完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 詹世雄 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:48:00Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:48:00Z | - |
dc.date.issued | 2000 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC89-2215-E009-005 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/101204 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542190&docId=99607 | en_US |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 超高真空化學氣相沈積法 | zh_TW |
dc.subject | 複晶矽 | zh_TW |
dc.subject | 薄膜電晶體 | zh_TW |
dc.subject | UHVCVD | en_US |
dc.subject | Polysilicon | en_US |
dc.subject | Thin film transistor | en_US |
dc.title | 超高真空化學氣相沈積新穎複晶矽薄膜電晶體之低溫閘極介電層與新結構之研究---子計畫IV:超高真空化學氣相沉積低溫複晶矽薄膜電晶體之鈍化與可靠度之研究 | zh_TW |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學材料科學與工程研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |