過程中的高變異性、及利用於1D1R架構中的高性能氧化物二極體的開發等等，本計畫中將針對上述當前RRAM技術的發展瓶頸做一深入與完整的探討。 我們將以雙層、複合層、雜質摻雜、梯度組成的不同TMO結構來有效控制氧原子缺陷的分佈，以導電性原子力顯微鏡與歐傑電子能譜儀，對局部絲狀傳導路徑的形成與破裂做最直接的觀察，並搭配電子自旋共振能譜儀對電性活化缺陷的分析，預期將可以對TMO 與金屬電極間的介面層在RRAM切換機制上所扮演的關鍵角色有更深一層的瞭解。同時我們也將調變異質的氧化物介面以及金屬與氧化物間的蕭基能障，開發出一能與單極切換特性RRAM搭配的高順向電流、高開關比的氧化物二極體。另一方面，我們將以電遷移及氧化層崩潰理論為基礎，瞭解在高電場、高電流、高溫的情況之下，在異質的金屬/TMO介面上，離子和電子間複雜的交互作用與移動，並以此建立一量化的RRAM物理模型，做為日後持續改建元件特性的藍圖。
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    以過渡金屬氧化物為基礎的新世代非揮發性電阻式記憶體
    (2009)
    侯拓宏
    ;
    Hou Tuo-Hung
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    傳統的浮動閘極元件於40奈米以下非揮發性記憶體的應用上預期將遇到很大的障礙，而在眾多新世代記憶體技術中，以過渡金屬氧化物 (TMO) 為基礎的電阻式記憶體 (RRAM) ，利用簡單的兩極記憶單元、三維堆疊與多位準架構，是最具潛力實現兆位元級的超高密度非揮發性記憶體技術，然而在實際運用上仍有許多關鍵問題需要被解決，例如對阻質切換機制缺乏全面的瞭解、重置電流的持續降低、重複覆寫過程中的高變異性、及利用於1D1R架構中的高性能氧化物二極體的開發等等，本計畫中將針對上述當前RRAM技術的發展瓶頸做一深入與完整的探討。 我們將以雙層、複合層、雜質摻雜、梯度組成的不同TMO結構來有效控制氧原子缺陷的分佈，以導電性原子力顯微鏡與歐傑電子能譜儀，對局部絲狀傳導路徑的形成與破裂做最直接的觀察，並搭配電子自旋共振能譜儀對電性活化缺陷的分析，預期將可以對TMO 與金屬電極間的介面層在RRAM切換機制上所扮演的關鍵角色有更深一層的瞭解。同時我們也將調變異質的氧化物介面以及金屬與氧化物間的蕭基能障，開發出一能與單極切換特性RRAM搭配的高順向電流、高開關比的氧化物二極體。另一方面，我們將以電遷移及氧化層崩潰理論為基礎，瞭解在高電場、高電流、高溫的情況之下，在異質的金屬/TMO介面上，離子和電子間複雜的交互作用與移動，並以此建立一量化的RRAM物理模型，做為日後持續改建元件特性的藍圖。
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    以過渡金屬氧化物為基礎的新世代非揮發性電阻式記憶體
    (2010)
    侯拓宏
    ;
    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    傳統的浮動閘極元件於40奈米以下非揮發性記憶體的應用上預期將遇到很大的障礙，而在眾多新世代記憶體技術中，以過渡金屬氧化物 (TMO) 為基礎的電阻式記憶體 (RRAM) ，利用簡單的兩極記憶單元、三維堆疊與多位準架構，是最具潛力實現兆位元級的超高密度非揮發性記憶體技術，然而在實際運用上仍有許多關鍵問題需要被解決，例如對阻質切換機制缺乏全面的瞭解、重置電流的持續降低、重複覆寫過程中的高變異性、及利用於1D1R架構中的高性能氧化物二極體的開發等等，本計畫中將針對上述當前RRAM技術的發展瓶頸做一深入與完整的探討。 我們將以雙層、複合層、雜質摻雜、梯度組成的不同TMO結構來有效控制氧原子缺陷的分佈，以導電性原子力顯微鏡與歐傑電子能譜儀，對局部絲狀傳導路徑的形成與破裂做最直接的觀察，並搭配電子自旋共振能譜儀對電性活化缺陷的分析，預期將可以對TMO 與金屬電極間的介面層在RRAM切換機制上所扮演的關鍵角色有更深一層的瞭解。同時我們也將調變異質的氧化物介面以及金屬與氧化物間的蕭基能障，開發出一能與單極切換特性RRAM搭配的高順向電流、高開關比的氧化物二極體。另一方面，我們將以電遷移及氧化層崩潰理論為基礎，瞭解在高電場、高電流、高溫的情況之下，在異質的金屬/TMO介面上，離子和電子間複雜的交互作用與移動，並以此建立一量化的RRAM物理模型，做為日後持續改建元件特性的藍圖。
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    異質整合分子/矽電子元件：高電荷密度與電致變色分子浮動閘極記憶體之開發
    (2011)
    侯拓宏
    ;
    Hou Tuo-Hung
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    異質整合分子/矽電子元件充分利用分子電子bottom-up與矽電子top-down的互補特性，是固態電子領域未來重要且新穎的研究方向，在浮動閘極非揮發性記憶體的應用上，我們過去成功地透過一非接觸式的矽積體電路-分子接面，對整合於固態元件內的分子氧化還原能態做出精確的控制，我們也成功地驗證一分子共振穿隧能障，改善記憶體寫入/保存時間的非對稱性，目前在異質整合元件的研究上，我們在國際間享有領先的地位，上述相關結果在Nature與IEEE Spectrum上皆以專文的方式被深入的報導。 豐富的分子特性與分子工程技術提供給我們在未來異質整合元件發展上無限的可能，建立在我們過去扎實的基礎上，本計畫最主要的目的在利用更多樣性的分子種類與氧化還原特性，以分子浮動閘極提升固態記憶體的效能與功能，例如negative-U分子因獨特的電子-聲子交互作用，儲存二個電子往往比儲存一個容易，能有效增加分子浮動閘極的電荷儲存量，改善元件的微縮能力。電致變色分子在不同氧化還原狀態下有明顯的著色現象，不但可作為一固態非揮發性記憶體，亦可作為一具有非揮發性影像儲存功能的顯示器，在未來電子紙的應用上非常具有潛力。本計畫預計研究主題包含：不同的control oxide介電層材料對分子氧化還原能態的影響。深入了解介面能態在異質整合元件中所扮演的關鍵角色。探討鑭系metallofullerene與染料分子ex-TTF獨特的negative-U特性與在高電荷密度異質浮動閘極元件上的應用。以電致變色viologen分子作為浮動閘極，開發新非揮發性影像儲存元件等。