獨立閘極控制靜態隨機存取記憶體

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	莊景德	en_US
dc.contributor.author	陳盈年	en_US
dc.contributor.author	謝建宇	en_US
dc.contributor.author	范銘隆	en_US
dc.contributor.author	胡璧合	en_US
dc.contributor.author	蘇彬	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:11:56Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:11:56Z	-
dc.date.issued	2013-05-01	en_US
dc.identifier.govdoc	G11C011/412	zh_TW
dc.identifier.govdoc	G11C011/417	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103285	-
dc.description.abstract	本發明提供一種靜態隨機存取記憶體，為七顆鰭狀電晶體架構，其使用獨立閘極超高臨界電壓的鰭狀場效電晶體，達到類似堆疊性質以消除讀取干擾以及半選取干擾，同時使用保持電路和讀取電壓控制，來降低讀取時位元線上的漏電流。再者，能有效解決先前技術使用六顆電晶體的SRAM架構，操作於較低電壓下，容易發生讀取錯誤的問題。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	獨立閘極控制靜態隨機存取記憶體	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	201317991	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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