具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	王朝勳	en_US
dc.contributor.author	郭浩中	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:11:48Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:11:48Z	-
dc.date.issued	2013-09-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L033/04	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103205	-
dc.description.abstract	一種具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件,包含:基板;n-型半導體層,設置在基板上,n-型半導體層具有第一部份及第二部份;具有漸變含量之電洞穿隧層,設置在n-型半導體層之第一部份上;電子阻擋層,設置在具有漸變含量之電洞穿隧層上;p-型半導體層,設置在電子阻擋層上;第一電極,設置在p-型半導體層上;以及第二電極,設置在n-型半導體層之第二部份上且與n-型導體層之第一部份上之結構電性分離,且第二電極與第一電極之電性相反,藉由具有漸變含量之電洞穿隧層做為多重量子井層,在寬能隙發光元件中,提高電洞傳遞效率,進一步的提高發光效率。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201338197	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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