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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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Subject: search.filters.subject.admittance spectroscopy

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    砷化銦自聚式量子點內點缺陷與電子量子能階之交互作用
    (2008)
    陳振芳
    ;
    CHEN JENN-FANG
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    近年來，砷化銦/砷化鎵自聚式成長量子點的技術漸趨成熟，並大量應用在科技上， 引起理論及實驗的廣泛研究，尤其在判定量子點電子能帶結構方面，如何經由分析量子 點的電子躍遷行為來確認之，是許多團隊目前專注的課題之一。然而，電子躍遷時間太 短，加上顯著穿隧效應的影響之下，對實驗量測與分析都是一大挑戰。另一方面，已知 改變深層陷阱的周圍環境條件，對其載子激發皆會造成影響，因此文獻提出，可利用具 有強侷限波函數的深層陷阱(deep trap)，做為分析電子能帶結構的工具；為了達到此目 標，首先此類缺陷需具有高規律性：其電容-時間暫態頻譜必須為指數函數，進而得知 正確的載子激發能量數值。過去的幾年中，我們研究過許多缺陷陷阱，已發現一些合適 的缺陷，譬如與應力鬆弛所誘發之錯位(misfit)有關聯的電子缺陷，此缺陷固定侷限在特 定區域，且其電子激發特性強烈地受環境變因所影響。 因此，在此三年提案中，我們計劃深入探索此類缺陷，以應用在建立量子點電 子能帶結構方面。第一年，我們將使用分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE)成長樣 品， 將一些缺陷能階佈值在量子點內部或是其周圍， 首先利用光激螢光技術 (photoluminescence, PL) 與穿透式電子顯微鏡(cross-sectional transmission electron microscopy, TEM)，對樣品進行初步研究；電性量測方面，將結合導納頻譜(admittance spectroscopy)、深層能階展態頻譜(deep-level transient spectroscopy, DLTS)以及電容-時間 暫態頻譜(capacitance-time C(t) transience)等分析技術，期望能獲得缺陷與量子點能階， 其激發訊號對應溫度之曲線藍圖。除了MBE 磊晶之外，我們也會利用離子佈值後熱退 火的方式來製造缺陷；第二年期間，藉由了解缺陷及量子點能階的激發特性，可建立缺 陷與量子點能階之間的交互作用模型並規範量子點電特性；至於第三年計畫中，我們則 將著重在缺陷對於熱退火之效應。本研究計畫極具前瞻性，且對於基本科學研究及未來 科技應用上，皆有相當的成效。
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    砷化銦自聚式量子點內點缺陷與電子量子能階之交互作用
    (2009)
    陳振芳
    ;
    CHEN JENN-FANG
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    近年來，砷化銦/砷化鎵自聚式成長量子點的技術漸趨成熟，並大量應用在科技上， 引起理論及實驗的廣泛研究，尤其在判定量子點電子能帶結構方面，如何經由分析量子 點的電子躍遷行為來確認之，是許多團隊目前專注的課題之一。然而，電子躍遷時間太 短，加上顯著穿隧效應的影響之下，對實驗量測與分析都是一大挑戰。另一方面，已知 改變深層陷阱的周圍環境條件，對其載子激發皆會造成影響，因此文獻提出，可利用具 有強侷限波函數的深層陷阱(deep trap)，做為分析電子能帶結構的工具；為了達到此目 標，首先此類缺陷需具有高規律性：其電容-時間暫態頻譜必須為指數函數，進而得知 正確的載子激發能量數值。過去的幾年中，我們研究過許多缺陷陷阱，已發現一些合適 的缺陷，譬如與應力鬆弛所誘發之錯位(misfit)有關聯的電子缺陷，此缺陷固定侷限在特 定區域，且其電子激發特性強烈地受環境變因所影響。 因此，在此三年提案中，我們計劃深入探索此類缺陷，以應用在建立量子點電 子能帶結構方面。第一年，我們將使用分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE)成長樣 品， 將一些缺陷能階佈值在量子點內部或是其周圍， 首先利用光激螢光技術 (photoluminescence, PL) 與穿透式電子顯微鏡(cross-sectional transmission electron microscopy, TEM)，對樣品進行初步研究；電性量測方面，將結合導納頻譜(admittance spectroscopy)、深層能階展態頻譜(deep-level transient spectroscopy, DLTS)以及電容-時間 暫態頻譜(capacitance-time C(t) transience)等分析技術，期望能獲得缺陷與量子點能階， 其激發訊號對應溫度之曲線藍圖。除了MBE 磊晶之外，我們也會利用離子佈值後熱退 火的方式來製造缺陷；第二年期間，藉由了解缺陷及量子點能階的激發特性，可建立缺 陷與量子點能階之間的交互作用模型並規範量子點電特性；至於第三年計畫中，我們則 將著重在缺陷對於熱退火之效應。本研究計畫極具前瞻性，且對於基本科學研究及未來 科技應用上，皆有相當的成效。
