含氮化合物半導體層缺陷之處理方法

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李威儀	en_US
dc.contributor.author	葉彥顯	en_US
dc.contributor.author	吳尹豪	en_US
dc.contributor.author	余諮宜	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:11:56Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:11:56Z	-
dc.date.issued	2013-05-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/3065	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103284	-
dc.description.abstract	本發明揭露一種含氮化合物半導體層缺陷之處理方法，包含以下的步驟：提供一基板；一含氮化合物半導體層形成於基板上，於含氮化合物半導體層具有貫穿式線缺陷；以及利用蝕刻氣體以執行蝕刻步驟以移除在含氮化合物半導體層之貫穿式線缺陷，使得含氮化合物半導體層無任何貫穿式線缺陷的產生，以提升元件之效能。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	含氮化合物半導體層缺陷之處理方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201318058	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。