標題: 新世代三五族金氧半電晶體元件
III-V MOSFET for Next Generation
作者: 張翼
CHANG EDWARD YI
國立交通大學材料科學與工程學系(所)
公開日期: 2009
官方說明文件#: NSC98-2923-E009-002-MY3
URI: http://hdl.handle.net/11536/100841
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1817061&docId=303672
顯示於類別:研究計畫