<link rel="stylesheet" href="styles.cf390c6bfbe7555f.css">

學術出版;;Publications

Permanent URI for this communityhdl:11536/1

收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

Browse

🏛️國立陽明交通大學機構典藏

Has files: NoSubject: search.filters.subject.RFIC

Search Results

Now showing 1 - 10 of 14
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    0.18um CMOS Low-Noise Amplifier with two 2(nd)-order notch filters for Ultra-Wideband Wireless Receiver
    (2007)
    Huang, Che-Cheng
    ;
    Huang, Zhe-Yang
    ;
    Wang, Yen-Chun
    ;
    Hung, Yeh-Tai
    ;
    Chen, Meng-Ping
    In this paper a CMOS dual-wideband low-noise amplifier (LNA) is designed for ultra-wideband (UWB) wireless receiver radio system. The design consists of a wideband input impedance matching network, two stage cascode amplifiers with shunt-peaked load, two 2(nd)-order notch fitters and an output buffer for measurement purpose. It is simulated in TSMC 0.18um standard CMOS process. The LNA gives 13.1dB maximum power gain between 3.0GHz-4.9GHz and 15.5dB maximum power gain between 6.2GHz-10.2GHz while consuming 21.9mW through a 1.8V supply. Over the 3.1GHz-4.9GHz frequency band and the 6.2GHz-10.2GHz,a minimum noise figure is 2.5dB and 2.8dB. Input return loss lower than 6.4dB in all bandwidth have been achieved.
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    Multi-stage low-noise amplifier with LC-tank load for ultra-wideband wireless receiver
    (2007)
    Chen, Chun-Chieh
    ;
    Huang, Zhe-Yang
    ;
    Wang, Yen-Chun
    ;
    Chiang, Pei-Yuan
    ;
    Huang, Che-Cheng
    A multi-stage low-noise amplifier (LNA) with LC-tank load to extend the bandwidth is designed for ultra-wideband (UWB) wireless receiver. The design consists of three LC-tank cascode amplifier and one output buffer and is implemented in 0.18um RF CMOS process. The LNA gives 14.5dB gain and 7.2GHz 3dB bandwidth (3.1 - 10.3GHz) while consuming 22.8mW through a 1.5V supply. Over the 3.1GHz - 10.3GHz frequency band, a minimum noise figure of 2.6dB and input return loss lower than -8.8dB have been achieved.
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    寬頻微波接取技術---總計畫
    (2008)
    孟慶宗
    ;
    MENG CHINCHUN
    ;
    國立交通大學電信工程學系(所)
    為研發寬頻微波接取技術，因應時代潮流無線寬頻通訊的發展，將技術轉入實際 應用，讓寬頻無線通訊系統得以運行在既存無線通訊系統中。包含研發適用於次世代 無線通訊系統之寬頻印刷式天線、多層印刷電路板立體式寬頻微波濾波器與耦合器之 開發與製作、關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路、建立ADI-FDTD 模擬平台探討後設 物質於行動裝置應用、微波電路中之電磁干擾抑制研究。本總計畫之內容目標符合國 科會電信工程學門寬頻無線系統重點規劃主題的(A)射頻微波及毫米波電路與系統(子 計劃一、二、三) (B) 電磁散射、干擾、相容及軟體發展及模擬技術(子計劃四、五)。 本總計畫集合國立交通大學在微波領域頂尖人才，發展寬頻、高性能、尺寸縮小、低 成本之零組件，並以全體整合，來展現設計完成之寬頻為波接取機之性能。研究重點 在於寬頻微波接取技術，發展寬頻、高頻、高傳輸效能之電路，不侷限於一般商用規 格，但為了展示全體整合之效能，將以超寬頻UWB 系統為平台，來整合各子計畫之 元件成寬頻無線前端微波系統。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    寬頻微波接取技術---子計畫三：關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路
