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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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Subject: search.filters.subject.InN

Search Results

Now showing 1 - 10 of 14
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    Item type:Item,
    Growth and X-ray characterization of an InN film on sapphire prepared by metalorganic vapor phase epitaxy
    (1997-12-15)
    Chen, WK
    ;
    Pan, YC
    ;
    Lin, HC
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    Ou, J
    ;
    Chen, WH
    We report the successful growth of an InN film by metalorganic vapor phase epitaxy. The film quality is found to be strongly dependent on the growth temperature and the TMIn reactant flow rate. The best quality epilayer was obtained at 375 degrees C under a high V/III ratio growth environment. It exhibits a FWHM of the X-ray rocking curve as narrow as 96 arcsec: which explains the superior crystalline quality of our epitaxial film.
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    Item type:Item,
    Site-controlled crystalline InN growth from the V-pits of a GaN substrate
    (2017-05-31)
    Kuo, Chien-Ting
    ;
    Hsu, Lung-Hsing
    ;
    Lai, Yung-Yu
    ;
    Cheng, Shan-Yun
    ;
    Kuo, Hao-Chung
    A site-controlled crystalline InN growth from the V-pits of a GaN substrate was investigated. The V-pits were fabricated by epitaxial lateral growth of GaN over SiO2 disks patterned on a sapphire substrate. InN crystals were found to preferably grow on the inclined {10-11} crystal planes of the V-pits. A V-pit size of 1 mu m or less can provide precise site-controlled InN nucleation at the V-pit bottom, while no InN was grown on the rest of the exposed GaN surfaces. The site-controlled nucleation is attributed to the low surface energy point created by the converging six {10-11} crystal facets at the V-pit bottom. When In source supply is below a certain value, this V-pit bottom is the only location able to aggregate enough active sources to start nucleation, thereby providing site-controlled crystal growth. (C) 2017 Elsevier B.V.
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    Item type:Item,
    氮化銦及高銦組成氮化銦鎵奈米粒之微米及奈米尺度光學特性分析
    (2008)
    李明知
    ;
    LEE MING-CHIH
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    近年來三五族化合物半導體已成為發展光電產業中，最重要的材料。其中透過氮化銦與氮化 鎵所合成的氮化銦鎵，其發光波段控制在紫外到藍綠光的範圍中，更是目前應用在雷射發光二極 體與雷射二極體上最主要的材料之ㄧ。為了將發光波段延伸到紅光及紅外光，研發高銦含量的 氮 化 銦 鎵 及 氮 化 銦 成 為 熱 門 的 課 題 。 本 研 究 團 隊 最 近 特 別 研 發 流 量 調 製 磊 晶 法 (Flow Rate Modulation Epitaxy, FME)，成功利用 MOCVD 成長出氮化銦奈米粒，其發光位置在 0.75 eV 附近，半高寬甚至可下降至 50 meV，利用氮化銦的長晶參數，進而成長出一系列高銦組 成的氮化銦鎵奈米粒 (銦組成高於 60 %)。 透過初步觀測，發現不論是氮化銦或是高銦組成氮化銦鎵奈米粒，其表面除了會呈現不同形 貌的奈米粒外，也可發現微結構的特徵。本計劃將利用螢光光譜、拉曼光譜與近場光譜探討氮化 銦及高銦組成氮化銦鎵奈米粒的光學特性，包含時析載子傳輸機制、奈米粒應力變化情況與形貌 跟光譜的對應關係。 因此，針對上述計畫背景及目的所提，本計畫將細分為下列幾個主要的研究目標與方向，玆 條列如下： (1) 微米級(Micro)空間解析之氮化銦/高銦組成氮化銦鎵奈米結構之螢光光譜性： 搭配雷射定位技術，透過變溫光譜量測、時間解析光譜，分析微米區域內不同奈米結構 的載子傳輸機制、載子生命期....等特性。 (2) 微米級(Micro)空間解析之氮化銦/高銦組成氮化銦鎵奈米結構之拉曼光譜特性： 搭配雷射定位技術，分析微米區域內不同奈米結構中，應力變化情形…等特性。 (3) 奈米級(Nano)空間解析之氮化銦/高銦組成氮化銦鎵奈米結構之近場光譜特性： 偵測奈米結構內的光譜與形貌之對應關係。
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    Item type:Item,
    氮化銦及高銦組成氮化鎵銦量子點及相關異質微結構之光電物理行為研究
    (2008)
    陳衛國
    ;
    CHEN WEI-KUO
