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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Author: search.filters.author.Su PinSubject: search.filters.subject.CMOS

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    Item type:Item,
    前瞻矽奈米元件變異性及傳輸特性綜合研究(I)
    (2009)
    蘇彬
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    Su Pin
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    在此研究計畫中，我們將對以矽為基底的前瞻奈米元件，針對其變異性及載 子傳輸特性，進行綜合研究。在工作項目一中，我們將分別對超薄基體(UTB)， 多閘極(multi-gate)以及gate-all-around 奈米線金氧半場效電晶體，建立一套 包含Poisson 及Schrodinger 方程式之解的理論架構。利用這一套可考慮量子效 應的解析解模型，我們將研究這三種元件結構並搭配不同的通道材料，其對製程 變異的敏感度。我們的元件模型也將有助於未來奈米級元件的設計。在工作項目 二中，我們將廣泛地研究先進CMOS 場效電晶體的隨機不匹配特性(random mismatch)。這項研究不僅對使用先進CMOS 元件的電路設計很重要，也有助於對 奈米元件的本質參數變異(intrinsic parameter fluctuation)的根本了解。在 工作項目三中，我們將對奈米級應變矽元件的戴子傳輸特性進行研究。這項研究 將有助於了解極微縮應變矽元件的戴子傳輸機制，也對未來提昇戴子遷移率的元 件設計有所幫助。
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    Item type:Item,
    異質通道元件在邏輯電路及記憶體應用之適用性評估
    (2011)
    蘇彬
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    Su Pin
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    在本計畫中，我們針對以鍺、三五族材料作為通道的邏輯以及記憶體電路做廣泛且 深入的研究。我們將探討及比較幾種以鍺和三五族元件為基礎的組合(例如:鍺通道的 NFET 和PFET，以及鍺通道的PFET 和三五族通道的NFET)在電路方面的應用。此外， 我們將對於以鍺和三五族的超薄絕緣矽金氧半場效電晶體/鰭狀場效電晶體為基礎的邏 輯電路在漏電-延遲(Leakage-Delay)特性方面做更為詳盡的研究；當中包含了靜態邏輯、 動態邏輯、閂鎖器(latch)，以及溫度對於漏電流/效能等的影響。鍺和三五族通道材料的 超薄絕緣矽金氧半場效電晶體/鰭狀場效電晶體為基礎的靜態隨機存取記憶體的穩定度 以及效能也都將被一併研究；其中包含了讀取靜態雜訊邊界、寫入靜態雜訊邊界、讀取 時間、寫入時間、記憶體單元漏電以及元件本質變異造成的變異度。除此之外，元件晶 格轉向(surface orientation)對於以鍺和三五族通道材料鰭狀場效電晶體為基礎的邏輯和 記憶體電路在穩度定、效能以及變異度方面的影響也都將被探討。透過本研究，我們將 針對以鍺和三五族通道材料的超薄絕緣矽金氧半場效電晶體/鰭狀場效電晶體為基礎的 邏輯和記憶體電路在優點、限制、取捨和價值方面提供詳盡的分析。