半導體奈米體中的自旋軌道偶和及等效Lande因子

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	霍斯科	en_US
dc.contributor.author	Voskoboynikov Oleksa	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:49:45Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:49:45Z	-
dc.date.issued	2014	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC102-2112-M009-004-MY2	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/101796	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8108025&docId=428984	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	半導體奈米體中的自旋軌道偶和及等效Lande因子	zh_TW
dc.title	Spin-Orbit Coupling and Effective Lande Factors in Semiconductor Nano-Objects of Complex Geometry and Material Content	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