氮化銦鎵和氮砷化鎵三元化合物薄膜製備及光電物理性質研究

標題:	氮化銦鎵和氮砷化鎵三元化合物薄膜製備及光電物理性質研究 Epitaxy and Characterization of InGaN and GaAsN Alloys
作者:	陳衛國 WEI-KUOCHEN 交通大學電子物理系
關鍵字:	同價位元素雜質摻雜;氮砷化鎵;磊晶熱力學;有機金屬氣相磊晶;異質界面結構;Isoelectronic doping;GaAsN;Thermodynamics growth model
公開日期:	2000
官方說明文件#:	NSC89-2112-M009-012
URI:	http://hdl.handle.net/11536/100638 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=523763&docId=95131
顯示於類別：	研究計畫

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