<link rel="stylesheet" href="styles.cf390c6bfbe7555f.css">

學術出版;;Publications

Permanent URI for this communityhdl:11536/1

收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

Browse

🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.LEE CHIEN-PINGHas files: No

Search Results

Now showing 1 - 10 of 40
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    銻化物半導體中紅外線偵測器與雷射之研發與應用( III )
    (2015)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    異質接面電晶體的安全操作範圍研究( III )
    (2015)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    半導體量子光電元件之研究---中加合作案(II)
    (2000)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    國立交通大學電子工程學系
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    銻化物基材之量子結構及元件
    (2008)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    近年來，半導體奈米結構及量子元件儼然已成為一個主要的研究課題，分子束磊晶 系統中已經可已成長出各式各樣化的自組式奈米結構，基於其完美之磊晶界面，可使得 物理研究及元件應用上得到良好的成果，然而過去這些元件大部分是使用砷及磷的三五 族化合物半導體結構，此種結構皆屬於第一類異質界面結構，也就是電子及電洞都被侷 限於量子結構中。但是另一種五族元素—銻，因為其晶格常數較一般常見之砷化鎵及磷 化銦基板來的大，所以過去較少被使用於三五族化合物半導體中。 銻化合物半導體具有較大的能隙變化範圍，因此使得它在長波長的光電元件應用中 具有重要的地位，其中銻化銦則具有目前已知之化合物半導體中最大的電子遷移率。此 種元素除了具有較大之能隙變化範圍外，它與其他化合物半導體（如：砷化鎵、磷化銦） 的異質界面，則屬於第二類或是第三類異質界面結構，此種特殊之異質界面可以變化出 很多有趣的物理研究及元件應用，且此種特性僅見於銻元素的化合物半導體中。 在我們的計畫中，我們計畫成長銻化鎵及銻化銦奈米結構於砷化鎵基板上，並研究 其光學及電子遷移特性。在此種第二類異質界面結構之量子點中，電洞是被侷限於價帶 之量子結構中，而電子則是因為電洞之庫倫作用力而分佈於此奈米結構周圍。我們近期 的研究中發現，在此種小尺寸的量子結構中，其依然具有良好的光響應強度，如此我們 便可以將此奈米結構應用於元件中。另外，我們實驗室也架設了一套低溫強磁場的量測 設備，如此可使我們更深入的瞭解此奈米結構的特性。 此外，銻元素也是一種良好的界面活性劑，可以使得我們磊晶的結構表面維持平 坦，且維持良好之磊晶品質，我們將利用此特性成長高應力的砷化銦鎵磊晶層，使得發 光波長可以達到2um。 多年來，本實驗室對於奈米結構及量子元件的研究有著深厚的基礎，且對於分子束 磊晶中銻材料的使用大約有一年之久，對於銻化合物磊晶技術的掌握也已成熟，並對於 此種第二類異質界面結構的特性也有諸多的瞭解，因此可以掌握此材料的特性並設計新 的元件結構。若能得到此計畫的支持，我們將可以對於銻化合物的奈米結構及量子元件 有更深入的研究。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    奈米結構超物質之新穎特性研究(II)
    (2008)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    台灣聯合大學系統奈米科技核心設施服務計畫---交通大學( I )
