| 标题: | 可容忍闸极崩毁之功率闸结构 |
| 作者: | 杨皓义 庄景德 黄威 |
| 公开日期: | 1-七月-2014 |
| 摘要: | 本发明提供一种可容忍闸极崩毁之功率开关结构，其连接于一静态随机存取记忆体，功率闸结构包含第一互补式金氧半电晶体(CMOS)开关及第二互补式金氧半电晶体(CMOS)开关，两者为不同闸极厚度或不同临界电压，利用正常闸极厚度或正常临界电压提供静态随机存取记忆体从睡眠模式或待机模式切换至启动模式所需之电流；利用较厚的闸极厚度或较高临界电压提供予静态随机存取记忆体在工作模式所需之电流，藉以避免功率开关闸极崩毁的发生，进而影响静态随机存取记忆体的杂讯增益边界、稳定性与效能。 |
| 官方说明文件#: | H01L027/092 H01L029/40 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/103276 |
| 专利国: | TWN |
| 专利号码: | I443807 |
| 显示于类别： | Patents |
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