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    Item type:Item,
    砷化銦自聚式量子點內點缺陷與電子量子能階之交互作用
    (2010)
    陳振芳
    ;
    CHEN JENN-FANG
    ;
    國立交通大學電子物理學系（所）
    近年來，砷化銦/砷化鎵自聚式成長量子點的技術漸趨成熟，並大量應用在科技上， 引起理論及實驗的廣泛研究，尤其在判定量子點電子能帶結構方面，如何經由分析量子 點的電子躍遷行為來確認之，是許多團隊目前專注的課題之一。然而，電子躍遷時間太 短，加上顯著穿隧效應的影響之下，對實驗量測與分析都是一大挑戰。另一方面，已知 改變深層陷阱的周圍環境條件，對其載子激發皆會造成影響，因此文獻提出，可利用具 有強侷限波函數的深層陷阱(deep trap)，做為分析電子能帶結構的工具；為了達到此目 標，首先此類缺陷需具有高規律性：其電容-時間暫態頻譜必須為指數函數，進而得知 正確的載子激發能量數值。過去的幾年中，我們研究過許多缺陷陷阱，已發現一些合適 的缺陷，譬如與應力鬆弛所誘發之錯位(misfit)有關聯的電子缺陷，此缺陷固定侷限在特 定區域，且其電子激發特性強烈地受環境變因所影響。 因此，在此三年提案中，我們計劃深入探索此類缺陷，以應用在建立量子點電 子能帶結構方面。第一年，我們將使用分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE)成長樣 品， 將一些缺陷能階佈值在量子點內部或是其周圍， 首先利用光激螢光技術 (photoluminescence, PL) 與穿透式電子顯微鏡(cross-sectional transmission electron microscopy, TEM)，對樣品進行初步研究；電性量測方面，將結合導納頻譜(admittance spectroscopy)、深層能階展態頻譜(deep-level transient spectroscopy, DLTS)以及電容-時間 暫態頻譜(capacitance-time C(t) transience)等分析技術，期望能獲得缺陷與量子點能階， 其激發訊號對應溫度之曲線藍圖。除了MBE 磊晶之外，我們也會利用離子佈值後熱退 火的方式來製造缺陷；第二年期間，藉由了解缺陷及量子點能階的激發特性，可建立缺 陷與量子點能階之間的交互作用模型並規範量子點電特性；至於第三年計畫中，我們則 將著重在缺陷對於熱退火之效應。本研究計畫極具前瞻性，且對於基本科學研究及未來 科技應用上，皆有相當的成效。
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    Item type:Item,
    Admittance spectroscopy and thermal stimulation current for band-offset characteristics in AlAs/GaAs n(+)-p structures
    (2000-01-01)
    Chen, JF
    ;
    Wang, JS
    ;
    Wang, PY
    ;
    Chen, NC
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    Hsu, NC
    Admittance spectroscopy is used to study a molecular-beam epitaxially grown GaAs n(+)-p diode with 100-Angstrom-thick AlAs immersed in the lightly doped p-region. The measurements clearly show two trapping effects. Upon comparison with the reference sample without the AlAs layer, an equivalent circuit for the studied sample is developed. Based on this circuit, the admittance spectra are calculated and found to be consistent with the experimental spectra. From this result, the trap at E-a = 0.52 eV with a capture cross section 1.6 x 10(-14) cm(2) is believed to result from the resistance-capacitance time constant effect due to the thermionic emission of holes over the AlAs barrier and the activation energy corresponds to the AlAs/GaAs valence-band offset. The results of the thermal stimulation current further support this conclusion.
