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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

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    Li2MnSiO4與奈米碳管及石墨烯複合材料於非對稱性超級電容之研究
    (2016)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    前瞻高能量超高電容器整合製程及其應用平台開發(III)
    (2016)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    前瞻高能量超高電容器整合製程及其應用平台開發( II )
    (2015)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用
    (2015)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    隨著近年來消費性電子產品，如：智慧型手機、智慧型平面顯示器、筆記型電腦、MP3 和數位相機等，需求與日俱增，非揮發性記憶體已成為現今半導體工業研發重點之一。其中電阻式記憶體元件具結構簡單、元件尺寸小、低功率消耗與操作速度快速等特點，極有可能取代現今主流的快閃式記憶體(Flash Memory)，相當具有潛力成為下世代具三維度立體堆疊結構的高元件密度的非揮發性記憶體。為了整合平面顯示器與記憶元件於玻璃基板達到系統面板(system on panel：SOP)的目標，具透明結構的記憶體元件與周邊電路的研究，是非常急迫且重要的課題。因此本計畫的構想是以高密度與低功率的透明電阻式記憶體元件為基礎，利用本研究團隊既有的場效電晶體搭配電阻式記憶體結構(1T1R)與氧化物二極體搭配電阻式記憶體結構(1D1R)製造技術，進行元件奈米結構與三維度積體電路(3D-IC)應用的研究。 在此三年計畫中，第一年計畫主要工作為透明電阻式記憶體元件之製作，利用高度次序與高密度的氧化鋅(ZnO)奈米線薄膜結構與其他透明氧化物材料當作電阻轉態層來提升元件的記憶體特性，搭配不同的透明電極材料，製作於矽基板、玻璃基板、石英基板與可撓曲的塑膠基板上，研究探討不同透明電極材料組合之電阻式記憶體的電阻轉態機制與材料特性相依性。第二年計畫將根據本實驗室先前所發表的1T1R與1D1R技術，配合第一年研究的最佳化條件透明電阻式記憶體為基礎，探討1T1R與1D1R結構之整體電性影響。另外，製作具交叉條狀(Cross-bar)結構的透明電阻式記憶體陣列(Array)，進行陣列操作機制、透光率與撓曲率的研究。在第三年的研究中，將整合1T1R與1D1R的結構，搭配不同層數的交叉條狀記憶陣列，達到垂直延伸，高元件密度的三維度積體電路結構，進行記憶體特性效能與可靠度(Reliability)的測試。
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    錳氧化物奈米複合材料與新穎三維碳奈米結構修飾電極製備及其應用於可撓式非對稱型超高電容器系統之研究
    (2015)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    在科技進步能源價格高漲的時代，能源材料開發與儲能技術的發展就更顯重要。超高電容器是現 階段受到重視的儲能元件之一，具備可靠性高、壽命長、可急速充放電等優異的特徵，與傳統電池相 比，雖能提供比電池更高的瞬間功率但其能量密度相顯遜色，成為超高電容器未來面臨的主要挑戰。 近年來，錳氧化物為超高電容器(擬電容器)中極具潛力的電極材料，具有價格低廉、無毒性、安全性 高等優點，然而，受限於材料本身導電率不佳，使元件等效串聯電阻ESR 過大，影響超高電容器的有 效儲能量及充放電循環壽命加上單體超高電容器耐電壓有限，因而造成應用上的限制。 根據上述所遭遇到之問題，本實驗室三年之研究計畫將提出改善解決方法，著重於三維新穎混合 型碳奈米網狀結構開發(石墨烯薄片上成長奈米碳管陣列)、低維度奈米複合式電極反應物材料 (Graphene/CNT/MnO2 Nanocomposites)合成、三維碳奈米網狀結構表面改質(氮摻雜)、複合式電極反應物 材料改質(銀原子摻雜錳氧化物)、超高電容器電極製備、超高電容器系統電解液選擇(離子液體)及可撓 式非對稱型正負極材料之超高電容器系統組裝等主題研究，探討其在超高電容器儲能性能及應用。 根據上述七大方向的改善，期待能藉由新穎混合型之碳奈米網狀結構具高比表面積特性並配合改 善奈米錳氧化物在石墨烯/碳管上之附著機制，以獲得較大反應面積及可靠的複合式奈米結構，期待能 開發出具有高功率密度(> 1,000 kW/kg)、高能量密度(> 200 Wh/kg)、寬操作電壓範圍(> 5 V)、高循環次 數 (> 50,000 cycles)及低充電時間 (3~5 分鐘)之高效能可撓式非對稱型正負極材料之超高電容器，隨後 積極於電容器廠配合，將研究的成果具體應用化。