    (2009)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    台灣聯合大學奈米製程與分析核心設施計劃於六年前在國科會資助下，由交通大 學與中央大學主導正式開始執行。其宗旨為： 1. 成立一世界級的奈米製程與分析核心實驗室。提供一流設備，供台灣學術界做一 流的奈米科學研究。 2. 成為一合作研究平台，提供不同領域的研究人員共同研究與討論的場所。 3. 為一開放性實驗室，以最有效的管理，最專業的服務，以公平公正公開的方式提 供最最尖端的奈米技術服務。 六年前國科會提供了一億二仟萬元，交大、中央及台灣聯大提供三千五佰萬元及人員與 空間的支援，成立本核心實驗室，六年後的今天我們可以很自豪的說以上的宗旨，我們 都已達到並且超過預期。 我們以有限的經費，購買了兩台高解析度穿透式電子顯微鏡(HRTEM)，兩台分子 束磊晶系統(MBE)，一台活性離子蝕刻機(ICPRIE)，一台具16T 強磁場的He3 低溫量 測系統及一台場發射掃瞄式電子顯微鏡(FESEM)。再加上大學本身配合經費所購買的設 備，如原子力顯微鏡、高解析X 光繞射儀(HRXRD)、電子束微影系統等，在良好場地 基礎上 (與交通大學半導體中心的製程實驗室共用研究專用大樓)，我們建立了一所最 先進的奈米核心設施實驗室，本實驗室不僅在硬體上有一流的設備，在軟體上我們更建 立了一套有一流效率的管控制度。 我們成功的實行了儀器使用會員制度。以有限的會費，每一位使用者(計畫主持人) 均可獲得使用機台一定時數的承諾。我們以所收的會員負擔一小部份所需的材料與各種 維護費用，其著眼點當然不是在表面上的回收國家的經費投資(使用者付費)，而是要具 體落實國科會支持核心設施中心目的與精神: 1.使用者以付費顯示、反應其真實研究須 求；2.使核心設施中心認知與了解具體合作、服務、重點支持對象，以有效運作來支持 仰賴儀器的奈米研究群，達到共用、維護良好之儀器的目的；3.核心設施中心取得支持 重點研究群與服務一般研究群兩個不太相同須求的平衡基礎。4.建立使用儀器會員與核 心設施中心互信的團隊精神。如今我們的會員有150 餘位，遍佈全台灣的學術單位。每 一會員的實驗室均獲得公平與即時的服務。我們的目標是讓每一位研究工作者均能把本 實驗室當成他們各人實驗的延伸。 本中心的每一項設備均有負責的博士後研究員及工程師。六年來所有的設備均維持 在最佳狀態。幾乎沒有當機及人為疏失的問題。由於奈米研究含蓋的範圍甚廣。我們的 使用者來自各領域而我們的中心也是一個真正的跨領域尖端實驗室。 當我們在規劃未來的三年的時候，我們除了要更加強及擴大研究能力與服務範圍 外，根據第一期打下來的基礎與前瞻未來研發方向，我們將本核心設施設訂三大重點發 展方向，它們是(一)奈米結構成長與製作，(二)奈米結構分析與低溫研究，(三)奈米結 構之光譜與影像分析。每一重點方向都配有核心設備與實驗室。每一重點設施方向均有 專家以服務研究社群的精神負責與規劃。我們並將與其他單位合作，共同建立這些所需 的硬體設施。例如我們已與國家奈米元件實驗室(NDL)合作成立低溫量測實驗室。我們 的低溫設備能得到NDL 在各項軟硬體上的支援。我們也與交大的半導體中心合作，利 用他們的潔淨室共同開發奈米製程。 在第一期的計劃中，我們對前兩項發展方向，在軟硬體的建立上都已具雛形，第 二期重點在維護、提升與加強，其重點包括高精度電子束微影系統，基於此設施的重要 性的認知，我們已爭取到這項設施並積極的提升該設備運作效率，我們非常期望得到國 科會持續性的支持。第三項則是我們根據世界上奈米領域最近研究方向、前瞻大新竹地 區研究設施環境須求，所提出的一個新設施建構方向:也就是建立奈米材料與元件的光 譜分析與光學顯微(Optical Nano Spectrocopy 與Imaging)實驗室，我們規劃了三個主要 核心設備系統，其目標在於獲得重點核心設施形成群聚的效益，也就是建立奈米研究測 量的完整性，及其所帶來的在研究領域內的能見度提升、並取得同類儀器可以較有效率 管理之基礎。 在所需的儀器設備上，重要的不在於大型設備的採購而在於如何設計與使用。這對 奈米核心設施是一個很具挑戰性也是深具義意的課題。在第二期計畫中，除了硬體的建 置技術外，人員的養成，儀器的保養，服務品質的提升，制度的建立都是我們努力的方 向。基於第一期的計劃中我們對國科會設立核心設施中心大目標的體會與實踐，我們已 建立了良好的基礎，我們對於未來發展成為世界第一流的奈米核心設施及研究中心是深 具信心的。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    異質接面電晶體的安全操作範圍研究 (II)
