鍺次氧化物移除方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	劉柏村	en_US
dc.contributor.author	黃震鑠	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:11:51Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:11:51Z	-
dc.date.issued	2013-07-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/306	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C11D007/04	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103237	-
dc.description.abstract	本發明提供一種用於移除形成於一鍺半導體基材與一介電層之間的鍺次氧化物的方法，包含準備一組成份包括一種二氧化碳超臨界流體和一氧化劑的超臨界流體組成物，且以該二氧化碳超臨界流體的體積百分比為100%計，該氧化劑的體積百分比不大於該二氧化碳超臨界流體體積的5~10%，接著在溫度不高於200℃的條件下，利用該超臨界流體組成物處理該鍺半導體元件，令該氧化劑與高介電常數材料及鍺次氧化物之間產生氧化還原反應，即可在低溫(&lt;200℃)條件下將形成於該鍺半導體基材與介電層之間的鍺次氧化物移除。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	鍺次氧化物移除方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201330083	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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