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    Li2MnSiO4與奈米碳管及石墨烯複合材料於非對稱性超級電容之研究
    (2015)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
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    低成本高性能高可靠度先進氧化鋅奈米線場發射元件之研究
    (2008)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    由於具備熱穩定性、成本低等優點，氧化鋅奈米線被認為是大面 積場發射顯示器發射源的候選材料之一。對優良的場發射特性之要求 為具備較低的啟動電場、低屏蔽效應、高的場效增益因子及高可靠度 的場發射特性。因此，在本三年研究計畫中，主要著重上述的4 重 要的要求進行改善。將引入自組裝奈米球微影限定後續水熱法成長氧 鋅奈米線的排列及位置進而降低屏蔽效應的影響。藉發展奈米球的自 組裝於不同基板上的技術來得到精確的奈米線陣列定位控制。對於改 善場效增益因子與低的啟動電場而言，將會發展不同的蝕刻技術進行 氧化鋅奈米線幾何形狀修飾並同時利用金屬擴散的過程進行氧化鋅 奈米線的摻雜來降低氧化鋅奈米線的電阻率與表面功函數而得以改 善場發射特性。然後，針對電子發射源的穩定性進行測試並將測試結 果回饋到製程參數的調整而得以改善之。 最後，將會藉由半導體製程來製作各式閘極控制的場發射元件、 並量測與分析其場發射特性與可靠度，使得氧化鋅奈米線實際應用於 場發射元件的目標得以實現。
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    新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究
    (2008)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    因鈦酸鉍薄膜之電阻值可經由施加電壓作改變，且藉由不同電阻值去儲存資料。在 此三年期研究計畫中，將研究開發鈦酸鉍薄膜作為雙穩態電阻層之非揮發性記憶體。在 第一年與第二年的計畫中，將利用射頻磁控濺鍍法來製造記憶體薄膜；調整不同製程參 數、參雜物質、表面處理並搭配多種上下電極組合以期獲得合適的憶體薄膜之製程條件 及結構。此外將分析量測上述記憶體薄膜之晶體結構、組合成分、物理特性與電學性質； 歸納這些分析結果以進一步瞭解雙穩態電阻轉態機制與高可靠度之最佳化製程條件。第 三年的研究中，將實現電阻式記憶體在不同電路結構中，如整合一個雙穩態電阻轉態結 構至標準互補式金氧半電晶體製程(CMOS process)；並搭配一個存取電晶體或二極體 作為一組記憶體晶包，抑或以記憶陣列(memory array)均可實現電路結構。以上述結構 測試一些記憶體標準規格，例如資料記憶力(data retention)、耐久度(endurance)、非破 壞性讀取測試(non-destructive readout)及高溫可靠度，期許能將此研究實現於非揮發性 記憶體或嵌入式記憶體之應用。
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    新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究
    (2009)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    因鈦酸鉍薄膜之電阻值可經由施加電壓作改變，且藉由不同電阻值去儲存資料。在 此三年期研究計畫中，將研究開發鈦酸鉍薄膜作為雙穩態電阻層之非揮發性記憶體。在 第一年與第二年的計畫中，將利用射頻磁控濺鍍法來製造記憶體薄膜；調整不同製程參 數、參雜物質、表面處理並搭配多種上下電極組合以期獲得合適的憶體薄膜之製程條件 及結構。此外將分析量測上述記憶體薄膜之晶體結構、組合成分、物理特性與電學性質； 歸納這些分析結果以進一步瞭解雙穩態電阻轉態機制與高可靠度之最佳化製程條件。第 三年的研究中，將實現電阻式記憶體在不同電路結構中，如整合一個雙穩態電阻轉態結 構至標準互補式金氧半電晶體製程(CMOS process)；並搭配一個存取電晶體或二極體 作為一組記憶體晶包，抑或以記憶陣列(memory array)均可實現電路結構。以上述結構 測試一些記憶體標準規格，例如資料記憶力(data retention)、耐久度(endurance)、非破 壞性讀取測試(non-destructive readout)及高溫可靠度，期許能將此研究實現於非揮發性 記憶體或嵌入式記憶體之應用。
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    前瞻高能量超高電容器整合製程及其應用平台開發( I )
    (2014)
    曾俊元
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    TSENG TSEUNG-YUEN
    ;
    國立交通大學電子工程學系及電子研究所