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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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🏛️國立陽明交通大學機構典藏

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    軟性透明a-IGZO薄膜電晶體之前瞻研究
    (2008)
    蔡娟娟
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    Tsai Chuang-Chuang
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    國立交通大學光電工程學系(所)
    本計劃預計以三年時間，開發高效能、高穿透率非晶氧化物半導體（amorphous oxide semiconductor）的薄膜電晶體。研究元件電極接面、通道區域/閘極絕緣層介面特性、 與元件結構對電晶體效能的影響，並進行一系列的可靠度分析。在本計劃初期，藉由低 溫濺鍍法製作非晶氧化物薄膜，利用濺鍍氣體分壓的調控及沉積溫度來改變薄膜特性， 研究薄膜成份、晶相對於載子濃度與電特性的影響，並分析沉積條件對於穿透率等相關 光特性的影響。根據初期研究的成果，開發非晶氧化物薄膜電晶體，並針對電極接面與 閘極絕緣層接面進行改質。在研究中，我們將利用氧組成的調控對上述區域進行改質處 理， 並輔以元件結構的設計、與源極（ Source ） 汲極（ Drain ） 的重新配置 （re-configuration）提升元件效能，並以四端點探針量測來驗證上述的結果。最後， 以本計畫開發的高效能元件來研究非晶氧化合物載子傳輸的機制，並對該高效能元件進 行可靠度分析。利用熱應力（thermal stress）、電偏壓應力（bias stress）、與光浸 潤（light soaking）來加速元件退化，研究元件的可靠度與退化的物理機制。尋找影 響非晶氧化合物元件退化的關鍵因素，以期提升元件長時間的穩定性。
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    整合光捕獲設計之高效率雙接面矽薄膜太陽能電池
    (2014)
    蔡娟娟
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    Tsai Chuang-Chuang
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    國立交通大學光電工程學系（所）
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    軟性透明a-IGZO薄膜電晶體之前瞻研究
    (2009)
    蔡娟娟
    ;
    Tsai Chuang-Chuang
    ;
    國立交通大學光電工程學系(所)
    本計劃預計以三年時間，開發高效能、高穿透率非晶氧化物半導體（amorphous oxide semiconductor）的薄膜電晶體。研究元件電極接面、通道區域/閘極絕緣層介面特性、 與元件結構對電晶體效能的影響，並進行一系列的可靠度分析。在本計劃初期，藉由低 溫濺鍍法製作非晶氧化物薄膜，利用濺鍍氣體分壓的調控及沉積溫度來改變薄膜特性， 研究薄膜成份、晶相對於載子濃度與電特性的影響，並分析沉積條件對於穿透率等相關 光特性的影響。根據初期研究的成果，開發非晶氧化物薄膜電晶體，並針對電極接面與 閘極絕緣層接面進行改質。在研究中，我們將利用氧組成的調控對上述區域進行改質處 理， 並輔以元件結構的設計、與源極（ Source ） 汲極（ Drain ） 的重新配置 （re-configuration）提升元件效能，並以四端點探針量測來驗證上述的結果。最後， 以本計畫開發的高效能元件來研究非晶氧化合物載子傳輸的機制，並對該高效能元件進 行可靠度分析。利用熱應力（thermal stress）、電偏壓應力（bias stress）、與光浸 潤（light soaking）來加速元件退化，研究元件的可靠度與退化的物理機制。尋找影 響非晶氧化合物元件退化的關鍵因素，以期提升元件長時間的穩定性。
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    高效率矽基薄膜太陽能電池
    (2009)
    蔡娟娟
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    Tsai Chuang-Chuang
    ;
    國立交通大學光電工程學系（所）
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    軟性透明a-IGZO薄膜電晶體之前瞻研究
    (2010)
    蔡娟娟
    ;