    (2014)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    銻化物半導體中紅外線偵測器與雷射之研發與應用( II )
    (2014)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    氫效應在異質接面電晶體所引起的穩定性及可靠性問題
    (2000)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    交通大學電子工程系
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    銻化合物半導體量子結構物理及元件應用
    (2010)
    李建平
    ;
    LEE CHIEN-PING
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    含銻的化合物半導體是所有三五族半導體中之最奇特也最少被人所探討的半導體材料，它擁有所有半導體材料中最高的電子遷移率(InSb)，GaSb則具有與Ge類似的能隙與同樣高的電洞遷移率。由於銻化合物的electronic affinity較低，它與其它三五族半導体所形成的異質接面結構常會形成type II或type III的界面，這種奇特的界面不僅有許多有趣的物理現象也提供了許多特別元件應用的機會。 在過去銻化合物之所以鮮少為人所探討一個主要的原因是它所對應的發光波長落在中紅外線，這無論對光纖通訊的應用或display的應用而言都顯不出它的重要性，但近年來環保議題高漲，而空氣汙染的偵測需要中紅外線的光源及偵測，因此銻化物半導體的光電元件又重新顯得重要。不僅如此，矽元件在經過多年的發展之後，它的performance似乎已經走到了極致，要再進一步提升元件的速度則必需利用其它的材料。近年來Intel開始InSb量子井FET的研發。目的是將高速的InSbFET與Si元件integrate在同一矽基板上。初步的實驗結果顯示，在相同的channel length之下InSb FET的speed-power product將比Si MOSFET高出一到兩個order of magnitude。這是極為令人振奮的結果，這比傳統GaAsFET或HEMT又更向前邁進了一步。 上述的這些元件雖然有如此的potential，但要真正實現商業上的量產，還有許多技術上的挑戰需要克服也需要許多人力和物力的投入和努力。由於銻原子較大，它們的晶格常數比其它主要半導體的晶格常數要來的大。要成長銻化物磊晶在一些熟知的基板如Si、GaAs或InP上必需要克服晶格不批配的問題，以及發展將dislocation及impurity阻絕在外的長晶的技巧。 除了磊晶成長的問題外在元件的設計上也有很大的挑戰。在發光元件上，如要將所發的波長拉長，我們必須利用typeII的heterojunctuion。但是typeII的heterojunctuion的發光效率低，要得到好的及在室溫下可操作的雷射就必須要有很好的元件設計。至於在高速元件上，挑戰則是更大，要獲得高電子遷移率，必須要用narrow bandgap材料如InSb及InAs，但因為bandgap小極易產生impact ionization，元件很容易breakdown，而使得操作電壓變得很小。要克服這兩個彼此矛盾的問題，不是易事。它需要有不同於傳統的新concept和新idea。 我們在此proposed的計劃中將針對上述的問題加以探討，利用band engineering提出我們對元件的創新設計，我們希望在計劃結束時能有破性的成果，將無論是發光元件或高速元件推升到實用的地步。 在元件的應用外，銻化物與其他半導體間的heterostructure及奈米結構將是我們另一個研究主題，GaSb量子點在GaAs matrix中因為type II接面而形成電子的環狀結構，這將使我們有機會看到Aharonov–Bohm effect。我們已經建立一套在低溫高磁下的magneto-optical及micro photoluminenscence量測系統，這將使我們能單一的量子點或量子環的發光特性，不僅如此了我們所設計研發在低溫高磁系統下的橢圓儀將讓我們能量出任何奈米結構在低溫高磁下的EM response。這將使我們對銻化物及其量子結構有更深入的瞭解。