新穎材料開發關鍵核心設施計畫---二六族化合物半磁性半導體磊晶核心設施

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	周武清	en_US
dc.contributor.author	CHOU WU-CHING	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:49:29Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:49:29Z	-
dc.date.issued	2009	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC98-2119-M009-015	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/101655	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1875554&docId=309345	en_US
dc.description.abstract	我們計畫建立一套二六族半磁性半導體的分子束磊晶系統核心設施，將包括碲、硒、錳、鋅及鎘等元素，及氮與二氯化鋅做正負型參雜。所以可以製作(碲化錳鋅/硒化鋅)量子點、(硒化錳鎘/硒化鋅)量子點、(碲化錳鎘/碲化鋅)量子點、(硒化鋅/硒化錳鋅/硒化鋅)三明治結構製作的自旋過濾器等。另外也考慮加氧研究氧化錳鋅相關的量子結構。除了提供各式各樣的樣品給國內外物理學家研究新穎的自旋物理外，本研究團隊將對二六族半磁性半導體單量子點自旋物理做深入的研究。	zh_TW
dc.description.abstract	We propose to set up a core facility of II-VI semimagnetic semiconductor (SMSC) molecular beam epitaxy (MBE). The MBE system consists of Te, Se, Mn, Zn and Cd elemental sources. It also contains N plasma and ZnCl2 for p and n-type doping. This system enables us to fabricate ZnMnTe/ZnSe quantum dots (QDs), CdMnSe/ZnSe QDs, CdMnTe/ZnTe QDs and ZnSe/ZnMnSe/ZnSe sandwich spin-filter structure. Growth of ZnMnO also will be studied. These interesting samples support Taiwanese physicists and overseas physicists to investigate the novel physics of spintronics. In addition, our research team will study the spin physics of single SMSC QD.	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	二六族半磁性半導體	zh_TW
dc.subject	分子束磊晶	zh_TW
dc.subject	自旋物理	zh_TW
dc.subject	II-VI semimagnetic semiconductor	en_US
dc.subject	molecular beam epitaxy	en_US
dc.subject	spin physics	en_US
dc.title	新穎材料開發關鍵核心設施計畫---二六族化合物半磁性半導體磊晶核心設施	zh_TW
dc.title	Core Facility of II-VI Compound Semimagnetic Semiconductor Epitaxy	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系(所)	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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982119M009015.PDF

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