    Tsai Chuang-Chuang
    ;
    國立交通大學光電工程學系（所）
    本計劃預計以三年時間，開發高效能、高穿透率非晶氧化物半導體（amorphous oxide semiconductor）的薄膜電晶體。研究元件電極接面、通道區域/閘極絕緣層介面特性、 與元件結構對電晶體效能的影響，並進行一系列的可靠度分析。在本計劃初期，藉由低 溫濺鍍法製作非晶氧化物薄膜，利用濺鍍氣體分壓的調控及沉積溫度來改變薄膜特性， 研究薄膜成份、晶相對於載子濃度與電特性的影響，並分析沉積條件對於穿透率等相關 光特性的影響。根據初期研究的成果，開發非晶氧化物薄膜電晶體，並針對電極接面與 閘極絕緣層接面進行改質。在研究中，我們將利用氧組成的調控對上述區域進行改質處 理， 並輔以元件結構的設計、與源極（ Source ） 汲極（ Drain ） 的重新配置 （re-configuration）提升元件效能，並以四端點探針量測來驗證上述的結果。最後， 以本計畫開發的高效能元件來研究非晶氧化合物載子傳輸的機制，並對該高效能元件進 行可靠度分析。利用熱應力（thermal stress）、電偏壓應力（bias stress）、與光浸 潤（light soaking）來加速元件退化，研究元件的可靠度與退化的物理機制。尋找影 響非晶氧化合物元件退化的關鍵因素，以期提升元件長時間的穩定性。
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    能源國家型科技計畫太陽能(有機+無機)子項推動及管理計畫(Ⅳ)
    (2013)
    蔡娟娟
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    Tsai Chuang-Chuang
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    國立交通大學光電工程學系（所）
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    推動能源國家型科技計畫台美雙邊國際合作計畫
    (2011)
    蔡娟娟
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    Tsai Chuang-Chuang
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    國立交通大學光電工程學系（所）
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    低成本全低溫溶液製程高性能非晶銦鎵鋅氧化物電晶體開發
    (2011)
    蔡娟娟
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    Tsai Chuang-Chuang
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    國立交通大學光電工程學系（所）
    本計劃三年內主要研究目標有二，(1).全低溫溶膠凝膠(sol-gel)製程(<180oC)，製備具有良好電性與高穩定度之高性能非晶銦鎵鋅氧化物電晶體(a-IGZO TFT)於各式軟性基板。(2).開發多功能 a-IGZO 軟性電子元件。目前一般文獻的sol-gel製程中，關鍵的聚縮合步驟乃利用加熱平台直接加熱至~200oC以上，此溫度相當不適合一般塑膠等軟性基板。因此，本計畫將同時利用紫外光照射與加熱平台直接加熱，希望降低sol-gel法的聚縮合溫度至180oC以下，並研究其他能夠降低聚縮合溫度的因素與方法。其次，欲利用光退火降低sol-gel法在傳統爐管所需的退火溫度(~400oC)，以此將所有製程溫度低於180oC，進而達到全低溫製程。本計畫將引入背通道覆蓋層技術以提高 sol-gel 法製備之a-IGZO TFT 特性，並深入探討影響元件的因素與物理機制與嘗試其他方法提高此製程的 a-IGZO TFT 特性，如鈍化層技術等。我們將應用不同材料背通道覆蓋層導致元件有不同特性的產生，如：臨界電壓改變、具有光偵測之效果，讓前瞻材料 a-IGZO 開發於更廣泛的軟性電子元件。最後，將運用sol-gel 法製備全低溫且具備良好電性與穩定性之高性能 a-IGZO TFT 於軟性基板上，並利用研究成果開發具新穎性多功能之 a-IGZO 軟性電子元件或商品，如：反相器、光偵測器、電子書…等。
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    開發氫化非晶與微晶矽氧以提升光利用及穿隧復合應用於高效率多接面矽基薄膜太陽能電池
    (2013)
    蔡娟娟
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    Tsai Chuang-Chuang
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    國立交通大學光電工程學系（所）