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    由於 InN 材料具有高載子遷移率、低能隙值與高△Ec 值，使得InN 材料之 運用可以包括高速、高頻電子元件、1.3-1.55 μm 之光通訊元件及高溫度、高功 率穩定性之光電元件製作。此外在InGaN 合金材料中經由適當調配其固相組成 比例，將可以獲得發光波長範圍涵蓋紫外光、可見光到遠紅外線波段，未來極有 潛力運用於全彩白光固態光源之製作。另一方面，InGaN 合金光電元件可有效 的將太陽光的紅外至紫外光完整頻譜轉換成電流，可望成為有史以來最具效能、 堅固且相對上廉價的太陽能材料。因此InN 及InGaN 材料目前已經引起了產業 界、世界各學術研究單位競相投入研究發展之材料。 迄今本實驗室累積了多年在 III 族氮化物上的研究經驗，目前已有初步的研 究成果，包含已達世界最高之載子遷移率1300 cm2/Vs，螢光光譜半高寬值達70 meV 的InN 薄膜；組成變化由60%至95%之高In 組成InGaN 奈米粒，發光波長 涵蓋1.1~1.6 μm；發光譜峰在1.07 eV、高度6 nm 具有量子效應之InN 奈米粒等， 然而這些初步成果相較於其他III-V 族材料如GaN 或InAs 材料，仍有很大的改 善空間，例如半高寬可以提升至30 meV，電子遷移率可朝理論值的4400 cm2/Vs 推進等，而其關鍵仍在於反應腔之設計。有鑑於此，本計劃將從新設計組裝一適 合低溫成長InN 與高In 組成InGaN 材料又兼具高溫成長高品質GaN 材料之反應 腔體以進一步提升薄膜品質。 基於本研究團隊多年來在於三—五族材料磊晶及光電研究之成果及經驗 上，依據上述初步成果，研究InN 及In-rich InGaN 奈米點溫度相關之類S-shaped 機制研究、高銦組成薄膜載子侷域態研究、高密度奈米點間激子傳輸效應、奈米 點量子侷限效應、薄膜及奈米結構之介面應力與壓電場效應、多重波長堆疊結構 之載子偶合特性研究及InN 單光子光源時間相關特性研究。
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    Item type:Item,
    分子束磊晶氮化合物與藍色光源的研究
    (1995)
    陳振芳
    ;
    CHEN JENN-FANG
    ;
    國立交通大學電子物理學系
    含N的III-V族化合物在藍光與UV波長之光的科 學研究與科技上的應用均具有非常大的潛力. 此種波長的光源,除了在彩色螢光幕的商業應 用以外,在海底通信、外太空偵測等更有重大 的影響.在基本科學研究方面,此乃是一個新的 領域,其具有非常高的挑戰性及學術研究的價 值.因此本研究計畫打算用分子束磊晶法(MBE)來 從事這方面的研究.我們將從最基本的ECR系統 安裝、測試開始與含N之化合物半導體的成長 研究、基本物理特性的量測到異質結構的成長 ,再進一步到藍光光源的研製.
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    Item type:Item,
    氮化銦及高銦組成氮化鎵銦量子點及相關異質微結構之光電物理行為研究
    (2006)
    陳衛國
    ;
    CHEN WEI-KUO
    ;
    交通大學電子物理系
    由於InN 材料具有高載子遷移率、低能隙值與高△Ec 值，使得InN 材料之 運用可以包括高速、高頻電子元件、1.3-1.55 μm 之光通訊元件及高溫度、高功 率穩定性之光電元件製作。此外在InGaN 合金材料中經由適當調配其固相組成 比例，將可以獲得發光波長範圍涵蓋紫外光、可見光到遠紅外線波段，未來極有 潛力運用於全彩白光固態光源之製作。另一方面，InGaN 合金光電元件可有效 的將太陽光的紅外至紫外光完整頻譜轉換成電流，可望成為有史以來最具效能、 堅固且相對上廉價的太陽能材料。因此InN 及InGaN 材料目前已經引起了產業 界、世界各學術研究單位競相投入研究發展之材料。 迄今本實驗室累積了多年在III 族氮化物上的研究經驗，目前已有初步的研 究成果，包含已達世界最高之載子遷移率1300 cm2/Vs，螢光光譜半高寬值達70 meV 的InN 薄膜；組成變化由60%至95%之高In 組成InGaN 奈米粒，發光波長 涵蓋1.1~1.6 μm；發光譜峰在1.07 eV、高度6 nm 具有量子效應之InN 奈米粒等， 然而這些初步成果相較於其他III-V 族材料如GaN 或InAs 材料，仍有很大的改 善空間，例如半高寬可以提升至30 meV，電子遷移率可朝理論值的4400 cm2/Vs 推進等，而其關鍵仍在於反應腔之設計。有鑑於此，本計劃將從新設計組裝一適 合低溫成長InN 與高In 組成InGaN 材料又兼具高溫成長高品質GaN 材料之反應 腔體以進一步提升薄膜品質。 基於本研究團隊多年來在於三—五族材料磊晶及光電研究之成果及經驗 上，依據上述初步成果，研究InN 及In-rich InGaN 奈米點溫度相關之類S-shaped 機制研究、高銦組成薄膜載子侷域態研究、高密度奈米點間激子傳輸效應、奈米 點量子侷限效應、薄膜及奈米結構之介面應力與壓電場效應、多重波長堆疊結構 之載子偶合特性研究及InN 單光子光源時間相關特性研究。
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    Item type:Item,
    氮化銦及高銦組成氮化鎵銦量子點及相關異質微結構之光電物理行為研究
    (2007)
    陳衛國
    ;
    CHEN WEI-KUO
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    由於InN 材料具有高載子遷移率、低能隙值與高△Ec 值，使得InN 材料之 運用可以包括高速、高頻電子元件、1.3-1.55 μm 之光通訊元件及高溫度、高功 率穩定性之光電元件製作。此外在InGaN 合金材料中經由適當調配其固相組成 比例，將可以獲得發光波長範圍涵蓋紫外光、可見光到遠紅外線波段，未來極有 潛力運用於全彩白光固態光源之製作。另一方面，InGaN 合金光電元件可有效 的將太陽光的紅外至紫外光完整頻譜轉換成電流，可望成為有史以來最具效能、 堅固且相對上廉價的太陽能材料。因此InN 及InGaN 材料目前已經引起了產業 界、世界各學術研究單位競相投入研究發展之材料。 迄今本實驗室累積了多年在III 族氮化物上的研究經驗，目前已有初步的研 究成果，包含已達世界最高之載子遷移率1300 cm2/Vs，螢光光譜半高寬值達70 meV 的InN 薄膜；組成變化由60%至95%之高In 組成InGaN 奈米粒，發光波長 涵蓋1.1~1.6 μm；發光譜峰在1.07 eV、高度6 nm 具有量子效應之InN 奈米粒等， 然而這些初步成果相較於其他III-V 族材料如GaN 或InAs 材料，仍有很大的改 善空間，例如半高寬可以提升至30 meV，電子遷移率可朝理論值的4400 cm2/Vs 推進等，而其關鍵仍在於反應腔之設計。有鑑於此，本計劃將從新設計組裝一適 合低溫成長InN 與高In 組成InGaN 材料又兼具高溫成長高品質GaN 材料之反應 腔體以進一步提升薄膜品質。 基於本研究團隊多年來在於三—五族材料磊晶及光電研究之成果及經驗 上，依據上述初步成果，研究InN 及In-rich InGaN 奈米點溫度相關之類S-shaped 機制研究、高銦組成薄膜載子侷域態研究、高密度奈米點間激子傳輸效應、奈米 點量子侷限效應、薄膜及奈米結構之介面應力與壓電場效應、多重波長堆疊結構 之載子偶合特性研究及InN 單光子光源時間相關特性研究。
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    Item type:Item,
    Raman and X-ray studies of InN films grown at different temperatures by metalorganic vapor phase epitaxy
    (1998-09-01)
