新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	曾俊元	en_US
dc.contributor.author	TSENG TSEUNG-YUEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:46:02Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:46:02Z	-
dc.date.issued	2014	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC102-2221-E009-134-MY3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/100587	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8109630&docId=429425	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用	zh_TW
dc.title	Novel Transparent Resistive Random Access Memory for High Density and Low Power Nonvolatile Memory Application	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