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dc.contributor.author詹世雄en_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:48:00Z-
dc.date.available2014-12-13T10:48:00Z-
dc.date.issued2000en_US
dc.identifier.govdocNSC89-2215-E009-005zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/101204-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542190&docId=99607en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject超高真空化學氣相沈積法zh_TW
dc.subject複晶矽zh_TW
dc.subject薄膜電晶體zh_TW
dc.subjectUHVCVDen_US
dc.subjectPolysiliconen_US
dc.subjectThin film transistoren_US
dc.title超高真空化學氣相沈積新穎複晶矽薄膜電晶體之低溫閘極介電層與新結構之研究---子計畫IV:超高真空化學氣相沉積低溫複晶矽薄膜電晶體之鈍化與可靠度之研究zh_TW
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學材料科學與工程研究所zh_TW
顯示於類別:研究計畫