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學術出版;;Publications

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收集所有交通大學研究人員與學生個人或團體所發表之各項學術著作，涵蓋期刊論文、教師專書、學位論文等項。;;Collections of Publications of NCTU Researchers and Students Like Journal Papers and Thesis.

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    利用摻雜之硒化鎵晶體產生兆赫波之研究
    (2008)
    羅志偉
    ;
    Luo Chih-Wei
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    本計畫將尋找適當的元素摻雜於非線性半導體硒化鎵晶體中，以提高 其產生兆赫波之效率。近來已有研究群利用硒化鎵晶體產生一可調波長之 兆赫波幅射。也因為此種晶體在兆赫波波段吸收率較低，所以在眾多非線 性光學晶體中最被看好的材料之一。不過其本身的均勻度及光學透明度， 卻成為產生高功率兆赫波幅射之限制。一般來說，利用差頻產生兆赫波的 方法中，增加晶體厚度應該可增加兆赫波的輻射功率。但到目前為止，實 驗上並未觀察到此現象。因此，透過離子半徑較大元素的摻雜來增加其極 化率或均勻度以提高兆赫波的輻射功率。另外，利用偶極天線的結構來產 生兆赫波幅射，同樣透過不同元素的摻雜，也可增加其電阻率及載子之遷 移率以提高兆赫波的輻射效率，同時更可研究其載子之動力學性質。所以， 不管利用何種方式產生兆赫波輻射，本計劃的目標在透過不同元素之摻 雜，同時配合尋找穩定的長晶條件，以得到一具有高均勻度、高機械強度、 高透光率、高電阻率等特性之高品質非線性半導體硒化鎵晶體，進而實現 高功率及波長可調之兆赫波幅射光源。最後，將利用此兆赫波幅射進行高 溫超導體、多鐵錳氧化物、磁性半導體或半導體量子點之超快動力學研究。
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    Item type:Item,
    利用摻雜之硒化鎵晶體產生兆赫波之研究
    (2009)
    羅志偉
    ;
    Luo Chih-Wei
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    本計畫將尋找適當的元素摻雜於非線性半導體硒化鎵晶體中，以提高 其產生兆赫波之效率。近來已有研究群利用硒化鎵晶體產生一可調波長之 兆赫波幅射。也因為此種晶體在兆赫波波段吸收率較低，所以在眾多非線 性光學晶體中最被看好的材料之一。不過其本身的均勻度及光學透明度， 卻成為產生高功率兆赫波幅射之限制。一般來說，利用差頻產生兆赫波的 方法中，增加晶體厚度應該可增加兆赫波的輻射功率。但到目前為止，實 驗上並未觀察到此現象。因此，透過離子半徑較大元素的摻雜來增加其極 化率或均勻度以提高兆赫波的輻射功率。另外，利用偶極天線的結構來產 生兆赫波幅射，同樣透過不同元素的摻雜，也可增加其電阻率及載子之遷 移率以提高兆赫波的輻射效率，同時更可研究其載子之動力學性質。所以， 不管利用何種方式產生兆赫波輻射，本計劃的目標在透過不同元素之摻 雜，同時配合尋找穩定的長晶條件，以得到一具有高均勻度、高機械強度、 高透光率、高電阻率等特性之高品質非線性半導體硒化鎵晶體，進而實現 高功率及波長可調之兆赫波幅射光源。最後，將利用此兆赫波幅射進行高 溫超導體、多鐵錳氧化物、磁性半導體或半導體量子點之超快動力學研究。
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    Item type:Item,
    利用摻雜之硒化鎵晶體產生兆赫波之研究
    (2007)
    羅志偉
    ;
    Luo Chih-Wei
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    本計畫將尋找適當的元素摻雜於非線性半導體硒化鎵晶體中，以提高 其產生兆赫波之效率。近來已有研究群利用硒化鎵晶體產生一可調波長之 兆赫波幅射。也因為此種晶體在兆赫波波段吸收率較低，所以在眾多非線 性光學晶體中最被看好的材料之一。不過其本身的均勻度及光學透明度， 卻成為產生高功率兆赫波幅射之限制。一般來說，利用差頻產生兆赫波的 方法中，增加晶體厚度應該可增加兆赫波的輻射功率。但到目前為止，實 驗上並未觀察到此現象。因此，透過離子半徑較大元素的摻雜來增加其極 化率或均勻度以提高兆赫波的輻射功率。另外，利用偶極天線的結構來產 生兆赫波幅射，同樣透過不同元素的摻雜，也可增加其電阻率及載子之遷 移率以提高兆赫波的輻射效率，同時更可研究其載子之動力學性質。所以， 不管利用何種方式產生兆赫波輻射，本計劃的目標在透過不同元素之摻 雜，同時配合尋找穩定的長晶條件，以得到一具有高均勻度、高機械強度、 高透光率、高電阻率等特性之高品質非線性半導體硒化鎵晶體，進而實現 高功率及波長可調之兆赫波幅射光源。最後，將利用此兆赫波幅射進行高 溫超導體、多鐵錳氧化物、磁性半導體或半導體量子點之超快動力學研究。
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    Item type:Item,
    THz emission characteristics of photoconductive antennas with different gap size fabricated on arsenic-ion-implanted GaAs
    (2001)
    Liu, TA
    ;
    Tani, M
    ;
    Lin, GR
    ;
    Pan, CL
    ;
    光電工程學系
    Significant difference in temporal and spectral characteristics of THz radiation emitted by large- (1 mm) and small- (5mum) aperture dipole antennas fabricated on arsenic-ion-implanted GaAs and undoped semi-insulating GaAs is reported and attributed to the geometry of the antenna.