    (2008)
    孟慶宗
    ;
    MENG CHINCHUN
    ;
    國立交通大學電信工程學系(所)
    隨著通訊技術的日新月異，及人們對於通訊資料量的要求，無線通訊系統的資料頻 寬也隨之越來越寬。目前，為了滿足高資料量的需求，寬頻技術通信運用也應運而生， 其涵蓋頻段必須足夠大。由於SiGe HBT 的高電流截止頻率(fT)，相當適合製作寬頻的射 頻電路。我們首先著手進行SiGe BiCMOS 寬頻射頻傳收器中關鍵零組件的研究，最後實 作出寬頻的傳收機。 我們在第一年將針對SiGe 寬頻低雜訊放大器(LNA)、振盪器(Oscillator)及集總積 體電路巴侖(balun)做研究。低雜訊放大器部分將首先由SiGe 元件分析著手，如此一來 可以進一步最佳化雜訊指數，振盪器部份則以正交相位振盪器為主。第二年將研究寬頻 操作的混頻器(Mixer)，我們將綜合使用微小化積體電路Marchand balun 來使得混頻器 的LO 輸入級達到寬頻的目的。在升頻混頻器的部分，我們可以使用多組LC current combiner 在RF 輸出端使其頻寬拉大，達到寬頻的要求。在第三年中，將整合設計寬頻 操作的射頻積體電路收發機。為了涵蓋多頻率範圍，多頻段頻率產生器將結合利用除頻 器及乘法器來實現。整個傳收機將基於前兩年所建立的子電路來組合出射頻收發機。 計畫工作內容如下： 第一年：寬頻SiGe 低雜訊放大器、震盪器和微小化集總積體電路巴侖之研究 第二年：SiGe 升頻降頻混頻器及結合寬頻Marchand balun 積體電路之研究 第三年：頻率最佳化及規劃、涵蓋多頻率範圍的多頻段頻率產生器、寬頻SiGe 射頻接 收機和傳送機積體電路。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    寬頻微波接取技術---子計畫三：關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路
    (2006)
    孟慶宗
    ;
    MENG CHINCHUN
    ;
    交通大學電信工程系
    隨著通訊技術的日新月異，及人們對於通訊資料量的要求，無線通訊系統的資料頻 寬也隨之越來越寬。目前，為了滿足高資料量的需求，寬頻技術通信運用也應運而生， 其涵蓋頻段必須足夠大。由於SiGe HBT 的高電流截止頻率(fT)，相當適合製作寬頻的射 頻電路。我們首先著手進行SiGe BiCMOS 寬頻射頻傳收器中關鍵零組件的研究，最後實 作出寬頻的傳收機。 我們在第一年將針對SiGe 寬頻低雜訊放大器(LNA)、振盪器(Oscillator)及集總積 體電路巴侖(balun)做研究。低雜訊放大器部分將首先由SiGe 元件分析著手，如此一來 可以進一步最佳化雜訊指數，振盪器部份則以正交相位振盪器為主。第二年將研究寬頻 操作的混頻器(Mixer)，我們將綜合使用微小化積體電路Marchand balun 來使得混頻器 的LO 輸入級達到寬頻的目的。在升頻混頻器的部分，我們可以使用多組LC current combiner 在RF 輸出端使其頻寬拉大，達到寬頻的要求。在第三年中，將整合設計寬頻 操作的射頻積體電路收發機。為了涵蓋多頻率範圍，多頻段頻率產生器將結合利用除頻 器及乘法器來實現。整個傳收機將基於前兩年所建立的子電路來組合出射頻收發機。 計畫工作內容如下： 第一年：寬頻SiGe 低雜訊放大器、震盪器和微小化集總積體電路巴侖之研究 第二年：SiGe 升頻降頻混頻器及結合寬頻Marchand balun 積體電路之研究 第三年：頻率最佳化及規劃、涵蓋多頻率範圍的多頻段頻率產生器、寬頻SiGe 射頻接 收機和傳送機積體電路。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    寬頻微波接取技術---總計畫
    (2006)
    孟慶宗
    ;
    MENG CHINCHUN
    ;
    交通大學電信工程系
    為研發寬頻微波接取技術，因應時代潮流無線寬頻通訊的發展，將技術轉入實際 應用，讓寬頻無線通訊系統得以運行在既存無線通訊系統中。包含研發適用於次世代 無線通訊系統之寬頻印刷式天線、多層印刷電路板立體式寬頻微波濾波器與耦合器之 開發與製作、關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路、建立ADI-FDTD 模擬平台探討後設 物質於行動裝置應用、微波電路中之電磁干擾抑制研究。本總計畫之內容目標符合國 科會電信工程學門寬頻無線系統重點規劃主題的(A)射頻微波及毫米波電路與系統(子 計劃一、二、三) (B) 電磁散射、干擾、相容及軟體發展及模擬技術(子計劃四、五)。 本總計畫集合國立交通大學在微波領域頂尖人才，發展寬頻、高性能、尺寸縮小、低 成本之零組件，並以全體整合，來展現設計完成之寬頻為波接取機之性能。研究重點 在於寬頻微波接取技術，發展寬頻、高頻、高傳輸效能之電路，不侷限於一般商用規 格，但為了展示全體整合之效能，將以超寬頻UWB 系統為平台，來整合各子計畫之 元件成寬頻無線前端微波系統。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    寬頻微波接取技術---總計畫
    (2007)
    孟慶宗
    ;
    MENG CHINCHUN
    ;
    國立交通大學電信工程學系(所)
    為研發寬頻微波接取技術，因應時代潮流無線寬頻通訊的發展，將技術轉入實際 應用，讓寬頻無線通訊系統得以運行在既存無線通訊系統中。包含研發適用於次世代 無線通訊系統之寬頻印刷式天線、多層印刷電路板立體式寬頻微波濾波器與耦合器之 開發與製作、關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路、建立ADI-FDTD 模擬平台探討後設 物質於行動裝置應用、微波電路中之電磁干擾抑制研究。本總計畫之內容目標符合國 科會電信工程學門寬頻無線系統重點規劃主題的(A)射頻微波及毫米波電路與系統(子 計劃一、二、三) (B) 電磁散射、干擾、相容及軟體發展及模擬技術(子計劃四、五)。 本總計畫集合國立交通大學在微波領域頂尖人才，發展寬頻、高性能、尺寸縮小、低 成本之零組件，並以全體整合，來展現設計完成之寬頻為波接取機之性能。研究重點 在於寬頻微波接取技術，發展寬頻、高頻、高傳輸效能之電路，不侷限於一般商用規 格，但為了展示全體整合之效能，將以超寬頻UWB 系統為平台，來整合各子計畫之 元件成寬頻無線前端微波系統。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    寬頻微波接取技術---子計畫三：關鍵寬頻矽製程單晶微波積體電路