    Chen, WK
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    Lin, HC
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    Pan, YC
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    Ou, J
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    Shu, CK
    We used Raman scattering and X-ray diffraction (XRD) methods to investigate the properties of InN films deposited at temperatures ranging from 325 to 600 degrees C by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). Significant line broadening, softening and intensity evolution were observed from films at growth temperatures between 375 and 450 degrees C. This can be attributed to the formation of mixed hexagonal and cubic structures and related dislocation defects. As the growth temperature was further increased, the hexagonal phase tvas found to be dominant in the deposited InN film.
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    Item type:Item,
    Growth and optical properties of high-density InN nanodots
    (2010-10-15)
    Ke, W. C.
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    Lee, S. J.
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    Kao, C. Y.
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    Chen, W. K.
    ;
    Chou, W. C.
    High density InN/GaN nanodots were grown by pulsed mode (PM) metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). InN nanodots density of up to similar to 5 x 10(10) cm(-2) at a growth temperature of 550 degrees C was achieved. The high diffusion activation energy of 2.65 eV due to high NH(3) flow rate generated more reactive nitrogen adatoms on the growth surface, and is believed to be the main reason for the growth of high density InN nanodots. In addition, an anomalous temperature dependence of the PL peak energy was observed for high density InN nanodots. The high carrier concentration, due to high In vacancy (V(ln)) in the InN nanodots, thermally agitated to the conduction band. As the measurement temperature increased, the increase of Fermi energy resulted in blue-shifted PL peak energy. From the Arrhenius plot of integrated PL intensity, the thermal activation energy for the PM grown InN nanodots was estimated to be E(a)similar to 51 meV, indicating strong localization of carriers in the high density InN nanodots. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
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    Item type:Item,
    Influence of sapphire nitridation on properties of indium nitride prepared by metalorganic vapor phase epitaxy
    (1999-02-01)
    Pan, YC
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    Lee, WH
    ;
    Shu, CK
    ;
    Lin, HC
    ;
    Chiang, CI
    Indium nitride films have been successfully grown on (0001) sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) using TMIn and NH3 as source precursors. Experimental results indicated that pregrowth treatments, such as buffer layer growth, nitridation temperature and nitridation duration have dramatic effects on the growth of the InN films. For films nitridated at 1,000 degrees C for 40 min without any buffer layer growth, we obtained an InN film quality with Hall mobility, carrier concentration and line width of Raman E-2 mode of 270 cm(2)/V.s, 5 x 10(19) cm(-3) and 4.5 cm(-1), respectively, which is among the best quality ever reported for such type of film grown by MOVPE.