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    Item type:Item,
    Effect of nitrogen incorporation into InAs layer in InAs/InGaAs self-assembled quantum dots
    (2005-09-01)
    Chen, JF
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    Hsiao, RS
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    Chen, YC
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    Chen, YP
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    Hsieh, MT
    We present the results of nitrogen. incorporation into the InAs layer in InAs/InGaAs quantum dots (QDs). We show that this incorporation causes an asymmetric photoluminescence (PL) line shape and abnormally, large redshift of the PL peak from the quantum dots as temperature increases. In addition, this incorporation causes a large series resistance and a rapid increase in reverse current at a bias corresponding to the QD region. This effect is due to the formation of a deep trap at 0.34-0.41 eV, which depletes the carriers in the QD region. This depletion gives rise to a geometric resistance-capacitance time-constant effect for the ac conductivity of the free electrons in the top GaAs layer. This trap markedly alters the emission properties of the QD structure. The ac conductivity of the QD structure is governed by the thermal activation of trapped electrons rather than the electron emission from the QD confined states. This incorporation significantly increases the electron emission time from the QD region and, thus, can be used intentionally to modify the emission properties of the QD structure.
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    Item type:Item,
    Electrical Properties of Metal-Silicon Nitride-Hydrogenated Amorphous Silicon Capacitor Elucidated Using Admittance Spectroscopy
    (2008-12-01)
    Hsieh, Ming-Ta
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    Chen, Jenn-Fang
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    Yen, Kuo-Hsi
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    Zan, Hsiao-Wen
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    Chang, Chan-Ching
    Detailed admittance spectroscopy was performed on a metal-silicon nitride-hydrogenated amorphous silicon (MIAS) structure. On the basis of the properties of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), three simplified equivalent circuit models under various operating conditions (accumulation, depletion and full depletion) are presented along with an alternative direct measurement method at room temperature. Admittance spectroscopy shows that the interface states density between silicon nitride (SiN(x)) and a-Si:H can be determined from the depletion equivalent circuit model. The resisivity and activation energy of a-Si:H can also be obtained using the accumulation and depletion equivalent circuit models. These models can be employed easily to monitor the fabrication parameters of thin-films transistors (TFTs) and to accurately and directly obtain the capacitance model parameters of TFTs. [DOI: 10.1143/JJAP.47.8714]
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    Item type:Item,
    Deep levels in SnTe-doped GaSb grown on GaAs by molecular beam epitaxy
    (1996-07-01)
    Chen, JF
    ;
    Chen, NC
    ;
    Liu, HS
    ;
    交大名義發表
    ;
    電子物理學系
    A dominant deep level with an activation energy of 0.23-0.26 eV was observed by admittance spectroscopy in SnTe-doped GaSb layers grown directly on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The Sb-4/Ga Bur ratio was found to affect the Hall mobility and the concentration of the deep level in a similar way, with an optimal beam equivalent pressure ratio of around 7 obtained for GaSb grown at 550 degrees C, which should correspond to the lowest ratio at which a Sb-stabilized surface reconstruction can be maintained. This electron level is commonly detected in n-type (SnTe-, S- and Te-doped) GaSb, but not in undoped p-type GaSb, suggesting that the level is not a simple native defect, but may be connected with the impurity used for n-type doping of GaSb.