    (2007)
    孟慶宗
    ;
    MENG CHINCHUN
    ;
    國立交通大學電信工程學系(所)
    隨著通訊技術的日新月異，及人們對於通訊資料量的要求，無線通訊系統的資料頻 寬也隨之越來越寬。目前，為了滿足高資料量的需求，寬頻技術通信運用也應運而生， 其涵蓋頻段必須足夠大。由於SiGe HBT 的高電流截止頻率(fT)，相當適合製作寬頻的射 頻電路。我們首先著手進行SiGe BiCMOS 寬頻射頻傳收器中關鍵零組件的研究，最後實 作出寬頻的傳收機。 我們在第一年將針對SiGe 寬頻低雜訊放大器(LNA)、振盪器(Oscillator)及集總積 體電路巴侖(balun)做研究。低雜訊放大器部分將首先由SiGe 元件分析著手，如此一來 可以進一步最佳化雜訊指數，振盪器部份則以正交相位振盪器為主。第二年將研究寬頻 操作的混頻器(Mixer)，我們將綜合使用微小化積體電路Marchand balun 來使得混頻器 的LO 輸入級達到寬頻的目的。在升頻混頻器的部分，我們可以使用多組LC current combiner 在RF 輸出端使其頻寬拉大，達到寬頻的要求。在第三年中，將整合設計寬頻 操作的射頻積體電路收發機。為了涵蓋多頻率範圍，多頻段頻率產生器將結合利用除頻 器及乘法器來實現。整個傳收機將基於前兩年所建立的子電路來組合出射頻收發機。 計畫工作內容如下： 第一年：寬頻SiGe 低雜訊放大器、震盪器和微小化集總積體電路巴侖之研究 第二年：SiGe 升頻降頻混頻器及結合寬頻Marchand balun 積體電路之研究 第三年：頻率最佳化及規劃、涵蓋多頻率範圍的多頻段頻率產生器、寬頻SiGe 射頻接 收機和傳送機積體電路。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    LC-free CMOS oscillator employing two-dimensional transmission line
    (2003)
    Tzuang, CKC
    ;
    Chen, CC
    ;
    Chien, WY
    ;
    電信工程研究所
    ;
    Institute of Communications Engineering
    A compact, fully integrated 5.2 GHz CMOS oscillator based on 0.25mum 1P5M foundry technology is presented. The recently proposed two-dimensional transmission line, called complementary-conducting-strips (CCS), replaces the conventional inductor-capacitor tank circuit, resulting in a first-pass design for the CMOS oscillator, of which the simulated and measured power level and oscillation frequency agree to within 1%.
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    An optimum design of the micromachined RF inductor
    (2004)
    Lin, JW
    ;
    Chen, CC
    ;
    Huang, JK
    ;
    Cheng, YT
    ;
    電子工程學系及電子研究所
    With a complete performance investigation of the on-chip micromachined inductor with mechanical disturbances using ANSYS and HFSS simulators, an optimum structural design of the micromachined spiral inductors with fully CMOS compatible post-processes for RFIC applications is proposed in this paper. Via the incorporation of a sandwich dielectric membrane (0.7mum SiO2/ 0.7mum Si3N4/ 0.7mum TEOS) to enhance the structure rigidity, the inductor can have better signal stability. As compared, the new design of a 5nH micromachined inductor can have less 45% inductance variation than the conventional one while both devices operate at 8GHz but with 10 m/sec(2) acceleration. Meanwhile, using a cross shape instead of blanket membrane can also effectively eliminate the inductance variation induced by the working temperature change (20degreesC to 75degreesC). It's our belief that the new micromachined inductors can have not only high Q performance but also better signal stability suitable for wide range RFIC applications.