完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 施敏 | en_US |
dc.contributor.author | SZE SIMON MIN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:51:54Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:51:54Z | - |
dc.date.issued | 2007 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC95-2221-E009-316-MY2 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/102983 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1642972&docId=280875 | en_US |
dc.description.abstract | 為了改善傳統氧化矽-氮化矽-氧化矽(oxide-nitride-oxide,ONO)結構記憶體的特性,並使元件縮小密度提高、且期望增加操作速度、元件可操作的次數以及保存時間。在此計畫中,我們主要分兩個目標,一為改善傳統ONO結構的特性,將電荷儲存層trap-state的數量提高或採用新穎電荷儲存層材料,使電荷儲存於deep trap-state不易流失,並利用Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS)量測方式量測深層缺陷之活化能(activation Energy)、捕捉截面積與濃度等。對ONO結構記憶體之電荷補捉機製作深入的探討。另一為多位元(multi-bits) 的儲存結構,能使記憶體的密度大大地提高。我們將利用高密度電漿化學氣相沈積系統(HDPCVD)製作含有較多trap- state之電荷儲存氮化矽層或其他具有潛力的介電質(SiC、SiCN、GeNO、GeN 和GeO)。由於HDPCVD沈積薄膜,於沈積過程中具有較高的離子轟擊效應,導致形成的薄膜較緻密且電荷捕獲中心(trap)較多,對電子的捕獲效應較佳,期望達到較大的記憶窗,以改善記憶體元件的保存時間。 在多位元(multi-bits) 的儲存結構方面,我們提出一種新穎半導體與絕緣體交錯相疊的似超晶格(quasi-superlattice)結構,作為載子儲存的單元。預期在記憶體特性的表現上,隨著不同的閘極電壓,使電荷儲存在不同層數。期望藉由適當的閘極電壓寫入,讓此記憶體元件具有每個記憶單元(memory cell)多個位元(bit)的操作能力。 | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 非揮發性記憶體 | zh_TW |
dc.subject | 氧化矽-氮化矽-氧化矽 | zh_TW |
dc.subject | 缺陷密度 | zh_TW |
dc.title | 新穎SONOS非揮發性記憶體元件製作與特性研究 | zh_TW |
dc.title | Novel SONOS Nonvolatile Memory Device Fabrication and Characteristics Research | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 國立交通大學電子工程學系及電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |