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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

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    二維材料金氧半元件於邏輯電路與記憶體應用之適用性評估(I)
    (2015)
    蘇彬
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    次50奈米Multiple-Gate SOI CMOS的特性分析與模式建立
    (2007)
    蘇彬
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    Su Pin
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    單石三維整合架構下使用前瞻元件之邏輯以及靜態隨機存取記憶體電路分析
    (2014)
    蘇彬
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    Su Pin
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    單石三維整合架構下使用前瞻元件之邏輯以及靜態隨機存取記憶體電路分析
    (2013)
    蘇彬
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    異質通道元件在邏輯電路及記憶體應用之適用性評估
    (2011)
    蘇彬
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    在本計畫中，我們針對以鍺、三五族材料作為通道的邏輯以及記憶體電路做廣泛且 深入的研究。我們將探討及比較幾種以鍺和三五族元件為基礎的組合(例如:鍺通道的 NFET 和PFET，以及鍺通道的PFET 和三五族通道的NFET)在電路方面的應用。此外， 我們將對於以鍺和三五族的超薄絕緣矽金氧半場效電晶體/鰭狀場效電晶體為基礎的邏 輯電路在漏電-延遲(Leakage-Delay)特性方面做更為詳盡的研究；當中包含了靜態邏輯、 動態邏輯、閂鎖器(latch)，以及溫度對於漏電流/效能等的影響。鍺和三五族通道材料的 超薄絕緣矽金氧半場效電晶體/鰭狀場效電晶體為基礎的靜態隨機存取記憶體的穩定度 以及效能也都將被一併研究；其中包含了讀取靜態雜訊邊界、寫入靜態雜訊邊界、讀取 時間、寫入時間、記憶體單元漏電以及元件本質變異造成的變異度。除此之外，元件晶 格轉向(surface orientation)對於以鍺和三五族通道材料鰭狀場效電晶體為基礎的邏輯和 記憶體電路在穩度定、效能以及變異度方面的影響也都將被探討。透過本研究，我們將 針對以鍺和三五族通道材料的超薄絕緣矽金氧半場效電晶體/鰭狀場效電晶體為基礎的 邏輯和記憶體電路在優點、限制、取捨和價值方面提供詳盡的分析。
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    異質通道元件在邏輯電路及記憶體應用之適用性評估
    (2012)
    蘇彬
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    Su Pin
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    在本計畫中，我們針對以鍺、三五族材料作為通道的邏輯以及記憶體電路做廣泛且 深入的研究。我們將探討及比較幾種以鍺和三五族元件為基礎的組合(例如:鍺通道的 NFET 和PFET，以及鍺通道的PFET 和三五族通道的NFET)在電路方面的應用。此外， 我們將對於以鍺和三五族的超薄絕緣矽金氧半場效電晶體/鰭狀場效電晶體為基礎的邏 輯電路在漏電-延遲(Leakage-Delay)特性方面做更為詳盡的研究；當中包含了靜態邏輯、 動態邏輯、閂鎖器(latch)，以及溫度對於漏電流/效能等的影響。鍺和三五族通道材料的 超薄絕緣矽金氧半場效電晶體/鰭狀場效電晶體為基礎的靜態隨機存取記憶體的穩定度 以及效能也都將被一併研究；其中包含了讀取靜態雜訊邊界、寫入靜態雜訊邊界、讀取 時間、寫入時間、記憶體單元漏電以及元件本質變異造成的變異度。除此之外，元件晶 格轉向(surface orientation)對於以鍺和三五族通道材料鰭狀場效電晶體為基礎的邏輯和 記憶體電路在穩度定、效能以及變異度方面的影響也都將被探討。透過本研究，我們將 針對以鍺和三五族通道材料的超薄絕緣矽金氧半場效電晶體/鰭狀場效電晶體為基礎的 邏輯和記憶體電路在優點、限制、取捨和價值方面提供詳盡的分析。
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    源/汲極串聯電阻引致對高度微縮金氧半元件汲極電流不匹配及變異之反饋效應研究
    (2012)
    蘇彬
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    在本計畫中，我們將發表一個考量金氧半元件源/汲極串聯電阻所引發反饋機制之汲極電流不匹配物理模型。而且，我們將針對此一預期未來將影響汲極電流不匹配之新型反饋效應利用極微縮金氧半元件展開實驗量測。此外，我們也將大量地利用原子級數值模擬針對此一反饋效應對奈米元件、邏輯電路、以及靜態隨機存取記憶體變異之影響展開檢視。最後，我們將發展一個可同時考慮由源/汲極串聯電阻以及自熱所引發雙重反饋機制之統整汲極電流不匹配模型；此統整模型將可為未來包含絕緣矽在內之高度微縮金氧半場效電晶體所用。
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    次50奈米Multiple-Gate SOI CMOS的特性分析與模式建立
    (2006)
    蘇彬
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    Su Pin
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    交通大學電子工程系